一種新型全透明BZT薄膜變容管及其制備方法與流程
本發(fā)明涉及電子信息材料技術領域，具體為一種新型全透明BZT薄膜變容管及其制備方法。
背景技術：
全透明電子設備是電子技術未來發(fā)展的一個重要方向，其所具有獨特的光學投過性能，將極大地拓展電子設備的應用領域。此外，顯示系統(tǒng)的快速發(fā)展，為了最大可能地提升顯示效果，也需要液晶顯示單元里的電子器件的透明化?？梢?，開發(fā)新型全透明電子器件是當務之急。全透明薄膜變容管在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中具有巨大的應用前景，可在透明電路中實現(xiàn)對信號頻率、相位或幅度的調控，進而實現(xiàn)真正意義上的透明移動終端顯示和光學隱身探測等。
目前對透明變容管的研究還甚少，主要是因為半導體薄膜變容管的損耗因子過大且不具有透過性。而介質薄膜變容管由于其金屬電極的使用，導致其也不具備光學透明性。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，具有透明性高、調諧率適中、器件穩(wěn)定性好和成本低廉的特點。
本發(fā)明可以通過以下技術方案來實現(xiàn)：
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)固相燒結法合成BaZr0.2Ti0.8O3靶材：按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1200～1300℃保溫4～10h燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；
(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；
(3)磁控濺射系統(tǒng)調節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10～3Pa以下，然后加熱襯底至600～800℃；
(4)磁控濺射合成BaZr0.2Ti0.8O3薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.01～0.3，生長氣壓為0.5～5Pa，濺射功率為50～300W，利用磁控濺射沉積得到BaZr0.2Ti0.8O3薄膜；
(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品；
(6)涂光刻膠：步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠；
(7)烘干處理：對光刻機膜進行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來，光刻膠得到固化，溫度110～120℃，時間3～8min；
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求；
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；
(10)退火處理：步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度300～700℃。
在本發(fā)明中，在介質變容管中，介質明鋯鈦酸鋇薄膜，由于具有介電常數(shù)高、損耗因子小等特點，因而它是制作薄膜變容管的理想材料。制備在Pt電極上的明鋯鈦酸鋇薄膜的調諧率可達到70％以上。此外，明鋯鈦酸鋇薄膜具有較寬的帶隙，在可見光區(qū)具有極高的透過率。
進一步地，所述步驟(1)的原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體的純度均在99％以上。
進一步地，所述步驟(2)的襯底為商用的石英玻璃襯底。
進一步地，所述步驟(4)的Ar和O2的純度均在99.99％以上。
進一步地，沉積得到的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜的厚度通過調節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度，其厚度控制在100nm～600nm。
進一步地，所述步驟(8)的曝光所得的圖形為插指圖形。
進一步地，所述步驟(9)中，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為100～500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。
進一步地，所述步驟(6)的操作為：利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為3000～6000轉/分鐘，保持時間30～60秒，得到的均勻的光刻機膜。
一種根據(jù)以上新型全透明BZT薄膜變容管制備方法得到的BZT薄膜變容管，包括襯底、襯底三設有BZT薄膜，BZT薄膜上設有插指透明電極。
本發(fā)明一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法及其制備方法，具有如下的有益效果：
(1)本發(fā)明公開的全透明薄膜變容管的透明性高，調諧率適中。且器件穩(wěn)定性好，為透明通訊和顯示設備的開發(fā)和應用提供了優(yōu)良的元器件基礎；
(2)本發(fā)明提供的透明薄膜變容管制備工藝，流程簡單、性能優(yōu)良，具有良好的應用前景。且成本低廉，適合大規(guī)模生產應用。
附圖說明
附圖1為本發(fā)明新型全透明BZT薄膜變容管的結構示意圖；
附圖2為實施例5中制備BZT薄膜變容管的光學透過性能曲線；
附圖3為實施例5中制備在BZT薄膜變容管的介電性能曲線。
具體實施方式
為了使本技術領域的人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合實施例及對本發(fā)明產品作進一步詳細的說明。
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)固相燒結法合成BaZr0.2Ti0.8O3靶材：按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1200～1300℃保溫4～10h燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體的純度均在99％以上。
(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。
(3)磁控濺射系統(tǒng)調節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10～3Pa以下，然后加熱襯底至600～800℃。
(4)磁控濺射合成BaZr0.2Ti0.8O3薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.01～0.3，生長氣壓為0.5～5Pa，濺射功率為50～300W，利用磁控濺射沉積得到BaZr0.2Ti0.8O3薄膜，Ar和O2的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜的厚度通過調節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度，其厚度控制在100nm～600nm。
(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品。
(6)涂光刻膠：步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為3000～6000轉/分鐘，保持時間30～60秒，得到的均勻的光刻機膜。
(7)烘干處理：對光刻機膜進行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來，光刻膠得到固化，溫度110～120℃，時間3～8min。
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為100～500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。
(10)退火處理：步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度300～700℃。
以下結合具體實施例進一步進行說明：
實施例1
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)固相燒結法合成BaZr0.2Ti0.8O3靶材：按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1300℃保溫7h燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體的純度均在99％以上。
(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。
(3)磁控濺射系統(tǒng)調節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10～3Pa以下，然后加熱襯底至600℃。
(4)磁控濺射合成BaZr0.2Ti0.8O3薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.2，生長氣壓為5Pa，濺射功率為175W，利用磁控濺射沉積得到BaZr0.2Ti0.8O3薄膜，Ar和O2的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜的厚度通過調節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度，其厚度控制在100nm。
(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品。
(6)涂光刻膠：步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為6000轉/分鐘，保持時間45秒，得到的均勻的光刻機膜。
(7)烘干處理：對光刻機膜進行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來，光刻膠得到固化，溫度110℃，時間6min。
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。
(10)退火處理：步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度500℃。
實施例2
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)固相燒結法合成BaZr0.2Ti0.8O3靶材：按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1250℃保溫10h燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體的純度均在99％以上。
(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。
(3)磁控濺射系統(tǒng)調節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10～3Pa以下，然后加熱襯底至700℃。
(4)磁控濺射合成BaZr0.2Ti0.8O3薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.3，生長氣壓為0.5Pa，濺射功率為300W，利用磁控濺射沉積得到BaZr0.2Ti0.8O3薄膜，Ar和O2的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜的厚度通過調節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度，其厚度控制在350nm。
(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品。
(6)涂光刻膠：步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為3000轉/分鐘，保持時間30～60秒，得到的均勻的光刻機膜。
(7)烘干處理：對光刻機膜進行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來，光刻膠得到固化，溫度120℃，時間3min。
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為300nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。
(10)退火處理：步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度300℃。
實施例3
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)固相燒結法合成BaZr0.2Ti0.8O3靶材：按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1200℃保溫10h燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體的純度均在99％以上。
(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。
(3)磁控濺射系統(tǒng)調節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10～3Pa以下，然后加熱襯底至800℃。
(4)磁控濺射合成BaZr0.2Ti0.8O3薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.01，生長氣壓為2.75Pa，濺射功率為50W，利用磁控濺射沉積得到BaZr0.2Ti0.8O3薄膜，Ar和O2的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜的厚度通過調節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度，其厚度控制在600nm。
(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品。
(6)涂光刻膠：步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為4500轉/分鐘，保持時間30秒，得到的均勻的光刻機膜。
(7)烘干處理：對光刻機膜進行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來，光刻膠得到固化，溫度120℃，時間8min。
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為500nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。
(10)退火處理：步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度300℃。
實施例4
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)固相燒結法合成BaZr0.2Ti0.8O3靶材：按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，充分混合后壓制成型，置于電爐中于1280℃保溫6h燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體的純度均在99％以上。
(2)襯底送料：將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中，襯底為商用的石英玻璃襯底。
(3)磁控濺射系統(tǒng)調節(jié)：將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至1.0×10～3Pa以下，然后加熱襯底至650℃。
(4)磁控濺射合成BaZr0.2Ti0.8O3薄膜：在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.13，生長氣壓為3.5Pa，濺射功率為200W，利用磁控濺射沉積得到BaZr0.2Ti0.8O3薄膜，Ar和O2的純度均在99.99％以上，沉積得到的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜的厚度通過調節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度，其厚度控制在500nm。
(5)降溫取樣：步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品。
(6)涂光刻膠：步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠，利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為5000轉/分鐘，保持時間38秒，得到的均勻的光刻機膜。
(7)烘干處理：對光刻機膜進行前烘，使令光刻膠中的溶劑揮發(fā)出來，光刻膠得到固化，溫度117℃，時間6min。
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求，曝光所得的圖形為插指圖形。
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將透明電極濺射沉積到樣品表面，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形，所使用的透明電極為銦錫氧化物薄膜電極和鋁鋅氧化物薄膜電極，電極厚度為230nm，電極形狀插指圖形，電極的指寬和指間距在5um和20um。
(10)退火處理：步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度450℃。
實施例4制備所得的變容管具體結構如圖1所示：變容管包括襯底1，襯底1上面設有BZT薄膜2，BZT薄膜2上面設有透明插指電極3。
實施例5
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)采用固相燒結法制備BaZr0.2Ti0.8O3靶材
按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，純度均為99.9％。經充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1200℃，并保溫10小時，燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；
(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；
(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至5.0×10-4Pa，然后加熱襯底至700℃；
(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.2，生長氣壓為1.0Pa，濺射功率為100W，利用磁控濺射沉積得到厚度為300nm的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜；
(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品；
(6)步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠。
利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為5000轉/分鐘，保持時間60秒，得到的均勻的光刻機膜，厚度為4um；
(7)對光刻機膜進行前烘，溫度110℃，時間5min；
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求；
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將AZO透明電極濺射沉積到樣品表面，厚度為300nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；
(10)步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度400℃。
對本實施例所得的樣品進行光學透過性能和介電性能測試，具體測試曲線如圖2和圖3所示，經檢測所得的制備全透明BZT薄膜變容管在可見光區(qū)的平均光學透過率為85％，所檢測的介電調諧率為70％(10V電場下)。
實施例6
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)采用固相燒結法制備BaZr0.2Ti0.8O3靶材
按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，純度均為99.9％。經充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1250℃，并保溫10小時，燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；
(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；
(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至3.0×10-4Pa，然后加熱襯底至700℃；
(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.2，生長氣壓為1.0Pa，濺射功率為100W，利用磁控濺射沉積得到厚度為500nm的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜；
(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品；
(6)步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠。
利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為3000轉/分鐘，保持時間60秒，得到的均勻的光刻機膜，厚度為6um；
(7)對光刻機膜進行前烘，溫度120℃，時間5min；
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求；
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將ITO透明電極濺射沉積到樣品表面，厚度為200nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；
(10)步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度300℃。
經檢測所得的制備全透明BZT薄膜變容管在可見光區(qū)的平均光學透過率為82％，所檢測的介電調諧率為61％。
實施例7
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)采用固相燒結法制備BaZr0.2Ti0.8O3靶材
按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，純度均為99.9％。經充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1300℃，并保溫5小時，燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；
(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；
(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至8.0×10-4Pa以下，然后加熱襯底至600℃；
(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.2，生長氣壓為3.0Pa，濺射功率為200W，利用磁控濺射沉積得到厚度為200nm的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜；
(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品；
(6)步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠。
利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為6000轉/分鐘，保持時間40秒，得到的均勻的光刻機膜，厚度為4um；
(7)對光刻機膜進行前烘，溫度110℃，時間5min；
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求；
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將AZO透明電極濺射沉積到樣品表面,厚度為200nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；
(10)步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度500℃。
經檢測所得的制備的全透明BZT薄膜變容管在可見光區(qū)的平均光學透過率為88％，所檢測的介電調諧率為67％。
實施例8
本發(fā)明公開了一種新型全透明BZT薄膜變容管的制備方法，包括以下步驟：
(1)采用固相燒結法制備BaZr0.2Ti0.8O3靶材
按BaZr0.2Ti0.8O3對應元素的化學計量比稱取原料BaCO3、TiO2和ZrO2粉體，純度均為99.9％。經充分混合后，在30Mpa的壓力下壓制成型，最后置于箱式電爐中逐步升溫至1300℃，并保溫50小時，燒制BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材；
(2)將清潔干燥的石英玻璃襯底放入磁控濺射系統(tǒng)的真空室中；
(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至8.0×10-4Pa以下，然后加熱襯底至800℃；
(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用O2/Ar混合氣作為生長氣體，O2/Ar比為0.5，生長氣壓為5.0Pa，濺射功率為50W，利用磁控濺射沉積得到厚度為400nm的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜；
(5)步驟(4)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品；
(6)步驟(5)結束后，在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面旋涂光刻膠。
利用勻膠機將光刻膠均勻的涂覆在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜表面；選擇轉速為6000轉/分鐘，保持時間30秒，得到的均勻的光刻機膜，厚度為4um；
(7)對光刻機膜進行前烘，溫度110℃，時間5min；
(8)曝光、顯影與后烘：利用紫外光，采用接觸式曝光方式，滿足微米級線條的精度要求；
(9)濺射鍍膜、剝離：使用磁控濺射工藝，在室溫下將AZO透明電極濺射沉積到樣品表面，厚度為500nm，使用丙酮超聲清洗，將光刻膠剝離掉。襯底表面便留有了具有特定形狀的電極圖形；
(10)步驟(9)結束后，對樣品進行退火處理，退火溫度600℃。
經檢測所得的制備的全透明BZT薄膜變容管在可見光區(qū)的平均光學透過率為83％，所檢測的介電調諧率為63％。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制；凡本行業(yè)的普通技術人員均可按說明書所示和以上所述而順暢地實施本發(fā)明；但是，凡熟悉本專業(yè)的技術人員在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，可利用以上所揭示的技術內容而作出的些許更動、修飾與演變的等同變化，均為本發(fā)明的等效實施例；同時，凡依據(jù)本發(fā)明的實質技術對以上實施例所作的任何等同變化的更動、修飾與演變等，均仍屬于本發(fā)明的技術方案的保護范圍之內。
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