技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例提供一種3DIC結(jié)構(gòu)及其形成方法。所述結(jié)構(gòu)包含上覆在第一襯底上的第一電介質(zhì)層。第一連接墊放置在所述第一電介質(zhì)層的頂部表面中且接觸第一重布線。第一虛擬墊放置在所述第一電介質(zhì)層的所述頂部表面中，所述第一虛擬墊接觸所述第一重布線。第二電介質(zhì)層上覆在第二襯底上。第二連接墊及第二虛擬墊放置在所述第二電介質(zhì)層的頂部表面中，所述第二連接墊接合到所述第一連接墊，且所述第一虛擬墊以與所述第二虛擬墊偏離的方式定位，使得所述第一虛擬墊與所述第二虛擬墊彼此不接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：吳國銘;林永隆;王志揚(yáng);陳升照;周正賢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.23
技術(shù)公布日：2017.09.05