技術(shù)編號：11388137
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中的3DIC結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)半導(dǎo)體工業(yè)因多種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續(xù)改進(jìn)已經(jīng)歷迅速發(fā)展。在極大程度上，集成密度的此改進(jìn)是來自最小構(gòu)件大小的反復(fù)減小(例如，朝向低于20nm節(jié)點(diǎn)而縮小半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn))，此允許將較多組件集成到給定區(qū)中。隨著近期對小型化、更高速度及更大帶寬以及更低電力消耗及延時的需求的增長，已產(chǎn)生對半導(dǎo)體裸片的較小且較具創(chuàng)造性封裝技術(shù)的需要。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展，經(jīng)堆疊半導(dǎo)體裝置(例如，3...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。