1.一種堆疊式單基島SIP封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、取具有單基島的框架；
步驟二、在框架上焊接引腳組，所述的引腳組包括若干個(gè)用于連接芯片的芯片引腳組，所述的芯片引腳組包括若干個(gè)間隔1.27mm且為并排設(shè)置芯片引腳(5)，切除掉引腳連接端，然后將芯片引腳組中的奇數(shù)行或偶數(shù)行的芯片引腳(5)橫向折彎，形成兩列間隔2.54mm的引腳，形成引線框架；
步驟三、在引線框架的單基島上點(diǎn)軟焊料(1)；
步驟四、在點(diǎn)有軟焊料(1)的單基島上貼上第一芯片(2)，然后加熱到260-300℃融化軟焊料(1)將第一芯片(2)與引線框架焊接在一起；
步驟五、在第一芯片(2)的表面點(diǎn)絕緣膠(3)；
步驟六、在第一芯片(2)的表面貼上第二芯片(4)，通過絕緣膠(3)漿第二芯片(4)與第一芯片(2)粘接在一起；
步驟七、通過金屬線將第一芯片(2)與第二芯片(4)連接、第一芯片(2)與引腳連接、第二芯片(4)與引腳連接；
步驟八、完成后續(xù)的包封、清洗、切割工序；
其中，在步驟一所述的框架上貼裝散熱元件的背部靠近引腳的一端設(shè)置成傾斜結(jié)構(gòu)(6)，傾斜結(jié)構(gòu)(6)的寬度為1.5mm，傾斜結(jié)構(gòu)的底端與引腳的間距為0.6mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式單基島SIP封裝工藝，其特征在于，所述的第一芯片(2)為MOS芯片，第二芯片(4)為主控芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式單基島SIP封裝工藝，其特征在于，所述的軟焊料(1)為錫鉛焊料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式單基島SIP封裝工藝，其特征在于，所述的步驟四中，軟焊料(1)的加熱融化溫度優(yōu)選為280℃。