本發(fā)明屬于LED封裝領(lǐng)域,尤其是涉及一種可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
制造白光的LED芯片的方法是:在預(yù)先制好電極焊盤的藍(lán)光LED圓片上直接覆上一層熒光膜,經(jīng)切割后形成一粒粒的白光LED芯片單體,存在問題是:白光LED芯片的底部側(cè)面會有藍(lán)光泄漏,造成光質(zhì)量缺陷。應(yīng)用LED芯片制造成LED光源時(shí),為了實(shí)現(xiàn)LED光源的色溫可調(diào),常用的技術(shù)手段將預(yù)先覆蓋有第一熒光層形成的包裹式LED芯片單元和一個(gè)裸式LED芯片單元在封裝基板上排列,還設(shè)有第二熒光層覆蓋上述的包裹式LED芯片單元和一個(gè)裸式LED芯片單元。采用該種封裝結(jié)構(gòu)的LED光源中實(shí)現(xiàn)了光色一致性、光線均勻和色溫可調(diào),但包裹式LED芯片單元制作工藝復(fù)雜,并且芯片頂端和側(cè)面發(fā)出的光均為白光,使得包裹式LED芯片單元所發(fā)出的白光再次經(jīng)過第二熒光層中間的熒光粉后,會發(fā)出一種偏黃或偏綠的混色光),降低了光品質(zhì),給使用者造成不適。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供的可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu)能有效解決光線二次經(jīng)過熒光層后偏光和光品質(zhì)下降的技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
一種可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu),包括封裝基板以及設(shè)置于封裝基板上的LED芯片,所述LED芯片包括第一LED芯片和第二LED芯片,所述第一LED芯片的上端面覆蓋有第一熒光層,還設(shè)有覆蓋在封裝基板和第二LED芯片上的第二熒光層,其中所述第一熒光層和第二熒光層的色溫不同。
進(jìn)一步的,所述第一LED芯片和第二LED芯片在所述封裝基板上均勻交錯排列。
進(jìn)一步的,所述第一LED芯片和第二LED芯片之間的距離不大于第一LED芯片或第二LED芯片尺寸的兩倍。
進(jìn)一步的,所述所述第二熒光層在封裝基板上的高度不低于第一LED芯片在封裝基板上的高度。
進(jìn)一步的,所述第一熒光層和第二熒光層在封裝基板上的厚度持平。
進(jìn)一步的,所述第二熒光層在封裝基板上的厚度不高于第一熒光層在封裝基板上的厚度。
本發(fā)明所述第一LED芯片向上端面的發(fā)出的光線穿過第一熒光層后射出并發(fā)出白光,第一LED芯片側(cè)面包圍有第二熒光層,第一LED芯片側(cè)面發(fā)出的光經(jīng)過第二熒光層后可獲得不同色溫的白光,第二LED芯片發(fā)出的光穿射過第二熒光層后射出并發(fā)出白光;避免所述第一LED芯片和第二LED芯片二次穿過熒光層,解決因偏光而導(dǎo)致的光品質(zhì)下降的問題;第一LED芯片和第二LED芯片底端的側(cè)面均被第二熒光層包裹,所述第一LED芯片周圍的第二熒光層起到保護(hù)第一LED芯片的作用,避免第一LED芯片和第二LED芯片底部的側(cè)面產(chǎn)生光線泄露的問題;第一LED芯片和第二LED芯片交錯均勻排列,發(fā)出的光線混合并得到均勻的光線,消除封裝基板上只有一種LED芯片時(shí)的光點(diǎn)效應(yīng)。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明所述可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu)的基本排布示意圖;
圖2為采用本發(fā)明所述可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu)的COB的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為采用本發(fā)明所述可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu)的SMD的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例和附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
下面結(jié)合附圖說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。
如圖1所示,本發(fā)明所述可調(diào)色溫的LED封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板1和設(shè)置在封裝基板1上的LED芯片2。所述LED芯片2包括第一LED芯片21和第二LED芯片22,第一LED芯片21和第二LED芯片22在封裝基板1上均勻交錯排列,所述第一LED芯片21與第二LED芯片22之間的距離不大于第一LED芯片21或第二LED芯片22尺寸的兩倍,發(fā)出的光色一致且混光均勻,獲得均勻的白光。
所述第一LED芯片21的上端面覆蓋有第一熒光層3,所述LED芯片22和封裝基板1上覆蓋有所述第二熒光層4,其中所述第一熒光層3和第二熒光層4的色溫不同,所述第二熒光層4在封裝基板1上的高度不低于第一LED芯片21在封裝基板1上的高度。作為優(yōu)選,所述第一熒光層3和第二熒光層4在封裝基板1上的厚度持平。
所述第一熒光層3和第二熒光層4的材料由透明硅膠和熒光粉混合而成,所述第一熒光層3和第二熒光層4中熒光粉在透明硅膠中的濃度不同,所得的第一熒光層3和第二熒光層4的色溫不同。
第一LED芯片21的上端面只覆蓋有第一熒光層3,第一LED芯片21向上發(fā)出的光經(jīng)過第一熒光層3后射出白光,第一LED芯片21側(cè)面發(fā)出的光經(jīng)過第二熒光層4后射出白光,所述第一LED芯片21向上射出的白光和側(cè)面所射出的白光的色溫不同,兩種色溫的白光混合可獲得另一種色溫的白光,消除了只有一種LED芯片時(shí)的光點(diǎn)效應(yīng),具有更優(yōu)良的照明效果。
第二LED芯片22上只包覆有第二熒光層4,第二LED芯片22發(fā)出的光線經(jīng)過第二熒光層4后射出白光,避免第一LED芯片21和第二LED芯片22發(fā)出的光線因二次經(jīng)過熒光層而偏色并導(dǎo)致光品質(zhì)下降。
實(shí)施例1
如圖2所示,實(shí)施例1為采用本發(fā)明所述LED封裝結(jié)構(gòu)的可調(diào)色溫COB,包括COB基板5、設(shè)置在COB基板5上的第一LED芯片21和第二LED芯片22,所述第一LED芯片21上端面覆蓋有第一熒光層3(圖中未示出),所述第二熒光層4覆蓋在COB基板5和第二LED芯片22上,其中所述第一熒光層3和第二熒光層4在COB基板5上的厚度持平,且所述第一熒光層3和第二熒光層4為不同的熒光材料,具有不同的色溫。當(dāng)?shù)谝籐ED芯片21和第二LED芯片22點(diǎn)亮?xí)r,第一LED芯片21向上發(fā)出的光經(jīng)過第一熒光層3后變?yōu)榘坠馍涑?,第一LED芯片21底部側(cè)面的光線和第二LED芯片22經(jīng)過第二熒光層4后變?yōu)榫哂胁煌珳氐陌坠夂笊涑?,形成兩種具有不同色溫的白光。
所述第一LED芯片21和第二LED芯片22均勻交錯地排列在COB基板5上,且所述第一LED芯片21和第二LED芯片22之間的距離為LED芯片2的兩倍,距離小,使所述第一LED芯片21和第二LED芯片22射出的光混光并產(chǎn)生均勻的光線,通過控制第一LED芯片21和第二LED芯片22具有各自獨(dú)立的驅(qū)動信號,可各自調(diào)節(jié)驅(qū)動信號的強(qiáng)度來調(diào)節(jié)所述第一LED芯片21和第二LED芯片22的色溫輸出比例,從而得到可調(diào)色溫的COB。
實(shí)施例2
如圖3所示,實(shí)施例2為采用本發(fā)明所述LED封裝結(jié)構(gòu)的可調(diào)色溫SMD,包括LED支架6,設(shè)置與LED支架6上的第一LED芯片21和第二LED芯片22,所述第一LED芯片21上覆蓋有第一熒光層3,還設(shè)有用于覆蓋第二LED芯片22和填充LED支架6凹槽的第二熒光層4,其中所述第一熒光層3和第二熒光層4的厚度不同,所述第一熒光層3和第二熒光層4在LED支架6上的高度持平。
本實(shí)施例中第一LED芯片21和第二LED芯片22分別連入LED支架6上不同驅(qū)動電路,對第一LED芯片21和第二LED芯片22輸入不同的驅(qū)動信號,獲得光色可調(diào)的SMD。
需要說明的是,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。