本發(fā)明屬于光伏設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種制備太陽(yáng)能電池的方法。
背景技術(shù)：
目前高效電池技術(shù)成為主流趨勢(shì)，PERC是目前商業(yè)化應(yīng)用中最重要的一種。PERC電池的流程一般為：清洗制絨(包括拋光)→擴(kuò)散→刻蝕→背鈍化加PECVD鍍膜→激光背部開(kāi)槽→印刷→燒結(jié)。對(duì)于常規(guī)電池制備，同樣都離不開(kāi)高溫?zé)Y(jié)這一個(gè)環(huán)節(jié)，然而高溫?zé)Y(jié)容易造成污染和少子壽命降低，而且，一般都是單純依靠漿料來(lái)燒穿減反射膜，從而實(shí)現(xiàn)電極制備，漿料中含有較多的揮發(fā)性有害物質(zhì)，也容易造成環(huán)境污染和人身危害。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種制備太陽(yáng)能電池的方法，能夠避免對(duì)電池片和環(huán)境的污染，減少電池片的缺陷，提高少子壽命和轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明提供的一種制備太陽(yáng)能電池的方法，包括對(duì)硅片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散、刻蝕、背鈍化和鍍膜，在所述背鈍化和鍍膜之后，還包括：
在所述硅片的正面開(kāi)槽，其中，所述硅片正面形成的開(kāi)槽圖形與絲網(wǎng)印刷的電極圖形相匹配；
在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料；
在700℃～750℃的溫度范圍內(nèi)，對(duì)所述漿料進(jìn)行燒結(jié)，得到正面電極。
優(yōu)選的，在上述制備太陽(yáng)能電池的方法中，
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
利用激光在所述硅片的正面開(kāi)槽。
優(yōu)選的，在上述制備太陽(yáng)能電池的方法中，
所述在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料為：
在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷低溫?zé)Y(jié)漿料。
優(yōu)選的，在上述制備太陽(yáng)能電池的方法中，
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
在所述硅片的正面開(kāi)設(shè)寬度范圍為35μm至45μm的槽。
優(yōu)選的，在上述制備太陽(yáng)能電池的方法中，
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
所述在所述硅片的正面開(kāi)設(shè)深度范圍為75nm至85nm的槽。
優(yōu)選的，在上述制備太陽(yáng)能電池的方法中，
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
在所述硅片的正面開(kāi)設(shè)100至110根細(xì)柵線以及3至5根主柵線。
通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明提供的上述制備太陽(yáng)能電池的方法，由于在所述背鈍化和鍍膜之后還包括：在所述硅片的正面開(kāi)槽，其中，所述硅片正面形成的開(kāi)槽圖形與絲網(wǎng)印刷的電極圖形相匹配；在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料；在700℃～750℃的溫度范圍內(nèi)，對(duì)所述漿料進(jìn)行燒結(jié)，得到正面電極，該工藝不需要大量含有玻璃體的常規(guī)漿料來(lái)燒穿SiNx，因此能夠避免對(duì)電池片和環(huán)境的污染，減少電池片的缺陷，提高少子壽命和轉(zhuǎn)換效率。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種制備太陽(yáng)能電池的方法的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的核心思想在于提供一種制備太陽(yáng)能電池的方法，能夠避免對(duì)電池片和環(huán)境的污染，減少電池片的缺陷，提高少子壽命和轉(zhuǎn)換效率。
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種制備太陽(yáng)能電池的方法如圖1所示，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種制備太陽(yáng)能電池的方法的示意圖。該方法包括如下步驟：
S1：對(duì)硅片進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散、刻蝕、背鈍化和鍍膜；
這些是制備PERC電池的常規(guī)步驟，具體的，利用制絨工藝在硅片表面形成金字塔結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)良的陷光效果，再擴(kuò)散形成PN結(jié)，然后刻蝕去除邊結(jié)、背結(jié)以及表面氧化層，然后在背面生長(zhǎng)氧化鋁鈍化層和氮化硅疊層結(jié)構(gòu)。
S2：在所述硅片的正面開(kāi)槽，其中，所述硅片正面形成的開(kāi)槽圖形與絲網(wǎng)印刷的電極圖形相匹配；
需要說(shuō)明的是，常規(guī)的氮化硅薄膜具有較高的穩(wěn)定性，現(xiàn)有技術(shù)中單純靠漿料將這種氮化硅薄膜燒穿，溫度較高，設(shè)定溫度達(dá)到900℃，而且是片子整體都要經(jīng)過(guò)高溫，而采用這種高溫處理的方式會(huì)對(duì)硅片造成損傷，增加缺陷，降低少子壽命，降低電池效率。本實(shí)施例事先開(kāi)槽，開(kāi)槽圖形與產(chǎn)線絲網(wǎng)印刷圖像匹配一致。在這種情況下，由于電極接觸位置已經(jīng)沒(méi)有氮化硅，而銀硅合金相溫度為840℃，這樣就可以降低燒結(jié)溫度100℃左右，這有利于避免硅片的損傷。
S3：在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料；
需要說(shuō)明的是，既然上一步驟已經(jīng)事先開(kāi)槽，那么該步驟就可以采用不含有燒穿氮化硅薄膜的物質(zhì)的漿料，減少對(duì)硅片的損傷，也避免引入更多雜質(zhì)。
S4：在700℃～750℃的溫度范圍內(nèi)，對(duì)所述漿料進(jìn)行燒結(jié)，得到正面電極。
需要說(shuō)明的是，正是由于事先開(kāi)槽，因此可以在更低的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行燒結(jié)，避免高溫帶來(lái)的負(fù)面影響。
通過(guò)上述描述可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述第一種制備太陽(yáng)能電池的方法，由于在所述背鈍化和鍍膜之后還包括：在所述硅片的正面開(kāi)槽，其中，所述硅片正面形成的開(kāi)槽圖形與絲網(wǎng)印刷的電極圖形相匹配；在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料；在700℃～750℃的溫度范圍內(nèi)，對(duì)所述漿料進(jìn)行燒結(jié)，得到正面電極，該工藝不需要大量含有玻璃體的常規(guī)漿料來(lái)燒穿SiNx，因此能夠避免對(duì)電池片和環(huán)境的污染，減少電池片的缺陷，提高少子壽命和轉(zhuǎn)換效率。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種制備太陽(yáng)能電池的方法，是在上述第一種制備太陽(yáng)能電池的方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：
在上述制備太陽(yáng)能電池的方法中，
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
利用激光在所述硅片的正面開(kāi)槽。
需要說(shuō)明的是，利用激光對(duì)正面的減反射薄膜進(jìn)行誘導(dǎo)性開(kāi)槽，為后面工序的絲網(wǎng)印刷提供一個(gè)漿料填充的區(qū)域，從而可以替代高溫?zé)p反射膜的技術(shù)，與產(chǎn)線工藝匹配好，適合規(guī)模量產(chǎn)。通過(guò)激光開(kāi)槽，為漿料提供了一種束縛，提高了漿料縱向連續(xù)性，降低斷柵概率。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第三種制備太陽(yáng)能電池的方法，是在上述第一種制備太陽(yáng)能電池的方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：
所述在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料為：
在所述開(kāi)槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷低溫?zé)Y(jié)漿料。
需要說(shuō)明的是，這里所用的低溫?zé)Y(jié)漿料，可以不含有用于燒穿SiNx的玻璃體。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第四種制備太陽(yáng)能電池的方法，是在上述第二種制備太陽(yáng)能電池的方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
在所述硅片的正面開(kāi)設(shè)寬度范圍為35μm至45μm的槽。
需要說(shuō)明的是，開(kāi)設(shè)出這種寬度范圍的槽之后，就能夠保證打開(kāi)SiNx減反射膜保護(hù)層。便于后續(xù)流程中在其中制作電極。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第五種制備太陽(yáng)能電池的方法，是在上述第四種制備太陽(yáng)能電池的方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
所述在所述硅片的正面開(kāi)設(shè)深度范圍為75nm至85nm的槽。
需要說(shuō)明的是，這種深度能夠保證完全去除電極位置的SiNx減反射膜，保證其不會(huì)影響后續(xù)電極的制作。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第六種制備太陽(yáng)能電池的方法，是在上述第一種至第五種制備太陽(yáng)能電池的方法中任一種的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：
所述在所述硅片的正面開(kāi)槽為：
在所述硅片的正面開(kāi)設(shè)100至110根細(xì)柵線以及3至5根主柵線。
需要說(shuō)明的是，開(kāi)槽具體參數(shù)可根據(jù)擴(kuò)散方阻適當(dāng)調(diào)整。本方案基于方阻值為95±5ohm/□的電池片，若方阻升高則細(xì)柵根數(shù)增加，反之則減少。
綜上所述，利用上述方法可以實(shí)現(xiàn)激光開(kāi)槽正面打開(kāi)電極接觸通道，再結(jié)合低溫漿料實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)工藝。
對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。