技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種制備太陽能電池的方法，包括對硅片進行清洗制絨、擴散、刻蝕、背鈍化和鍍膜，在所述背鈍化和鍍膜之后，還包括：在所述硅片的正面開槽，其中，所述硅片正面形成的開槽圖形與絲網(wǎng)印刷的電極圖形相匹配；在所述開槽圖形內(nèi)絲網(wǎng)印刷漿料；在700℃～750℃的溫度范圍內(nèi)，對所述漿料進行燒結(jié)，得到正面電極。本申請?zhí)峁┑纳鲜鲋苽涮柲茈姵氐姆椒ǎ軌虮苊鈱﹄姵仄铜h(huán)境的污染，減少電池片的缺陷，提高少子壽命和轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：郝彥磊;?？怂埂に沟俜?張昕宇;金浩;劉長明
受保護的技術(shù)使用者：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
文檔號碼：201611085961
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.01.25