本發(fā)明屬于發(fā)光二極管(LED)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種白光LED封裝器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(LED)因具有高光效、壽命長和無毒綠色等諸多優(yōu)點，逐步進入主流照明市場，在隧道照明、景觀照明、溫室采光和室內(nèi)照明等領(lǐng)域得到了越來越多的應(yīng)用。

當(dāng)今，LED封裝的市場主流是采用PLCC支架式封裝，其封裝結(jié)構(gòu)包括銅片、塑膠，其中，塑膠加工成碗杯狀支架，通常還在碗杯的底部做銀表面處理以增強反射，提高封裝效率。但是，PLCC支架式封裝存在以下缺陷：

(1)機械強度低；

(2)外界的污染物易滲入碗杯內(nèi)的有機硅膠和底部的間隙，從而易造成鍍銀腐蝕；

(3)鍍銀層還需兼顧考慮防硫化，存在不少難題，比如，若鍍銀層采用防硫保護層，防硫效果較好，但是成本高、點涂工藝難度大；若采用高硬度硅膠，防硫效果一般，易造成金線斷裂；若鍍銀層采用白色硅膠，防硫效果較好，但是加工工藝難度大。

基于LED市場的巨大潛力，為了更好地適應(yīng)白光LED燈具的市場需求，國內(nèi)外許多從業(yè)者一直沒有停止對LED產(chǎn)品進行相關(guān)的研究，比如：

(1)申請?zhí)枮?01110359944.4的中國專利公開了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其反射杯，其在側(cè)壁和底部制作有金屬反光層，但是其存在PLCC支架式封裝所存在的諸多弊端；

(2)申請?zhí)枮?01410020728的中國專利公開了一種使用低反光的黑色EMC塑封材料達到高反光效果的LED封裝工藝，即在黑色EMC支架材料表面直接增加一層反光材料，該封裝工藝可使得黑色EMC材料能夠?qū)崿F(xiàn)較高的出光效率，但是很明顯，其制造工藝難度也較大；

(3)申請?zhí)枮?01310339703.2的中國專利公開了一種發(fā)光二極管的封裝工藝，支架底板上涂覆反光的涂層，并作為固晶膠，雖然本專利可以提高防硫化效果、出光效率，但是其制造工藝難度依舊很大，封裝效率不高；

(4)申請?zhí)枮?01020700819.6的中國專利公開了一種防止硫化的貼片LED，其在熒光膠表面增加了防硫化層，從而有效地提高了產(chǎn)品防硫化效果，但是會降低出光效率；

(5)申請?zhí)枮閁S 2013/0285082的美國專利公開了在倒裝LED芯片的周圍制作一個反光杯，以實現(xiàn)更高的出光效率和更低的制備成本，但是其所述的反光杯為塑膠，且無基板，存在機械強度不高、防硫化效果不佳等諸多問題；

(6)申請?zhí)枮閁S 2013/0029439的美國專利公開了一種倒裝LED芯片的制備方法，其先將發(fā)光芯片放在一個臨時載板上，四周設(shè)置擋板，點涂熒光膠后再刮平，并切割成單顆，本專利所述的制備工藝存在底部焊盤電極極易污染等諸多問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

首先，為了便于理解本發(fā)明，先對以下名詞作相應(yīng)的解釋：

B-stage：指樹脂和固化劑發(fā)生反應(yīng)，形成一種半固化的固體。

本發(fā)明為彌補現(xiàn)有技術(shù)的不足，一方面提供了一種白光LED封裝器件，其封裝出光效率高，防硫化效果佳，機械強度高，有利于在提高產(chǎn)品質(zhì)量的基礎(chǔ)上降低制備成本。

本發(fā)明為達到其目的，采用的技術(shù)方案如下：

一種白光LED封裝器件，其特征在于：

包括有藍光LED芯片、光轉(zhuǎn)換層、銅片、以及在初始B-stage狀態(tài)下熱固化疊合于所述銅片上的反射片；所述反射片由白色反光材料制成，所述反射片呈碗杯狀；所述藍光LED芯片置于所述反射片的杯底，所述光轉(zhuǎn)換層包覆于所述藍光LED芯片上。

進一步的，該白光LED封裝器件還包括有絕緣體，所述絕緣體將所述銅片分割成正負(fù)極區(qū)。

進一步的，所述反射片的底部開設(shè)有兩個通孔。

進一步的，所述藍光LED芯片為正裝LED芯片，所述藍光LED芯片通過分別貫穿兩個所述通孔的兩根金線分別與所述銅片的正負(fù)極區(qū)連接。

進一步的，所述藍光LED芯片為倒裝LED芯片，所述藍光LED芯片的焊盤對準(zhǔn)兩個所述通孔以分別直接與所述銅片的正負(fù)極區(qū)連接。

進一步的，所述光轉(zhuǎn)換層為熒光膠層。

本發(fā)明另一個方面提供了一種白光LED封裝器件的制備方法，與傳統(tǒng)工藝相比，其制備工藝步驟少，加工簡單易行，有利于提高制備效率和降低制備成本，其特征在于，包括以下步驟：

S1：將由白色反光材料制成的B-stage狀態(tài)下的反射片設(shè)成碗杯狀，然后將藍光LED芯片置于所述反射片的杯底；

S2：將所述反射片疊合于銅片上，二者熱固化成型連接成一體；

S3：將熒光膠填覆于所述反射片的碗杯中，加熱固化，使所述熒光膠固化為光轉(zhuǎn)換層；

S4：切割成單顆的白光LED封裝器件。

進一步的，所述步驟S1中，所述反射片設(shè)成碗杯狀后，在所述反射片的底部開設(shè)有兩個通孔；所述步驟S2中，所述銅片預(yù)先通過腐蝕、填充絕緣體分隔成正負(fù)極區(qū)。

進一步的，所述步驟S1中，所述藍光LED芯片選擇為正裝LED芯片；所述步驟S2中，使用兩根金線分別貫穿兩個所述通孔，以將所述藍光LED芯片分別與所述銅片的正負(fù)極區(qū)連接。

進一步的，所述步驟S1中，所述藍光LED芯片選擇為倒裝LED芯片；所述步驟S2中，所述藍光LED芯片的焊盤對準(zhǔn)兩個所述通孔，并分別直接與所述銅片的正負(fù)極區(qū)連接。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益技術(shù)效果：

(1)本發(fā)明提供的一種白光LED封裝器件，將B-stage狀態(tài)下的反射片(由白色反光材料制成)與銅片熱固化疊合在一起，然后直接將藍光LED芯片置于反射片的碗杯內(nèi)，最后用光轉(zhuǎn)換層封裝成品，即本發(fā)明采用B-stage狀態(tài)的反射片來加工制作成LED支架，從而有效地提高了LED封裝的防硫化效果和封裝出光效率，保證具有足夠的機械強度，且藍光LED芯片的電極不會遭受外界異物污染，進而提高了產(chǎn)品的質(zhì)量。

(2)本發(fā)明提供的一種白光LED封裝器件，屬于一種新型的封裝形式，其與SMD相比，體積更小，重量更輕，可直接安裝在PCB板上，非常適用于薄型電子產(chǎn)品的組裝。

(3)相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的一種白光LED封裝器件制備方法將LED支架的設(shè)計制作與LED封裝工藝結(jié)合起來，省去了傳統(tǒng)的PLCC支架式封裝的諸多工藝步驟，制備工藝更加簡單，易于加工，有利于在提高產(chǎn)品質(zhì)量的同時降低制備成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述的一種白光LED封裝器件(藍光LED芯片為正裝LED芯片)的制備流程示意圖；

圖2為本發(fā)明所述的另一種白光LED封裝器件(藍光LED芯片為倒裝LED芯片)的制備流程示意圖。

附圖標(biāo)記：

100(或200)、白光LED封裝器件；101(或201)、藍光LED芯片；102、光轉(zhuǎn)換層；103、銅片；104、反射片；1041、通孔；105、絕緣體；106、金線。

具體實施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于此描述的其他方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。

實施例1

如圖1所示，本實施例公開了一種白光LED封裝器件100，包括有藍光LED芯片101、光轉(zhuǎn)換層102、銅片103、以及在初始B-stage狀態(tài)下熱固化疊合于銅片103上的反射片104，即銅片103與反射片104的底部通過熱固化作用疊合在一起。反射片104由白色反光材料制成，其中，白色反光材料主要由有機硅樹脂或環(huán)氧樹脂作為基材，并添加TiO₂(作為反射材料)、SiO₂(作為增強材料)而制成，使得反射片104具有粘接、反射等作用，其白光區(qū)域的反射率可以控制高達95％以上；反射片104呈碗杯狀，藍光LED芯片101固定置于反射片104的杯底；光轉(zhuǎn)換層102包覆于藍光LED芯片101上，以起到光轉(zhuǎn)換的作用，其中，藍光LED芯片101和光轉(zhuǎn)換層102二者的表面互相粘接。

在本實施例中，該白光LED封裝器件還包括有絕緣體105，絕緣體105將銅片103分割成正負(fù)極區(qū)。注意的是，銅片103需要先通過腐蝕作用分割成正負(fù)極兩個區(qū)，然后再填充絕緣體105，以使得銅片103在分割成正負(fù)極區(qū)的同時又能連成一體。

在本實施例中，反射片104的底部開設(shè)有兩個通孔1041，用于打線。

在本實施例中，藍光LED芯片101選擇為正裝LED芯片，通過正裝的焊線技術(shù)，使得藍光LED芯片101通過分別貫穿兩個通孔1041的兩根金線106分別與銅片103的正負(fù)極區(qū)連接。

在本實施例中，光轉(zhuǎn)換層102為熒光膠層。但是，本發(fā)明并不限于此，光轉(zhuǎn)換層102還可以由其它光轉(zhuǎn)換材料制成，均為本發(fā)明的等效保護范圍。

本實施例還公開了白光LED封裝器件100的一種制備方法，該制備方法的簡略流程如圖1所示，其包括以下步驟：

S1：將由白色反光材料制成的B-stage狀態(tài)下的反射片104設(shè)成碗杯狀，然后將藍光LED芯片101置于反射片104的杯底；

S2：將反射片104疊合于銅片103上，二者熱固化成型連接成一體；

S3：將熒光膠填覆于反射片104的碗杯中，加熱固化，使熒光膠固化為光轉(zhuǎn)換層102；

S4：切割成單顆的白光LED封裝器件。

其中，所述步驟S1中，反射片104設(shè)成碗杯狀后，在反射片104的底部開設(shè)有兩個用于打線的通孔1041；所述步驟S2中，銅片103預(yù)先通過腐蝕、填充絕緣體105分隔成正負(fù)極區(qū)，再將反射片104疊合于銅片103上。

其中，所述步驟S1中，藍光LED芯片101選擇為正裝LED芯片；所述步驟S2中，使用兩根金線107分別貫穿兩個通孔1041，以將藍光LED芯片101分別與銅片103的正負(fù)極區(qū)連接。

實施例2

本實施例公開了另一種白光LED封裝器件200，如圖2所示，在結(jié)構(gòu)上，其與實施例1所述的白光LED封裝器件100的不同之處在于：

在本實施例中，藍光LED芯片201選擇為倒裝LED芯片，藍光LED芯片201的焊盤對準(zhǔn)兩個通孔1041以分別直接與銅片103的正負(fù)極區(qū)連接。

本實施例還公開了白光LED封裝器件200的一種制備方法，該制備方法的簡略流程如圖2所示，其與實施例1所述的白光LED封裝器件100的制備方法的不同之處在于：

所述步驟S1中，藍光LED芯片201選擇為倒裝LED芯片；所述步驟S2中，藍光LED芯片201的焊盤對準(zhǔn)兩個通孔1041，并分別直接與銅片103的正負(fù)極區(qū)連接。

本實施例所述的白光LED封裝器件200的其它結(jié)構(gòu)、其它制備方法與實施例1完全相同，在此不再贅述。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明做任何形式上的限制，故凡未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。