技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法包含在半導(dǎo)體基底上形成介電層。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法還包含在介電層內(nèi)形成開口。介電層的第一部分的介電常數(shù)小于介電層圍繞開口的第二部分的介電常數(shù)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法還包含在開口內(nèi)形成導(dǎo)電特征部件。第二部分位于第一部分與導(dǎo)電特征部件之間。再者，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法包含將第一部分的上部改質(zhì)，以增加第一部分的上部的介電常數(shù)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法也包含去除第一部分的上部及第二部分。由本公開的一些實(shí)施例的方法形成的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的裝置性能及可靠度可顯著地提升。

技術(shù)研發(fā)人員：陳建華;楊岱宜;莊正吉;吳佳典;林天祿;包天一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.15
技術(shù)公布日：2017.09.19