技術(shù)編號(hào)：11262703
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及具有包含空隙的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(integratedcircuit，IC)產(chǎn)業(yè)已歷經(jīng)了快速的成長。集成電路材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)的進(jìn)步造成集成電路世代的產(chǎn)生，每一世代的電路比前一世代更小且更復(fù)雜。在集成電路的發(fā)展過程中，通常增加了功能密度(即，每單位晶片面積所內(nèi)連接的裝置的數(shù)量)，卻降低了幾何尺寸(即，工藝中所能制造出的最小元件)。尺寸縮小所帶來的好處通常包含提高生產(chǎn)效率及降低相關(guān)成本。然而，上述發(fā)展增加了加工及制造集成電...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。