本發(fā)明涉及一種生瓷片去膜裝置及方法。

背景技術(shù)：

生瓷片是LTCC(低溫共燒陶瓷)工藝中最關(guān)鍵的原材料，其厚度小、質(zhì)地軟，在加工過程中很容易發(fā)生變形甚至損壞，所以生瓷片流延時粘附在一層聚酯膜上，聚酯膜柔軟有韌性，強度較大，用于保持生瓷片在運輸、加工過程中不變形。

LTCC工藝分為帶膜工藝和不帶膜工藝：

在帶膜工藝中，生瓷片在沖孔、填孔和絲網(wǎng)印刷工藝中一直帶著聚酯膜，聚酯膜保持生瓷片不發(fā)生變形。生瓷片經(jīng)過沖孔、填孔和絲網(wǎng)印刷電路圖形之后，下一步進行疊片工藝，在疊片之前需要將生瓷片背面的聚酯膜去掉。在不帶膜工藝中，生瓷片在沖孔之前就需要將聚酯膜去掉，為了保持生瓷片在加工過程中不發(fā)生變形，通常將去掉聚酯膜的生瓷片固定在一個圍框上，圍框的作用是保持生瓷片在運輸和加工過程中不變形。

然而，無論是帶膜工藝還是不帶膜工藝，都需要去除生瓷片背面的聚酯膜。

普通的去除聚酯膜的方法為在自由狀態(tài)下從生瓷片的一角分離聚酯膜，沿對角線方向緩慢將聚酯膜和生瓷片分開。然而，上述去除聚酯膜的方法具有如下缺點：

生瓷片會被拉扯彎曲，容易導(dǎo)致尺寸變化，在后續(xù)的疊片過程中層與層之間難以對準；另外，聚酯膜和生瓷片分離過程中會產(chǎn)生靜電，由于靜電的影響，在后續(xù)的疊片對準過程中生瓷片之間由于靜電吸引，難以對其位置進行微調(diào)，降低疊片效率和精度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種生瓷片去膜裝置，以保持生瓷片在去膜時不會發(fā)生變形。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種生瓷片去膜裝置，包括真空吸盤、流體控制閥和真空發(fā)生裝置；在真空吸盤的下表面下方設(shè)有一個與所述真空吸盤的下表面連通的密封腔體；該密封腔體通過管路與流體控制閥連接，流體控制閥通過管路與真空發(fā)生裝置連接。

優(yōu)選地，真空吸盤的上表面平整。

優(yōu)選地，真空吸盤為微孔真空吸盤。

優(yōu)選地，真空吸盤是由陶瓷材料或金屬材料制成的。

優(yōu)選地，所述去膜裝置還包括真空吸盤放置平臺，在真空吸盤放置平臺上設(shè)有形狀、大小與所述真空吸盤相適應(yīng)的凹槽，且當真空吸盤置于凹槽內(nèi)時，在真空吸盤的下表面與凹槽的底部表面之間形成所述密封腔體。

優(yōu)選地，真空吸盤的形狀與生瓷片的形狀相同，且真空吸盤的平面尺寸大于或等于生瓷片的平面尺寸。

優(yōu)選地，所述去膜裝置還包括用于消除生瓷片表面靜電的消除靜電毛刷，該消除靜電毛刷通過金屬導(dǎo)線接地。

本發(fā)明的另一個目的在于提出一種生瓷片去膜方法，該方法采用上述一種生瓷片去膜裝置，其技術(shù)方案如下：

a將生瓷片平放在真空吸盤的上表面，使粘附有聚酯膜的一面朝上，調(diào)整生瓷片的位置使其與真空吸盤的上表面對準；

b打開真空發(fā)生裝置、并開啟流體控制閥，生瓷片被吸附在真空吸盤的上表面；

c從生瓷片的一角分離聚酯膜，沿對角線方向?qū)⒕埘ツず蜕善珠_；

d關(guān)閉流體控制閥，取下生瓷片。

通過上述方法，可以保持生瓷片在去膜過程中不會發(fā)生變形。

當然，本發(fā)明還提出了一種生瓷片去膜方法，該方法作為對上述方法的進一步改進，其技術(shù)方案具體如下：

a將生瓷片平放在真空吸盤的上表面，使粘附有聚酯膜的一面朝上，調(diào)整生瓷片的位置使其與真空吸盤的上表面對準；

b打開真空發(fā)生裝置、并開啟流體控制閥，生瓷片被吸附在真空吸盤的上表面；

c從生瓷片的一角分離聚酯膜，沿對角線方向?qū)⒕埘ツず蜕善珠_；

d將消除靜電毛刷與生瓷片接觸并沿平行于生瓷片表面的方向往復(fù)運動，以去除靜電；

e關(guān)閉流體控制閥，取下生瓷片。

通過上述方法，可以在去除生瓷片表面聚酯膜的同時，有效去除生瓷片表面的靜電。

本發(fā)明具有如下優(yōu)點：

本發(fā)明中的生瓷片去膜裝置及方法將生瓷片真空吸附在真空吸盤的上表面上，去除聚酯膜時生瓷片不會發(fā)生變形現(xiàn)象，因此生瓷片的尺寸不會改變，有利于提高疊片時的對準精度；另外，生瓷片去除聚酯膜時會產(chǎn)生靜電，本發(fā)明使用消除靜電毛刷將生瓷片上的靜電導(dǎo)走，疊片時生瓷片之間不會由于靜電吸引而難以調(diào)整位置，提高疊片效率和精度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中一種生瓷片去膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1中真空吸盤放置平臺的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例2中一種生瓷片去膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例3中一種生瓷片去膜方法的流程示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例4中一種生瓷片去膜方法的流程示意圖。

其中，1-真空吸盤，2-流體控制閥，3-真空發(fā)生裝置，4-密封腔體，5-聚酯膜，6-生瓷片，7-真空吸盤放置平臺，8-凹槽，9-消除靜電毛刷。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖以及具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細說明：

實施例1

結(jié)合圖1所示，一種生瓷片去膜裝置，包括真空吸盤1、流體控制閥2和真空發(fā)生裝置3。在真空吸盤1的下表面下方設(shè)有一個與真空吸盤1的下表面連通的密封腔體4。該密封腔體4通過管路A與流體控制閥2連接，流體控制閥2通過管路B與真空發(fā)生裝置3連接。

通過上述設(shè)計，可以保證生瓷片6能夠被吸附在真空吸盤1的上表面。

具體的，如圖2所示，去膜裝置還包括真空吸盤放置平臺7，在真空吸盤放置平臺7上設(shè)有形狀、大小與所述真空吸盤相適應(yīng)的凹槽8，且當真空吸盤置于凹槽8內(nèi)時，在真空吸盤1的下表面與凹槽的底部表面之間形成密封腔體4。

當然，以上舉例僅僅給出了本實施例1的一種較佳實施方案，本實施例1中的密封腔體4并不限于采用上述結(jié)構(gòu)形式。

真空吸盤1可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已有的微孔真空吸盤。真空吸盤1是由陶瓷材料或金屬材料制成的。真空吸盤1的上表面平整，以便與生瓷片6實現(xiàn)良好的接觸。

此外，真空吸盤1的形狀與生瓷片6的形狀相同，且真空吸盤1的平面尺寸大于或等于生瓷片6的平面尺寸。例如：

將一塊平面尺寸為203mm×203mm的生瓷片6附著在聚酯膜5上時，若需要將生瓷片6與聚酯膜5分離，可以準備一塊平面尺寸為205mm×205mm的真空吸盤1。

本實施例1中的裝置可以保證在去除聚酯膜5的過程中，生瓷片6始終被吸附在真空吸盤1的上表面而不會發(fā)生變形，因此尺寸不會改變，利于提高疊片時對準精度。

實施例2

結(jié)合圖3所示，本實施例2除以下技術(shù)特征與對比文件1不同之外，其余技術(shù)特征均可參照上述實施例1。

本實施例2中的去膜裝置還包括消除靜電毛刷9，在去除聚酯膜5后，用于消除生瓷片6表面產(chǎn)生的靜電，利于提高疊片效率和精度。

具體的，消除靜電毛刷9通過金屬導(dǎo)線C接地。

實施例3

結(jié)合圖4所示，本實施例3述及了一種生瓷片去膜方法，該方法基于上述實施例1中的生瓷片去膜裝置，其包括如下步驟：

a將生瓷片6平放在真空吸盤1的上表面，使粘附有聚酯膜5的一面朝上，調(diào)整生瓷片6的位置使其與真空吸盤1的上表面對準；

b打開真空發(fā)生裝置3、并開啟流體控制閥2，生瓷片6被吸附在真空吸盤1的上表面；

c從生瓷片6的一角分離聚酯膜5，沿對角線方向?qū)⒕埘ツず蜕善珠_；

d關(guān)閉流體控制閥2，取下生瓷片6。

通過上述方法，可以保持生瓷片6在去膜過程中不會發(fā)生變形。

在取下生瓷片6后，在進行疊片之前利用工具消除生瓷片6表面產(chǎn)生的靜電。

實施例4

結(jié)合圖5所示，本實施例4述及了一種生瓷片去膜方法，該方法基于上述實施例2中的生瓷片去膜裝置，其包括如下步驟：

a將生瓷片6平放在真空吸盤1的上表面，使粘附有聚酯膜5的一面朝上，調(diào)整生瓷片6的位置使其與真空吸盤1的上表面對準；

b打開真空發(fā)生裝置3、并開啟流體控制閥2，生瓷片6被吸附在真空吸盤1的上表面；

c從生瓷片6的一角分離聚酯膜5，沿對角線方向?qū)⒕埘ツず蜕善珠_；

d將消除靜電毛刷9與生瓷片接觸并沿平行于生瓷片表面的方向往復(fù)運動，以去除生瓷片表面的靜電；

e關(guān)閉流體控制閥2，取下生瓷片6。

通過上述方法，可以保持生瓷片6在去膜過程中不會發(fā)生變形；與此同時，還可以去除生瓷片6表面產(chǎn)生的靜電，綜合提高疊片的效率和精度。

當然，以上說明僅僅為本發(fā)明的較佳實施例，本發(fā)明并不限于列舉上述實施例，應(yīng)當說明的是，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本說明書的教導(dǎo)下，所做出的所有等同替代、明顯變形形式，均落在本說明書的實質(zhì)范圍之內(nèi)，理應(yīng)受到本發(fā)明的保護。