背景技術：

本公開涉及一種用于制造半導體器件的系統，例如，涉及一種用于將膠帶膜附著到基底的層疊裝置和一種用該裝置制造半導體器件的系統。

近來，正在使用更大尺寸的晶片來從晶片獲得更多半導體芯片。例如，大尺寸晶片的使用可以提高半導體制造工藝的生產率。然而，應該謹慎處理大尺寸晶片，因為它可能易受沖擊和/或震動的影響。例如，在對晶片執(zhí)行切割工藝前可以將膠帶膜附著到晶片上以保護晶片和/或切割的芯片裸片。然后通過鋸或激光束將晶片切成多個芯片裸片。膠帶膜的使用可以有利于防止晶片和芯片裸片在切割工藝的過程中滑動或跳動或者有利于減少這樣的事件。

技術實現要素：

發(fā)明構思的示例性實施例提供了一種層疊裝置和一種用該層疊裝置制造半導體器件的系統，該層疊裝置配置為在沒有保護凸起的層的情況下將膠帶膜附著到基底。

發(fā)明構思的示例性實施例提供了一種層疊裝置和一種用該層疊裝置制造半導體器件的系統，該層疊裝置配置為沒有氣泡地將膠帶膜附著到基底上。

根據發(fā)明構思的示例性實施例，一種層疊裝置可以包括：第一殼體；基底支架，設置在第一殼體中并且布置為容置基底；膜支架，設置在第一殼體上并且布置為支撐膠帶膜；第一空氣去除單元，連接到第一殼體。第一空氣去除單元可以被布置成去除第一殼體中的空氣以將膠帶膜附著到基底。

根據發(fā)明構思的示例性實施例，一種制造半導體器件的系統可以包括：封裝裝置，配置為將多個凸起附著到基底的第一表面；層疊裝置，配置為將膠帶膜附著到基底的面對第一表面的第二表面；切割裝置，配置為將附著到膠帶膜的基底切割成多個裸片。層疊裝置可以包括：第一殼體；基底支架，設置在第一殼體中并且配置為容置基底；膜支架，設置在第一殼體上并且配置為支撐膠帶膜；第一空氣去除單元，連接到第一殼體。第一空氣去除單元可以配置為去除第一殼體中的空氣以將膠帶膜附著到基底的第二表面。

根據發(fā)明構思的示例性實施例，層疊裝置可以包括：腔室；基底支架，設置在腔室中并且配置為容置基底；膜支架，設置在基底支架上并且配置為支撐膠帶膜；第一空氣去除單元，連接到腔室。第一空氣去除單元可以配置為去除在基底與膠帶膜之間的空氣從而將膠帶膜附著到基底。

根據發(fā)明構思的示例性實施例，層疊裝置可以包括：腔室，形成在下殼體和位于下殼體上的上殼體中；基底支架，設置在下殼體中并且布置為容置基底；膜支架，設置在下殼體與上殼體之間，膜支架配置為支撐膠帶膜；第一空氣去除單元，連接到下殼體，第一空氣去除單元配置為從下殼體去除空氣從而將膠帶膜附著到基底。

根據特定實施例，一種半導體器件制造裝置可以包括：腔室；基底支架，設置在腔室中并且布置為容置基底；膜支架，設置在腔室中并且布置為支撐膠帶膜；第一空氣去除單元，連接到腔室。第一空氣去除單元可以配置為去除從腔室去除空氣并降低基底與膠帶膜之間的氣壓。

附圖說明

圖1是示意性示出根據發(fā)明構思的特定示例性實施例的制造半導體器件的系統的圖。

圖2是示出圖1的封裝裝置的示例性實施例的剖視圖。

圖3是示出圖1的層疊裝置的示例性實施例的剖視圖。

圖4是示出圖3的基底支架的示例性實施例的透視圖。

圖5是示出圖3的基底支架的示例性實施例的透視圖。

圖6是示出圖3的將膠帶膜附著到基底的工藝的剖視圖。

圖7是示出圖1的層疊裝置的示例性實施例的剖視圖。

圖8是示出圖7的基底支架、膜支架、隔膜和膜擠壓單元的透視圖。

圖9是示出圖1的切割裝置的示例性實施例的剖視圖。

圖10是示出在切割工藝中可能在圖9中由基底與膠帶膜之間的氣泡引起的工藝故障的示例性實施例的剖視圖。

圖11是示出圖1的撿取裝置的示例性實施例的剖視圖。

具體實施方式

圖1是示意性示出根據發(fā)明構思的特定示例性實施例的制造半導體器件的系統100的圖。

參照圖1，制造系統100可以配置為加工基底。在特定示例性實施例中，制造系統100可以配置為對基底執(zhí)行封裝工藝和切割工藝。例如，制造系統100可以包括封裝裝置200、層疊裝置300、切割裝置400和撿取裝置500。封裝裝置200可以配置為執(zhí)行封裝工藝。例如，封裝裝置200可以配置為對基底W(例如，見圖2)執(zhí)行晶片級封裝工藝。層疊裝置300可以配置為將膠帶膜120(例如，見圖3)附著到基底W上。切割裝置400可以配置為對基底W執(zhí)行切割工藝。通過切割工藝可以將基底W分為多個芯片裸片CD(例如，見圖9)。撿取裝置500可以配置為將芯片裸片CD中的每個傳送到外部(例如，切割裝置400的外部)。

圖2是示出圖1的封裝裝置200的示例性實施例的剖視圖。

參照圖2，封裝裝置200可以包括包含焊鐵210的焊接設備。封裝裝置200可以配置為在基底W的頂表面上形成凸起110。焊鐵210可以用來將凸起110結合到基底W的頂表面上。在特定示例性實施例中，凸起110可以結合到基底W的底表面。凸起110可以連接到設置在基底W中的導線和/或電極。例如，凸起110可以連接到硅通孔(TSV)。

圖3是示出圖1的層疊裝置300的示例性實施例的剖視圖。

參照圖3，層疊裝置300可以配置為執(zhí)行將膠帶膜120附著到基底W的底表面(例如，與凸起110形成在其上的表面相對的表面)的層疊工藝。在一些描述中，基底的相對的表面可以被稱為第一表面和第二表面，那些提及的表面中的一個具有凸起110，那些提及的表面中的另一個是平坦的。膠帶膜120可以包括切割膜。膠帶膜120可以附著到基底W的底表面(例如，與凸起110形成在其上的表面相對的平坦表面)。在特定示例性實施例中，層疊裝置300可以包括腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344。當執(zhí)行層疊工藝時，基底W和膠帶膜120可以設置在腔室310中。響應于從第一空氣排放單元342施加的抽吸壓力，膠帶膜120可以接觸基底W的底表面。

腔室310可以配置為將基底W和膠帶膜120與外部環(huán)境隔離。膠帶膜120可以設置為靠近腔室310的中心區(qū)域?；譝可以設置在膠帶膜120下方。在特定示例性實施例中，腔室310可以由下殼體312和上殼體314形成，并且可以包括由下殼體312和上殼體314包封的空間。

下殼體312可以設置在上殼體314下方。當執(zhí)行層疊工藝時，下殼體312和上殼體314可以彼此結合。當在層疊工藝之后將基底W和膠帶膜120從腔室310卸載時，下殼體312和上殼體314可以彼此分離。基底W可以設置在下殼體312中。膠帶膜120可以設置在下殼體312上。下殼體312可以具有第一空氣出口341。例如，第一空氣出口341可以被設置為穿透下殼體312的底部。第一空氣出口341可以連接到第一空氣排放單元342。

上殼體314可以設置在膠帶膜120上和/或在膠帶膜120上方。膠帶膜120可以設置在下殼體312與上殼體314之間。膠帶膜120和膜支架330可以被設置為將腔室310的內部空間分為兩個豎直分開的區(qū)域(例如，上區(qū)域和下區(qū)域)。上殼體314可以具有第二空氣出口343。第二空氣出口343可以設置在上殼體314的頂表面處。第二空氣出口343可以連接到第二空氣排放單元344。

基底支架320可以設置在下殼體312中。基底支架320可以配置為容置基底W。在特定示例性實施例中，基底支架320可以包括第一支撐件322、第二支撐件324和起模頂桿(lift pin)326。

在特定實施例中，第二支撐件324可以被合并成整件的第二支撐324。在特定實施例中，第一支撐件322和第二支撐件324可以一體成型為整件，該整件形成基底支架320。如圖4中所示，第一支撐件322可以是空氣流板?？諝饬靼蹇梢跃哂兄辽僖粋€孔，空氣通過該孔從空氣流板與空氣流板上方的基底之間流出。

如圖4中所示，空氣流板可以具有多個孔。例如，第一支撐件322可以具有平面部分，在該平面部分中具有一個或更多個孔?？蛇x擇地，如圖8中所示，空氣流板可以在空氣流板的中間具有一個大孔。例如，第一支撐件322可以具有環(huán)形形狀。例如，如圖4、圖5和圖8中所示，第二支撐件324可以是階梯式的輪圈。每個階梯式的輪圈可以具有臺階，所述臺階被設置為在臺階上容置基底。例如，如圖4和圖5中所示，臺階可以包括從最頂層表面凹進的凹進部分(323/323a)。

第一支撐件322可以被設置為支撐第二支撐件324。第一支撐件322可以被設置為與基底W平行。例如，第一支撐件322可以設置在凸起110下方。

第二支撐件324可以設置在第一支撐件322的邊緣區(qū)域上。第二支撐件324可以支撐基底W的頂表面的邊緣區(qū)域。凸起110可以設置在第二支撐件324之間。例如，第二支撐件324可以由有利于保護基底W免受因沖擊和/或振動損壞的材料(例如，橡膠或者其他柔軟材料)形成。因此，第二支撐件324可以保護基底W免受因當將基底W設置到第二支撐件324上時會出現的沖擊和/或振動造成的損壞。第二支撐件324可以配置為允許基底W與第一支撐件322分隔開第一高度h₁。第一高度h₁可以大于凸起110的直徑，或者大于凸起在基底W的頂表面上方延伸的豎直高度。凸起110可以與第一支撐件322分隔開。因此，它可以有利于保護凸起110不與第一支撐件322相撞。即使在沒有形成用于保護凸起110的保護層(未示出)時，這也可以允許膠帶膜120穩(wěn)定地附著到基底W的底表面。例如，在沒有用于凸起110的保護膜(未示出)的情況下，膠帶膜120可以附著到基底W。

起模頂桿326可以支撐第一支撐件322。起模頂桿326可以配置為控制第一支撐件322和第二支撐件324的豎直位置。起模頂桿也可以稱為棒或腿?；譝與膠帶膜120之間的豎直距離可以由起模頂桿326控制。

圖4是示出圖3的基底支架320的示例性實施例的透視圖。

參照圖3和圖4，基底支架320的第一支撐件322可以以圓盤板的形狀設置。第一支撐件322可以具有第一孔321。第一孔321可以形成為允許基底W與第一支撐件322之間的空氣130通過第一支撐件322。如這里討論的術語“空氣”可以指大氣層空氣，或者在制造工藝期間可能存在的其他氣體。例如，第一空氣排放單元342可以從下殼體312去除氣體，該氣體可以通過第一空氣出口341去除。這可以類似地應用于貫穿此公開中的實施例的其他組件。空氣130可以由第一空氣排放單元342通過第一空氣出口341去除和/或排空。例如，空氣130可以通過第一空氣出口341從下殼體312的內部部分去除以減小下殼體312內部的氣壓。在層疊工藝階段，膠帶膜120可以向基底W彎曲。例如，膠帶膜120可以具有向基底W彎曲的凸部或彎月面形狀。在層疊工藝期間，膠帶膜120可以形成向下凸起的形狀?？梢匝貜幕譝的中心區(qū)域向基底W的邊緣區(qū)域的方向上進行層疊工藝。

在平面圖中，第二支撐件324中的每個可以成形為類似圓弧狀。同時，第二支撐件324可以沿著諸如圓形的圖案的輪廓進行定位。因此，同時，第二支撐件324可以形成環(huán)形形狀。第二支撐件324可以具有引導凹槽323。引導凹槽323可以配置為允許基底W固定在第二支撐件324上。引導凹槽323可以(例如，在垂直于第一支撐件322的水平表面的方向上)與第一支撐件322分隔開第一高度h₁。在一些實施例中，第一高度h₁可以在大約0.1mm至大約3mm的范圍。引導凹槽323與基底W的重疊區(qū)域的寬度可以是第一水平距離d₁。第一水平距離d₁可以在例如大約0.6mm至大約2mm的范圍。例如，在層疊工藝期間，基底W的邊緣部分可以接觸引導凹槽323?；譝與引導凹槽323的接觸寬度可以在大約0.6mm至大約2mm之間。

側間隙325可以形成在第二支撐件324之間。側間隙325可以允許空氣130從基底W與膠帶膜120之間的內部區(qū)域流動到基底支架320外部的外部區(qū)域，反之亦然。

膜支架330可以配置為使膠帶膜120固定。例如，膠帶膜120的邊緣區(qū)域可以附著到膜支架330的頂表面?？蛇x擇地，膠帶膜120的邊緣區(qū)域可以附著到膜支架330的底表面。在特定示例性實施例中，在平面圖中，膜支架330可以成形為環(huán)形。膜支架330可以具有大于基底W的直徑的內徑。例如，環(huán)形形狀的膜支架330可以具有外圓形狀表面和內圓形狀表面。內圓形狀表面的直徑可以是膜支架330的內徑，外圓形狀表面的直徑可以是膜支架330的外徑。膜支架330的內徑可以大于基底W的直徑。膠帶膜120的直徑可以大于基底W的直徑。膜支架330的外徑可以等于膠帶膜120的直徑。在特定示例性實施例中，膠帶膜120的直徑可以大于或者小于膜支架330的外徑。

參照圖3，膜支架330可以設置在下殼體312與上殼體314之間并且在腔室310的內表面上。膜支架330可以具有大于下殼體312和/或上殼體314的內徑的外徑。膜支架330可以連接到形成在下殼體312和上殼體314的內側表面上的溝槽316。膜支架330可以設置在下殼體312上。例如，膠帶膜120和膜支架330可以被設置為覆蓋下殼體312。

圖5是示出圖3的基底支架320的示例性實施例的透視圖。

參照圖5，第二支撐件324a中的每個可以是塊狀結構。第二支撐件324a可以沿著第一支撐件322的邊緣區(qū)域設置成彼此分隔開特定的距離(例如，分隔開相同的距離)。第二支撐件324a中的每個可以具有引導凹槽323a。當基底W設置在基底支架320上時，基底W的邊緣可以對準引導凹槽323a。第一高度h₁和第一水平距離d₁可以基本等于圖4的第一高度h₁和第一水平距離d₁。第一支撐件322可以具有與圖4的第一支撐件322基本相同的特征。

再次參照圖3，第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344可以分別連接到第一空氣出口341和第二空氣出口343。第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344中的每個可以包括真空泵。例如，第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344中的每個可以是諸如泵的電動力單元。例如，第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344中的每個可以包括風扇。第一空氣排放單元342可以配置為將空氣130從下殼體312去除和/或排空至腔室310的外部。例如，空氣130可以通過第一空氣出口341從下殼體312的內部部分地去除，以減小下殼體312內部的氣壓。例如，膜支架330和膠帶膜120可以將腔室310分為兩部分，例如，上部分和下部分，空氣基本上不會在兩部分之間移動。第二空氣排放單元344可以配置為將空氣130從上殼體314去除和/或排空至腔室310的外部。例如，與以上關于第一空氣排放單元342的描述相似，空氣130可以通過第二空氣出口343從上殼體314的內部部分地去除，以減小上殼體314的內部的氣壓。第二空氣排放單元344的空氣泵壓低于第一空氣排放單元342的空氣泵壓。下殼體312中的空氣130可以具有比上殼體314中的空氣130的壓強低的壓強。例如，上殼體314可以具有大氣壓強，下殼體312可以具有低于大氣壓強的真空壓強。在特定示例性實施例中，上殼體314可以具有幾十mTorr的壓強，下殼體312可以具有幾mTorr的壓強。在下殼體312中的空氣130的壓強過高的情況下，第二空氣排放單元344可以配置為向上殼體314內供應空氣130。在層疊工藝階段，膠帶膜120可以向下殼體312中的基底W彎曲。在特定示例性實施例中，膠帶膜120可以與基底W的頂表面或底表面接觸。在特定示例性實施例中，起模頂桿326可以豎直地移動以允許膠帶膜120與基底W接觸。

圖6是示出圖3的將膠帶膜120附著到基底W的工藝的剖視圖。

參照圖6，在由起模頂桿326抬起基底W的情況下，可以沿從中心區(qū)域向邊緣區(qū)域的方向逐漸執(zhí)行膠帶膜120與基底W之間的附著。膠帶膜120可以在沒有氣泡140(例如，見圖10)的情況下附著到基底W的底表面。腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344可以具有與圖3的腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空氣排放單元342和第二空氣排放單元344基本相同的特征。

圖7是示出圖1的層疊裝置300的示例性實施例的剖視圖。

參照圖7，層疊裝置300可以包括腔室310a、基底支架320a、膜支架330、第一空氣排放單元342a、第二空氣排放單元344、隔膜350、空氣供應單元360和膜擠壓單元370。

腔室310a的下殼體312a可以包括第一空氣出口341a和第一空氣入口345。第一空氣出口341a可以設置為穿透下殼體312a的側壁。第一空氣出口341a可以設置為鄰近上殼體314和膜支架330。第一空氣入口345可以設置為穿透下殼體312的底部。

第一空氣排放單元342a可以連接到第一空氣出口341a。第一空氣排放單元342a可以用來通過第一空氣出口341a去除和/或排空基底W與膠帶膜120之間的空氣130至外部。例如，空氣130可以通過第一空氣出口341a從下殼體312a的內部部分地去除以降低下殼體312內部的氣壓。例如，可以排空基底W與膠帶膜120之間的空氣130使得基底W與膠帶膜120在它們之間沒有空氣地附著。基底W與膠帶膜120可以利用第一空氣排放單元342a與第二空氣排放單元344之間的壓差彼此附著。

隔膜350可以設置在下殼體312a的底部上。在特定示例性實施例中，隔膜350可以設置在第一空氣入口345上。隔膜350可以具有小于第一支撐件322a的內徑的直徑。例如，第一支撐件322a可以具有環(huán)形形狀或者與環(huán)形類似的形狀，第一支撐件322a的內徑可以是由第一支撐件322a的內表面形成的圓的直徑。在特定示例性實施例中，隔膜350可以具有大于第一支撐件322a的內徑的直徑。

空氣供應單元360可以連接到第一空氣入口345?？諝夤獑卧?60可以配置為通過第一空氣入口345在由隔膜350限定的隔膜區(qū)域中供應空氣130。在空氣130在基底W與膠帶膜120之間的區(qū)域中具有過低的壓強的情況下，空氣供應單元360可以從隔膜區(qū)域去除和/或排空空氣130。例如，可以通過去除和/或注入隔膜350與下殼體312a之間的空氣來調節(jié)隔膜350與下殼體312a之間的氣壓。隔膜350可以擴展。例如，隔膜350可以通過隔膜350的兩側之間的氣壓差而擴展。例如，隔膜350可以擴展到第一支撐件322a中。在這種情況下，隔膜350可以將凸起110和基底W壓到膠帶膜120和膜擠壓單元370上。

膜擠壓單元370可以設置在膜支架330和膠帶膜120上。膠帶膜120可以設置在膜擠壓單元370與膜支架330之間。膜擠壓單元370和膜支架330可以牢固地連接到形成在下殼體312a和/或上殼體314的內側表面上的溝槽316。在特定示例性實施例中，膜擠壓單元370可以是板狀結構。膜擠壓單元370可以被設置為覆蓋膠帶膜120。在隔膜350抬起基底W的情況下，膜擠壓單元370可以將膠帶膜120壓到基底W上。膠帶膜120可以通過由隔膜350和膜擠壓單元370施加的力附著到基底W。

圖8是示出圖7的基底支架320a、膜支架330、隔膜350和膜擠壓單元370的透視圖。

參照圖7和圖8，基底支架320a的第一支撐件322a可以是環(huán)狀結構。第一支撐件322a可以具有小于基底W的直徑的內徑。在特定示例性實施例中，第一支撐件322a可以具有小于膜支架330的內徑的外徑。可選擇地，第一支撐件322a可以具有大于膜支架330的內徑的外徑。

膜擠壓單元370可以具有第二孔372。可以通過第二孔372將上殼體314中的空氣130供應到膜擠壓單元370與膠帶膜120之間的區(qū)域中。膠帶膜120可以沿遠離膜擠壓單元370的方向彎曲，從而與基底W接觸。

第二支撐件324、起模頂桿326和膜支架330可以具有與圖4的第二支撐件324、起模頂桿326和膜支架330基本相同的特征。

圖9是示出圖1的切割裝置400的示例性實施例的剖視圖。

參照圖9，切割裝置400可以配置為執(zhí)行將基底W分為多個芯片裸片CD的切割工藝。在特定示例性實施例中，切割裝置400可以包括工作臺410和鋸420。工作臺410可以配置為裝載膠帶膜120和膜支架330。鋸420可以用來將基底W切割成芯片裸片CD。在特定示例性實施例中，可以使用激光束(未示出)執(zhí)行基底W的切割工藝。基底W和芯片裸片CD可以附著到膠帶膜120，并且可以在切割工藝期間設置在工作臺410上的預定位置處。膠帶膜120的使用可以有利于減少基底W和芯片裸片CD在切割裝置400中的滑動或跳動。

膜支架330可以將膠帶膜120固定到工作臺410。當通過傳輸工具(未示出)傳送膠帶膜120、基底W和芯片裸片CD時，膜支架330的使用可以有利于安全地傳輸膠帶膜120、基底W和芯片裸片CD。然后，可以將膜支架330與膠帶膜120分離。

圖10是示出在切割工藝中可能在圖9中由基底W與膠帶膜120之間的氣泡140引起的工藝故障的示例的剖視圖。

參照圖10，可能在基底W與膠帶膜120之間產生氣泡140。在這種情況下，基底W和膠帶膜120不能穩(wěn)定地固定到工作臺410。例如，基底W會相對于工作臺410傾斜。因此，會對與工作臺410成一定角度的基底W執(zhí)行切割工藝。這在切割工藝中會導致工藝故障(例如，基底W的異常切割或者芯片裸片CD的碰撞)。

再次參照圖6和圖10，層疊裝置300可以防止在膠帶膜120與基底W之間產生氣泡140。因此，能夠防止或者減少在切割工藝和/或切割裝置400中出現工藝故障。

圖11是示出示出圖1的撿取裝置500的示例性實施例的示意圖。

參照圖11，撿取裝置500可以包括擴展器510和夾鉗520。擴展器510可以配置為抓住膠帶膜120的相對的邊緣。擴展器510可以配置為使膠帶膜120擴展。例如，擴展器510可以使膠帶膜120在其縱向方向上伸展。這可以使增大膠帶膜120的表面面積和芯片裸片CD之間的距離成為可能。夾鉗520可以配置為撿取每個芯片裸片CD。夾鉗520可以配置為將每個芯片裸片CD傳送到外部(例如，切割裝置400的外部)。在特定示例性實施例中，夾鉗520可以配置為對多個芯片裸片CD執(zhí)行撿取和傳送工藝。

根據發(fā)明構思的特定示例性實施例，層疊裝置可以包括腔室、基底支架、膜支架和空氣排放單元。腔室和空氣排放單元可以配置為從基底支架與膜支架之間的區(qū)域去除和/或排空空氣，這可以允許將膜支架上的膠帶膜附著到基底支架上的基底，而在基底與膠帶膜之間沒有氣泡出現?；字Ъ芸梢栽O置為支撐基底的邊緣區(qū)域，該邊緣區(qū)域在設置有凸起的區(qū)域外部。實施例的方面提供了在沒有用于保護凸起的層的情況下將膠帶膜附著到基底的方法。

先前實施例中的空氣排放單元342、342a和344也可以稱為空氣去除單元。

在下文中，將描述制造半導體器件的方法。以上描述的關于各種實施例的元件的結構細節(jié)和/或位置細節(jié)也可以應用于下面描述的制造半導體器件的方法。

在基底W上形成各種電路器件之后，如圖2中所示，對基底W執(zhí)行晶片級封裝。例如，對晶片基底W執(zhí)行焊接工藝。

參照圖3，可以在基底支架320上裝載基底W。在將基底W裝載在基底支架320上之前，可以打開上殼體314以使基底W在腔室310中移動?；譝可以形成有半導體器件。半導體器件可以是MOS FET、CMOS等?？梢詫⒒譝倒置地裝載在基底支架320上。例如，形成有半導體器件的表面可以面向下?？梢栽诨譝上方設置膠帶膜120。在將膜設置在基底W上方之前，可以將膠帶膜120附著到膜支架330。例如，可以在腔室310外部將膠帶膜120附著到膜支架330。例如，可以用粘合劑將膠帶膜120附著到膜支架330。

在將膠帶膜120置于基底W上方之后，可以關閉上殼體314。例如，上殼體314可以設置在下殼體312上。與膜支架330結合的膠帶膜120可以將腔室310分為兩個區(qū)域(例如，上區(qū)域和下區(qū)域)。膠帶膜120和膜支架330可以防止在腔室的上區(qū)域和下區(qū)域之間的大量空氣流動。墊片(未示出)可以設置在下殼體312與上殼體314之間的連接區(qū)域處。墊片可以由橡膠、塑料、金屬等形成。例如，墊片可以是纖維增強塑料(FRP)、聚氯乙烯(PVC)等。墊片可以是液體墊片。例如，墊片可以是油。墊片可以是潤滑脂。墊片可以包括兩個或者更多個組件。例如，墊片可以包括兩種不同的材料。例如，墊片可以包括金屬墊片和潤滑脂。

在關閉上殼體314之后，第一空氣去除單元342可以從腔室310的下區(qū)域去除一部分空氣。隨著腔室310的下區(qū)域的氣壓越來越低，膠帶膜120從膠帶膜120的中心部分向基底W彎曲，從而附著到基底W。在特定實施例中，第二空氣去除單元344也可以從腔室310的上區(qū)域去除一部分空氣，從而使腔室310的上區(qū)域的氣壓低于大氣壓強。在這種情況下，在將膠帶膜120附著到基底W的同時，腔室310的下區(qū)域可以保持比腔室310的上區(qū)域的氣壓低的氣壓。同時從腔室310的兩個區(qū)域(上區(qū)域和下區(qū)域)去除空氣可以有助于防止或減少膠帶膜120與基底W之間的空氣氣泡。

在特定實施例中，如圖7中所示以及如上面相關描述中所討論的，可以在膠帶膜120與基底W之間的附著工藝期間使用隔膜350。隔膜350可以在附著工藝期間支撐基底W。隔膜350可以有助于減少或防止基底W彎曲，從而有助于保護基底W不被損壞。

在膠帶膜120附著在基底W上之后，打開上殼體314，可以將基底W、膠帶膜120和膜支架330從腔室310去除并移動到切割裝置400。在特定實施例中，在打開上殼體314之前可以將腔室310的上區(qū)域和下區(qū)域的氣壓提高到與大氣壓強相同或相近。

在將基底W、膠帶膜120和膜支架330移動到切割裝置400之后，可以將基底W分為多個芯片裸片CD。膠帶膜120的使用可以有助于減少基底W和芯片裸片CD在切割工藝期間在切割裝置400中滑動或者跳動。

雖然已經具體示出和描述了發(fā)明構思的示例實施例，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離權利要求的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式和細節(jié)上的變化。