本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性TFT基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器，也稱為有機電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

薄膜晶體管是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動式有機電致發(fā)光顯示裝置中的主要驅(qū)動元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。柔性TFT基板較傳統(tǒng)TFT基板有著更加廣泛的用途，尤其在智能設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用前景，但是將傳統(tǒng)TFT基板的制作方法直接應(yīng)用在柔性TFT基板的制作方法中，制得的柔性TFT基板容易出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落(peeling)及漏光等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種柔性TFT基板的制作方法，能夠防止柔性TFT基板在彎曲過程中出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，提升柔性TFT基板的品質(zhì)，延長柔性TFT基板的使用壽命。

本發(fā)明的目的還在于提供一種柔性TFT基板，在彎曲過程中不會出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，具有較好的品質(zhì)與較長的使用壽命。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種柔性TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一剛性基板，在所述剛性基板上涂布第一有機材料，形成一柔性襯底；

步驟2、在所述柔性襯底上涂布第二有機材料，形成第一有機層，采用半透膜光罩對所述第一有機層進(jìn)行圖形化處理，在所述第一有機層上形成數(shù)個第一凹槽、數(shù)個第二凹槽、數(shù)個第三凹槽、及數(shù)個第四凹槽，其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽相交叉，所述第三凹槽分別連通至所述第一凹槽與第二凹槽，所述第四凹槽與所述第三凹槽相連通；

步驟3、在所述第一凹槽中形成掃描線，同時在所述第三凹槽中形成柵極，所述柵極與所述掃描線相連；

在所述掃描線與柵極上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上對應(yīng)于所述柵極的上方形成有源層；

在所述第二凹槽中形成數(shù)據(jù)線，同時在所述第三凹槽中形成源極與漏極，所述源極與所述數(shù)據(jù)線相連，所述源極與漏極分別與所述有源層的兩側(cè)相接觸；

在所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、有源層、及所述第四凹槽的槽底上形成鈍化層，所述鈍化層上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極上方的第一通孔；

在所述鈍化層上對應(yīng)于所述第四凹槽的槽底上方的區(qū)域形成像素電極，所述像素電極經(jīng)由所述第一通孔與所述漏極相接觸；

步驟4、在所述第一有機層上涂布第三有機材料，形成第二有機層；

步驟5、將所述柔性襯底從所述剛性基板上剝離，制得一柔性TFT基板。

所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的槽底位于所述第一有機層中或者所述柔性襯底與所述第一有機層相交接的表面上，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的深度相同或不同。

優(yōu)選的，所述步驟2還包括：在所述第一有機層上形成數(shù)個第五凹槽，所述第五凹槽與所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽中的一個或多個相連通或者均不連通，所述第五凹槽的槽底位于所述第一有機層中或者所述柔性襯底上與所述第一有機層相交接的表面上，所述第五凹槽與所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽中的一個或多個深度相同，或者與所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的深度均不相同。

所述第一有機材料、第二有機材料、及第三有機材料分別包括聚碳酸酯、聚乙二醇對苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂、及聚酰亞胺中的至少一種；

并且，所述第一有機材料與所述第二有機材料相同，所述步驟1中所述第一有機材料的涂布制程與所述步驟2中所述第二有機材料的涂布制程合并為同一個涂布制程。

優(yōu)選的，所述步驟4還包括：采用半透膜光罩對所述第二有機層進(jìn)行圖形化處理，在所述第二有機層上對應(yīng)所述像素電極的上方形成第六凹槽，薄化位于所述像素電極上方的第二有機層的厚度。

本發(fā)明還提供一種柔性TFT基板，包括柔性襯底、設(shè)于所述柔性襯底上的第一有機層、及設(shè)于所述第一有機層上的第二有機層；

所述第一有機層上設(shè)有數(shù)個第一凹槽、數(shù)個第二凹槽、數(shù)個第三凹槽、及數(shù)個第四凹槽，其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽相交叉，所述第三凹槽分別連通至所述第一凹槽與第二凹槽，所述第四凹槽與所述第三凹槽相連通；

所述第三凹槽中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極與漏極、及鈍化層，所述有源層對應(yīng)于所述柵極的上方設(shè)置，所述源極與漏極分別與所述有源層的兩側(cè)相接觸；

所述第一凹槽中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的掃描線與柵極絕緣層，所述掃描線與所述柵極相連；

所述第二凹槽中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的數(shù)據(jù)線與鈍化層，所述數(shù)據(jù)線與所述源極相連；

所述第四凹槽中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的鈍化層與像素電極；

所述鈍化層上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極上方的第一通孔，所述像素電極經(jīng)由所述第一通孔與所述漏極相接觸。

所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的槽底位于所述第一有機層中或者所述柔性襯底與所述第一有機層相交接的表面上，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的深度相同或不同。

優(yōu)選的，所述第一有機層上還設(shè)有數(shù)個第五凹槽，所述第五凹槽與所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽中的一個或多個相連通或者均不連通，所述第五凹槽的槽底位于所述第一有機層中或者所述柔性襯底上與所述第一有機層相交接的表面上，所述第五凹槽與所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽中的一個或多個深度相同，或者與所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的深度均不相同。

優(yōu)選的，所述第二有機層上對應(yīng)所述像素電極的上方設(shè)有第六凹槽。

所述柔性襯底的材料、第一有機層的材料、及第二有機層的材料分別包括聚碳酸酯、聚乙二醇對苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂、及聚酰亞胺中的至少一種；并且所述柔性襯底的材料與所述第一有機層的材料相同。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種柔性TFT基板的制作方法，首先在剛性基板上依次形成柔性襯底與第一有機層，并且在所述第一有機層上設(shè)置數(shù)個凹槽，之后將TFT器件制作于所述數(shù)個凹槽中，然后在所述第一有機層上形成第二有機層，最后將所述柔性襯底從所述剛性基板上剝離，制得一柔性TFT基板，所述柔性TFT基板中，由于所述第一有機層上設(shè)有數(shù)個凹槽，從而在所述第一有機層上形成多個凹陷結(jié)構(gòu)與多個凸起結(jié)構(gòu)，使得所述第二有機層與所述第一有機層相互咬合，結(jié)合緊密，并且對夾設(shè)于二者之間的TFT器件形成保護，防止柔性TFT基板在彎曲過程中出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，提升柔性TFT基板的品質(zhì)，延長柔性TFT基板的使用壽命。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法的步驟1的示意圖；

圖3與圖4為本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖且圖4為圖3沿C-C線的剖視示意圖；

圖5與圖6為本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖且圖6為圖5沿C-C線的剖視示意圖；

圖7與圖8為本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法的步驟4的示意圖；

圖9為本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法的步驟5的示意圖暨本發(fā)明的柔性TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種柔性TFT基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖2所示，提供一剛性基板10，在所述剛性基板10上涂布第一有機材料，形成一柔性襯底11。

具體的，所述剛性基板10為玻璃基板。

具體的，所述第一有機材料包括聚碳酸酯(PC)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜樹脂(PES)、及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。優(yōu)選的，所述第一有機材料包括聚酰亞胺(PI)。

步驟2、如圖3與圖4所示，在所述柔性襯底11上涂布第二有機材料，形成第一有機層20，采用半透膜(halftone)光罩(未圖示)對所述第一有機層20進(jìn)行圖形化處理，在所述第一有機層20上形成數(shù)個第一凹槽21、數(shù)個第二凹槽22、數(shù)個第三凹槽23、及數(shù)個第四凹槽24，其中，所述第一凹槽21與所述第二凹槽22相交叉，所述第三凹槽23分別連通至所述第一凹槽21與第二凹槽22，所述第四凹槽24與所述第三凹槽23相連通。

具體的，所述第一凹槽21與第二凹槽22均為條形，且所述第一凹槽21與所述第二凹槽22垂直相交叉。

具體的，所述第三凹槽23與第四凹槽24的形狀可以為圓形、三角形或多邊形。

具體的，所述第一凹槽21與第二凹槽22分別用于后續(xù)沉積掃描線31與數(shù)據(jù)線51；所述第三凹槽23用于后續(xù)沉積柵極32、有源層41、及源極52與漏極53；所述第四凹槽24用于后續(xù)沉積像素電極70。

具體的，所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24的槽底位于所述第一有機層20中或者所述柔性襯底11與所述第一有機層20相交接的表面上，所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24的深度可以相同或不同。

優(yōu)選的，所述第一凹槽21與所述第三凹槽23的深度相同，且大于所述第二凹槽22與第四凹槽24的深度。

具體的，所述步驟2還包括：在所述第一有機層20上形成數(shù)個第五凹槽25，以增加所述第一有機層20上凹陷結(jié)構(gòu)與凸起結(jié)構(gòu)的數(shù)量，從而使得后續(xù)在所述第一有機層20上形成第二有機層80后，所述第一有機層20與所述第二有機層80之間的咬合更緊密。

具體的，所述第五凹槽25可以與所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24中的一個或多個相連通或者均不連通，所述第五凹槽25的槽底可以位于所述第一有機層20中或者所述柔性襯底11上與所述第一有機層20相交接的表面上。

具體的，所述第五凹槽25可以與所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24中的一個或多個深度相同，也可以與所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24的深度均不相同。

具體的，所述第五凹槽25的形狀可以為圓形、三角形或多邊形。

具體的，所述第二有機材料包括聚碳酸酯(PC)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜樹脂(PES)、及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。優(yōu)選的，所述第二有機材料包括聚酰亞胺。

優(yōu)選的，所述第一有機材料與第二有機材料相同，所述步驟1中所述第一有機材料的涂布制程與所述步驟2中所述第二有機材料的涂布制程合并為同一個涂布制程，以節(jié)約制程時間。

步驟3、如圖5與圖6所示，在所述第一凹槽21中形成掃描線31，同時在所述第三凹槽23中形成柵極32，所述柵極32與所述掃描線31相連；

在所述掃描線31與柵極32上形成柵極絕緣層40；

在所述柵極絕緣層40上對應(yīng)于所述柵極32的上方形成有源層41；

在所述第二凹槽22中形成數(shù)據(jù)線51，同時在所述第三凹槽23中形成源極52與漏極53，所述源極52與所述數(shù)據(jù)線51相連，所述源極52與漏極53分別與所述有源層41的兩側(cè)相接觸；

在所述數(shù)據(jù)線51、源極52、漏極53、有源層41、及所述第四凹槽24的槽底上形成鈍化層60，所述鈍化層60上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極53上方的第一通孔61；

在所述鈍化層60上對應(yīng)于所述第四凹槽24的槽底上方的區(qū)域形成像素電極70，所述像素電極70經(jīng)由所述第一通孔61與所述漏極53相接觸。

具體的，所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24中，每個凹槽內(nèi)制作的各結(jié)構(gòu)層的總高度小于對應(yīng)的凹槽的深度。

步驟4、如圖7所示，在所述第一有機層20上涂布第三有機材料，形成第二有機層80。

具體的，所述第三有機材料包括聚碳酸酯(PC)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜樹脂(PES)、及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。優(yōu)選的，所述第三有機材料包括聚酰亞胺。

具體的，所述第一有機層20上設(shè)有數(shù)個凹槽的區(qū)域相當(dāng)于多個凹陷結(jié)構(gòu)，所述第一有機層20上位于數(shù)個凹槽之間的區(qū)域相當(dāng)于多個凸起結(jié)構(gòu)，從而在所述第一有機層20上形成多個凹陷結(jié)構(gòu)與多個凸起結(jié)構(gòu)，因此采用涂布的方法在所述第一有機層20上形成所述第二有機層80之后，得到的所述第二有機層80分別對應(yīng)所述第一有機層20的多個凹陷結(jié)構(gòu)與多個凸起結(jié)構(gòu)的位置形成多個凸起結(jié)構(gòu)與多個凹陷結(jié)構(gòu)，使得第一有機層20與第二有機層80相互咬合，結(jié)合緊密，所述相互咬合的第一有機層20與第二有機層80對夾設(shè)于二者之間的TFT器件形成有效保護，防止柔性TFT基板在彎曲過程中出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，提升柔性TFT基板的品質(zhì)，延長柔性TFT基板的使用壽命。

優(yōu)選的，如圖8所示，所述步驟4還包括：采用半透膜(halftone)光罩(未圖示)對所述第二有機層80進(jìn)行圖形化處理，在所述第二有機層80上對應(yīng)所述像素電極70的上方形成第六凹槽86，薄化位于所述像素電極70上方的第二有機層80的厚度，使得本發(fā)明的柔性TFT基板應(yīng)用于液晶顯示面板中時，可提高所述像素電極70上方的電場強度，有效控制液晶分子偏轉(zhuǎn)。

步驟5、如圖9所示，將所述柔性襯底11從所述剛性基板10上剝離，制得一柔性TFT基板100。

優(yōu)選的，所述步驟5中，采用激光剝離技術(shù)(LLO)將所述柔性襯底11從所述剛性基板10上剝離。

上述柔性TFT基板的制作方法，首先在剛性基板上依次形成柔性襯底11與第一有機層20，并且在所述第一有機層20上設(shè)置數(shù)個凹槽，之后將TFT器件制作于所述數(shù)個凹槽中，然后在所述第一有機層20上形成第二有機層80，最后將所述柔性襯底11從所述剛性基板10上剝離，制得一柔性TFT基板100，所述柔性TFT基板100中，由于所述第一有機層20上設(shè)有數(shù)個凹槽，從而在所述第一有機層20上形成多個凹陷結(jié)構(gòu)與多個凸起結(jié)構(gòu)，使得所述第二有機層80與所述第一有機層20相互咬合，結(jié)合緊密，并且對夾設(shè)于二者之間的TFT器件形成保護，防止柔性TFT基板在彎曲過程中出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，提升柔性TFT基板的品質(zhì)，延長柔性TFT基板的使用壽命。

請參閱圖9，基于上述柔性TFT基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種柔性TFT基板100，包括柔性襯底11、設(shè)于所述柔性襯底11上的第一有機層20、及設(shè)于所述第一有機層20上的第二有機層80；

所述第一有機層20上設(shè)有數(shù)個第一凹槽21、數(shù)個第二凹槽22、數(shù)個第三凹槽23、及數(shù)個第四凹槽24，其中，所述第一凹槽21與所述第二凹槽22相交叉，所述第三凹槽23分別連通至所述第一凹槽21與第二凹槽22，所述第四凹槽24與所述第三凹槽23相連通；

所述第三凹槽23中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的柵極32、柵極絕緣層40、有源層41、源極52與漏極53、及鈍化層60，所述有源層41對應(yīng)于所述柵極32的上方設(shè)置，所述源極52與漏極53分別與所述有源層41的兩側(cè)相接觸；

所述第一凹槽21中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的掃描線31與柵極絕緣層40，所述掃描線31與所述柵極32相連；

所述第二凹槽22中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的數(shù)據(jù)線51與鈍化層60，所述數(shù)據(jù)線51與所述源極52相連；

所述第四凹槽24中設(shè)有從下到上依次層疊設(shè)置的鈍化層60與像素電極70；

所述鈍化層60上設(shè)有對應(yīng)于所述漏極53上方的第一通孔61，所述像素電極70經(jīng)由所述第一通孔61與所述漏極53相接觸。

具體的，所述第一凹槽21與第二凹槽22均為條形，且所述第一凹槽21與所述第二凹槽22垂直相交叉。

具體的，所述第三凹槽23與第四凹槽24的形狀可以為圓形、三角形或多邊形。

具體的，所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24的槽底位于所述第一有機層20中或者所述柔性襯底11與所述第一有機層20相交接的表面上，所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24的深度可以相同或不同。

優(yōu)選的，所述第一凹槽21與所述第三凹槽23的深度相同，且大于所述第二凹槽22與第四凹槽24的深度。

具體的，所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24中，每個凹槽內(nèi)設(shè)置的各結(jié)構(gòu)層的總高度小于對應(yīng)的凹槽的深度。

具體的，所述第一有機層20上還可以設(shè)有數(shù)個第五凹槽25，以增加所述第一有機層20上凹陷結(jié)構(gòu)與凸起結(jié)構(gòu)的數(shù)量。

具體的，所述第五凹槽25可以與所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24中的一個或多個相連通或者均不連通，所述第五凹槽25的槽底可以位于所述第一有機層20中或者所述柔性襯底11上與所述第一有機層20相交接的表面上。

具體的，所述第五凹槽25可以與所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24中的一個或多個深度相同，也可以與所述第一凹槽21、第二凹槽22、第三凹槽23及第四凹槽24的深度均不相同。

具體的，所述第五凹槽25的形狀可以為圓形、三角形或多邊形。

優(yōu)選的，所述第二有機層80上對應(yīng)所述像素電極70的上方設(shè)有第六凹槽86。

具體的，所述柔性襯底11的材料、第一有機層20的材料、及第二有機層80的材料分別包括聚碳酸酯(PC)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜樹脂(PES)、及聚酰亞胺(PI)中的至少一種。

優(yōu)選的，所述柔性襯底11的材料、第一有機層20的材料、及第二有機層80的材料的材料均包括聚酰亞胺(PI)。

優(yōu)選的，所述柔性襯底11的材料與所述第一有機層20的材料相同，從而可以將所述柔性襯底11與所述第一有機層20合并在同一個制程中制作，以節(jié)約制程時間。

上述柔性TFT基板，包括柔性襯底11、設(shè)于所述柔性襯底11上的第一有機層20、及設(shè)于所述第一有機層20上的第二有機層80，所述第一有機層20上設(shè)有數(shù)個凹槽，所述數(shù)個凹槽中設(shè)有TFT器件，所述第二有機層80覆蓋所述第一有機層20與TFT器件，由于所述第一有機層20上設(shè)有數(shù)個凹槽，從而在所述第一有機層20上形成多個凹陷結(jié)構(gòu)與多個凸起結(jié)構(gòu)，使得所述第二有機層80與所述第一有機層20相互咬合，結(jié)合緊密，并且對夾設(shè)于二者之間的TFT器件形成保護，防止柔性TFT基板在彎曲過程中出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，提升柔性TFT基板的品質(zhì)，延長柔性TFT基板的使用壽命。

綜上所述，本發(fā)明提供一種柔性TFT基板及其制作方法。本發(fā)明的柔性TFT基板的制作方法，首先在剛性基板上依次形成柔性襯底與第一有機層，并且在所述第一有機層上設(shè)置數(shù)個凹槽，之后將TFT器件制作于所述數(shù)個凹槽中，然后在所述第一有機層上形成第二有機層，最后將所述柔性襯底從所述剛性基板上剝離，制得一柔性TFT基板，所述柔性TFT基板中，由于所述第一有機層上設(shè)有數(shù)個凹槽，從而在所述第一有機層上形成多個凹陷結(jié)構(gòu)與多個凸起結(jié)構(gòu)，使得所述第二有機層與所述第一有機層相互咬合，結(jié)合緊密，并且對夾設(shè)于二者之間的TFT器件形成保護，防止柔性TFT基板在彎曲過程中出現(xiàn)斷線、TFT器件剝落及漏光等問題，提升柔性TFT基板的品質(zhì)，延長柔性TFT基板的使用壽命。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。