本發(fā)明的實施例涉及顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種陣列基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
：薄膜晶體管(TFT)是一種由多層薄膜(例如有源半導(dǎo)體層、介電層和金屬電極層)形成的場效應(yīng)晶體管。由于具有適于集成和大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點，TFT作為顯示控制單元在平板顯示領(lǐng)域諸如液晶顯示(LCD)、有機發(fā)光二極管顯示(OLED)、電子紙顯示(EPD)等領(lǐng)域中起著非常重要的作用。因此，存在著不斷提高集成有TFT的顯示面板的顯示性能的需求。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其能夠使顯示性能得到改善。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種陣列基板，包括薄膜晶體管，且至少具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域中的薄膜晶體管的有源層厚度大于所述第二區(qū)域中的薄膜晶體管的有源層厚度，且所述第一區(qū)域中的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積大于所述第二區(qū)域中的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與有源層厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。根據(jù)上述配置，由于薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與有源層厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，所以能夠避免第一區(qū)域和第二區(qū)域中的薄膜晶體管由于有源層厚度的差異而導(dǎo)致源漏極電流的差異，使陣列基板對像素單元的控制在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，從而改善顯示效果。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊部分的長度為有源層溝道區(qū)的寬度，且所述重疊部分的寬度為固定值；薄膜晶體管的有源層溝道區(qū)的寬度與有源層厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的有源層厚度隨有源層位置變化的曲線由擬合函數(shù)表示，且所述至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的有源層厚度隨有源層位置變化的曲線由擬合函數(shù)表示，且所述至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的有源層溝道區(qū)的寬度與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域周期性地交替排列。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，所述薄膜晶體管包括用于向有機發(fā)光二極管施加驅(qū)動電流的驅(qū)動薄膜晶體管，以及用于向所述驅(qū)動薄膜晶體管施加驅(qū)動電壓的開關(guān)薄膜晶體管。根據(jù)上述配置，陣列基板可以用于OLED顯示面板，而且由于向OLED施加的驅(qū)動電流在相同的驅(qū)動條件下能夠在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一、并且用于向驅(qū)動薄膜晶體管施加驅(qū)動電壓的開關(guān)薄膜晶體管的源漏極電流在相同的驅(qū)動條件下能夠在第一區(qū)域和第二區(qū)域上也保持均一，所以能夠改善OLED顯示面板的顯示效果。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，所述薄膜晶體管包括用于向液晶層施加數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)薄膜晶體管。根據(jù)上述配置，陣列基板可以用于LCD顯示面板，且由于用于向液晶層施加數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)薄膜晶體管的源漏極電流在相同的驅(qū)動條件下能夠在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，所以能夠改善LCD顯示面板的顯示效果。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了一種陣列基板的制作方法，包括：獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況，所述有源薄膜至少具有厚度較大的第一區(qū)域和厚度較小的第二區(qū)域；根據(jù)所述變化情況，確定要形成的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得所述重疊面積與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一；以及在襯底基板上形成薄膜晶體管，使得所形成的薄膜晶體管具有所確定的重疊面積。根據(jù)上述配置，由于薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，所以能夠避免在第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成的薄膜晶體管由于有源層厚度的差異而導(dǎo)致源漏極電流的差異，使陣列基板對像素單元的控制在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，從而改善顯示效果。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊部分的長度為有源層溝道區(qū)的寬度，且所述重疊部分的寬度為固定值；確定所述重疊面積包括：確定要形成的有源層溝道區(qū)的寬度，使得有源層溝道區(qū)的寬度與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，在上述第八方面的制作方法中，獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況包括：在與所述襯底基板相同的測試用基板上形成有源薄膜；以及測量所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的有源薄膜厚度。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，在上述第十方面的制作方法中，確定所述重疊面積包括：根據(jù)測得的有源薄膜厚度，確定所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的有源薄膜厚度隨有源層位置變化的曲線的擬合函數(shù)；以及確定所述至少一個區(qū)域中的所述重疊面積，使其與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。根據(jù)上述配置，僅測量有源層在較少數(shù)量的位置處的厚度，就可以利用所確定的擬合函數(shù)確定有源層在未測量的位置處的厚度，并進而確定各厚度所對應(yīng)的重疊面積，從而提高效率。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，在上述第九方面的制作方法中，獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況包括：在與所述襯底基板相同的測試用基板上形成有源薄膜；以及測量所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的有源薄膜厚度。根據(jù)本發(fā)明的第十三方面，在上述第十二方面的制作方法中，確定要形成的有源層溝道區(qū)的寬度包括：根據(jù)測得的有源薄膜厚度，確定所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的有源薄膜厚度隨有源層位置變化的曲線的擬合函數(shù)；以及確定所述至少一個區(qū)域中的有源層溝道區(qū)的寬度，使其與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。根據(jù)上述配置，僅測量有源層在較少數(shù)量的位置處的厚度，就可以利用所確定的擬合函數(shù)確定有源層在未測量的位置處的厚度，并進而確定各厚度所對應(yīng)的有源層溝道區(qū)的寬度，從而提高效率。根據(jù)本發(fā)明的第十四方面，在襯底基板上形成薄膜晶體管包括：在所述襯底基板上形成柵極；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源薄膜；對所述有源薄膜進行構(gòu)圖以形成有源層；以及在所述有源層上形成源極和漏極。根據(jù)本發(fā)明的第十五方面，在形成有源薄膜或有源層之后，獲得所述變化情況并確定所述重疊面積。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明的實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹。明顯地，以下附圖中的結(jié)構(gòu)示意圖不一定按比例繪制，而是以簡化形式呈現(xiàn)各特征。而且，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而并非對本發(fā)明進行限制。圖1是利用現(xiàn)有技術(shù)在陣列基板的襯底基板上形成的有源薄膜的示意圖；圖2是可以在其中應(yīng)用本發(fā)明的原理的陣列基板的電路示意圖；圖3是可以在其中應(yīng)用本發(fā)明的原理的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4示出利用現(xiàn)有技術(shù)在陣列基板的襯底基板上形成的有源薄膜的厚度隨位置變化的曲線的擬合函數(shù)；圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的制作方法的流程圖；以及圖6是用于進一步說明圖5的制作方法的流程圖。具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明的實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其能夠使顯示性能得到改善。在下文中，將以相應(yīng)的實施例對本發(fā)明的陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置進行具體說明。I.陣列基板圖1是利用現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備在陣列基板的襯底基板上形成的有源薄膜的示意圖。磁控濺射設(shè)備是利用在靶表面上形成的正交電磁場，把電子束縛在靶表面特定區(qū)域來提高電離效率，增加等離子體的密度和能量，從而實現(xiàn)高速率濺射成膜的設(shè)備。磁控濺射設(shè)備通常包括平面靶磁控濺射設(shè)備和旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備。不論是哪一種類型的磁控濺射設(shè)備，由于靶材之間存在間隙、并且磁控濺射設(shè)備上的磁場分布不均勻，導(dǎo)致所沉積的薄膜在襯底基板上的不同位置會出現(xiàn)膜厚的差異。如圖1所示，利用現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備在襯底基板上沉積的薄膜的膜厚存在著周期性差異。在靶材正對的位置，薄膜厚度較厚，如圖1中的A區(qū)域(對應(yīng)于權(quán)利要求中的“第一區(qū)域”)所示；而在靶材之間的位置，薄膜厚度較小，如圖1中的B區(qū)域(對應(yīng)于權(quán)利要求中的“第二區(qū)域”)所示，其中A區(qū)域和B區(qū)域的寬度為數(shù)厘米的量級(例如約為8厘米)。這種薄膜周期性的厚度變化，會導(dǎo)致在襯底基板的A區(qū)域和B區(qū)域上形成的薄膜晶體管(TFT)的工作性能存在差異，最終導(dǎo)致所謂的TargetMura(即，顯示不均勻)現(xiàn)象。下面以有機發(fā)光二極管(OLED)陣列基板為例說明由于A區(qū)域和B區(qū)域的膜厚差異所導(dǎo)致的問題。圖2是可以在其中應(yīng)用本發(fā)明的原理的OLED陣列基板的電路示意圖。如圖2所示，該陣列基板包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，其限定出多個矩形像素單元。每個像素單元包括開關(guān)TFT(即S-TFT)、電荷存儲電容C、驅(qū)動TFT(即D-TFT)以及OLED。在配備有該陣列基板的顯示面板正常工作時，以具有例如高電平VGH的信號順次驅(qū)動每條掃描線，使該條掃描線上連接的所有開關(guān)TFT導(dǎo)通。與掃描線的掃描同步，各條數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號電壓通過導(dǎo)通的開關(guān)TFT記錄到電荷存儲電容C上，同時該數(shù)據(jù)信號電壓使驅(qū)動TFT導(dǎo)通從而輸出驅(qū)動電流即源漏極電流(其中Vdd為驅(qū)動TFT的工作電壓)，使OLED發(fā)出相應(yīng)顏色和強度的光。當(dāng)該條掃描線的掃描結(jié)束時，開關(guān)TFT被關(guān)斷，所記錄的數(shù)據(jù)信號電壓被保持并持續(xù)使驅(qū)動TFT輸出相應(yīng)的驅(qū)動電流，使OLED持續(xù)發(fā)出相應(yīng)顏色和強度的光，直到下一幀掃描到來之前。關(guān)于開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT，其可以采用圖3所示的示例性結(jié)構(gòu)。圖3是底柵交疊型TFT(staggeredbottom-gateTFT)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，底柵交疊型TFT包括：形成在襯底基板(未示出)上的柵極302，其可以由例如金屬、氧化銦錫等材料制成；形成在柵極302上的柵絕緣層304，其可以由絕緣材料(例如SiO2、Al2O3、有機絕緣材料等)制成；形成在柵絕緣層304上的有源層306，其可以由無機和有機半導(dǎo)體材料(例如IGZO、InSb、聚噻吩等)制成；以及形成在有源層306上的源極308和漏極310，其可以由例如金屬、氧化銦錫等材料制成。如前面關(guān)于圖1所述，利用現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備在襯底基板上沉積的薄膜的膜厚存在著周期性差異。在圖2所示的OLED陣列基板的情況下，由于A區(qū)域和B區(qū)域的寬度為數(shù)厘米的量級、而像素單元的寬度為數(shù)十微米的量級(例如約為50微米)，因此A區(qū)域和B區(qū)域均包含多個像素單元，圖2中僅示意性地示出一個像素單元。此外，由于A區(qū)域中的有源薄膜的膜厚較大、B區(qū)域中的有源薄膜的膜厚較小，所以在A區(qū)域和B區(qū)域中形成的驅(qū)動TFT的源漏極電流(即驅(qū)動電流)存在差異，導(dǎo)致在相同的驅(qū)動電壓下，A區(qū)域和B區(qū)域中的OLED發(fā)出的光的顏色和強度存在差異，從而引起TargetMura現(xiàn)象。為了消除該TargetMura現(xiàn)象，本發(fā)明的發(fā)明人認識到，當(dāng)TFT處于工作狀態(tài)的時候，如圖3所示，其電流在有源層中的流向是一個U型的回路，該回路上的電阻R＝2R1+R2，其中R1是源/漏極下方垂直方向的電阻，R2是溝道區(qū)水平方向的電阻。由于導(dǎo)電溝道區(qū)的電阻R2<<R1，因此回路電阻近似表示為R＝2R1。根據(jù)電阻的計算公式，有源層的回路電阻可表示為：R＝2R1＝2ρt/(Wd)＝2ρt/S，其中ρ為有源薄膜的電阻率，t為有源層的厚度，S＝Wd是源極308或漏極310與有源層306之間的重疊面積，W是該重疊部分的長度，即在與TFT的橫截面垂直的方向上，源極308或漏極310與有源層306之間的重疊部分的尺寸(即有源層溝道區(qū)的寬度)，d是該重疊部分的寬度，即在與TFT的橫截面平行的方向上，源極308或漏極310與有源層306之間的重疊部分的尺寸，圖中所示的L為在與TFT的橫截面垂直的方向上，源極308和漏極310之間的距離(即有源層溝道區(qū)的長度)。根據(jù)電流I與電壓U間的關(guān)系的公式I＝U/R，流過TFT的源漏極之間的電流IDS可以表示如下：IDS＝UDS/R＝UDSS/(2ρt)＝UDSWd/(2ρt)，其中UDS為TFT的源漏極之間的電壓差。因此，在電壓差UDS一定的情況下，IDS和源極308或漏極310與有源層306之間的重疊面積S成正比，和有源薄膜的厚度t成反比。另外，由于重疊部分的寬度d不宜過大(導(dǎo)致TFT的尺寸增大)或過小(導(dǎo)致TFT的開態(tài)電流降低)，所以d通常固定為一個較佳的值。因此，在本發(fā)明的一個實施例中，重疊部分的寬度d可以是固定值，且在這種情況下，IDS和有源層溝道區(qū)的寬度W成正比，和有源薄膜的厚度t成反比。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于A區(qū)域的有源薄膜的膜厚tA大于B區(qū)域的有源薄膜的膜厚tB，所以A區(qū)域的源極308或漏極310與有源層306之間的重疊面積SA大于B區(qū)域的源極308或漏極310與有源層306之間的重疊面積SB，且源極308或漏極310與有源層306之間的重疊面積S與有源薄膜的厚度t的比率S/t在A區(qū)域和B區(qū)域上保持均一。這樣，在相同的驅(qū)動電壓下，A區(qū)域和B區(qū)域中的TFT的源漏極電流IDS保持均一，使得A區(qū)域和B區(qū)域中的OLED發(fā)出的光的顏色和強度保持均一，從而消除TargetMura現(xiàn)象。相應(yīng)地，在上面提到的重疊部分的寬度d為固定值的實施例中，有源層溝道區(qū)的寬度W與有源薄膜的厚度t的比率W/t在A區(qū)域和B區(qū)域上保持均一。為了實現(xiàn)有源層的S/t或W/t在A區(qū)域和B區(qū)域上保持均一，考慮到在工藝條件穩(wěn)定的情況下在陣列基板的襯底基板上形成的有源薄膜的厚度隨不同基板的情況基本保持不變，可以先獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況(例如在與襯底基板相同的測試用基板上形成有源薄膜，并測量有源薄膜的厚度隨位置的變化情況)，根據(jù)測得的各膜厚t確定其相應(yīng)的有源層的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W，然后設(shè)計相應(yīng)的掩膜來實現(xiàn)所確定的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W。然而，本發(fā)明并不限于上述示例。作為另一示例，也可以在形成TFT的過程中獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況，并根據(jù)測得的各膜厚確定其相應(yīng)的有源層的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W。如前所述，在圖3中，先形成有源層306，再形成源極308和漏極310。在這種情況下，可以在形成有源薄膜或有源層306之后，測量A區(qū)域和B區(qū)域中的各有源層306的厚度，并根據(jù)測得的各厚度t確定其對應(yīng)的有源層的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W，使得有源層的S/t或W/t在A區(qū)域和B區(qū)域上保持均一。然后，可以形成源極308和漏極310，使所形成的有源層具有所確定的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W。從圖3中與截面圖對應(yīng)的俯視圖可以看出，有源層的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W可以通過源極308和漏極310的圖形進行調(diào)節(jié)。因此，可以通過例如設(shè)計和制備用于形成源極308和/或漏極310的掩膜，來實現(xiàn)所確定的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W。如前所述，A區(qū)域和B區(qū)域的寬度在數(shù)厘米的量級、而TFT的尺寸約為5-30微米，因此對于膜厚隨位置以曲線變化的A區(qū)域而言，如果要測量A區(qū)域中的各TFT對應(yīng)位置的厚度，則需要測量非常大量的位置處的厚度。為了提高效率，考慮到圖1所示的A區(qū)域的膜厚隨位置變化的曲線近似呈軸對稱曲線，可以在A區(qū)域的半個周期上，每隔相對較大的間隔(例如每300-500微米)測量一次厚度，并根據(jù)測得的厚度值來確定膜厚隨位置變化的曲線的擬合函數(shù)。這樣，A區(qū)域上任意一點的膜厚就可以通過將該點的坐標(biāo)代入該擬合函數(shù)來確定。圖4示出利用現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備在陣列基板的襯底基板上形成的有源薄膜的厚度隨位置變化的曲線的擬合函數(shù)，其中TA為A區(qū)域的周期，TB為B區(qū)域的周期，且x坐標(biāo)表示A區(qū)域和B區(qū)域的寬度方向上的坐標(biāo)。假設(shè)通過擬合算法利用A區(qū)域的半個周期[x0,x1]上的多個點的坐標(biāo)和測得的膜厚所確定的擬合函數(shù)的表達式為：f(x)＝a0+a1(x-x0)+a2(x-x0)2+a3(x-x0)3,其中a0、a1、a2和a3為利用擬合算法得到的系數(shù)。那么，A區(qū)域的另半個周期[x1,x2]上的擬合函數(shù)的表達式可以表示為：f(x)＝a0+a1(TA+x0-x)+a2(TA+x0-x)2+a3(TA+x0-x)3。由于有源層的S/t或W/t比率在A區(qū)域和B區(qū)域上保持均一，所以在由A區(qū)域和B區(qū)域組成的一個周期[x0,x3]上，有源層的重疊面積S隨位置變化的曲線的表達式g(x)可以表示為：g(x)=(S0/a0)·[a0+a1(x-x0)+a2(x-x0)2+a3(x-x0)3],x∈[x0,x1](S0/a0)·[a0+a1(TA+x0-x)+a2(TA+x0-x)2+a3(TA+x0-x)3],x∈[x1,x2]S0,x∈[x2,x3],]]>其中(S0/a0)為B區(qū)域上的有源層的面積和厚度的比值。相應(yīng)地，有源層溝道區(qū)的寬度W隨位置變化的曲線的表達式h(x)可以表示為：h(x)=(W0/a0)·[a0+a1(x-x0)+a2(x-x0)2+a3(x-x0)3],x∈[x0,x1](W0/a0)·[a0+a1(TA+x0-x0)+a2(TA+x0-x0)2+a3(TA+x0-x)3],x∈[x1,x2]W0,x∈[x2,x3],]]>其中(W0/a0)為B區(qū)域上的有源層溝道區(qū)的寬度和厚度的比值。關(guān)于位于其它周期范圍的x，可以以此類推。應(yīng)注意的是，在一個TFT所占的空間范圍內(nèi)，坐標(biāo)x有一定的變化范圍。例如，對于10微米的TFT，可以取5微米處的厚度作為整個TFT的厚度，也可以取0-10微米范圍的厚度的平均值作為整個TFT的厚度。此外，在本示例的旋轉(zhuǎn)靶磁控濺射設(shè)備的情況下，B區(qū)域上的有源薄膜的厚度隨位置變化很小，所以無需對B區(qū)域的膜厚隨位置的變化情況進行函數(shù)擬合。然而，如果例如采用其他工藝所形成的有源薄膜的膜厚在膜厚較大的區(qū)域和膜厚較小的區(qū)域中的至少一個區(qū)域的膜厚隨位置變化較大(例如，與預(yù)定位置變化量對應(yīng)的膜厚變化量大于預(yù)定閾值)，則可以對該至少一個區(qū)域進行函數(shù)擬合。應(yīng)注意的是，本發(fā)明并不限于上面描述的示例。首先，引起有源薄膜的膜厚在不同位置出現(xiàn)差異的工藝并不限于磁控濺射，也可以是其它濺射(例如未使用磁控的一般濺射)，或者也可以是其他成膜工藝(例如，蒸鍍)。其次，可以在其中應(yīng)用本發(fā)明的原理的陣列基板并不限于OLED陣列基板。作為另一示例，陣列基板也可以是用于LCD顯示面板的陣列基板。與上述OLED陣列基板類似，該LCD陣列基板可以包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，其限定出多個矩形像素單元。每個像素單元包括開關(guān)TFT、保持電容C以及液晶層。在配備有該LCD陣列基板的顯示面板正常工作時，以具有例如高電平VGH的信號順次驅(qū)動每條掃描線，使該條掃描線上連接的所有開關(guān)TFT導(dǎo)通。與掃描線的掃描同步，各條數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號電壓通過導(dǎo)通的開關(guān)TFT記錄到保持電容上。當(dāng)該條掃描線的掃描結(jié)束時，開關(guān)TFT被關(guān)斷，所記錄的數(shù)據(jù)信號電壓被保持并持續(xù)驅(qū)動液晶層，直到下一幀掃描到來之前。通過將本發(fā)明的實施例應(yīng)用于該LCD陣列基板，由于在具有不同膜厚的區(qū)域中形成的開關(guān)TFT的源漏極電流在相同的驅(qū)動條件下能夠保持均一，所以通過源漏極電流記錄到保持電容上的數(shù)據(jù)信號電壓也保持均一，從而改善LCD顯示面板的顯示效果。作為再一示例，陣列基板也可以是用于電潤濕顯示面板的陣列基板。此外，OLED陣列基板并不限于2T1C(兩個TFT、一個電容)的配置，也可以是3T1C(三個TFT、一個電容)的配置或者包含TFT的各種其它現(xiàn)有配置。而且，在上述OLED陣列基板的實施例中，可以僅調(diào)節(jié)驅(qū)動TFT的溝道區(qū)寬度W，也可以既調(diào)節(jié)驅(qū)動TFT又調(diào)節(jié)開關(guān)TFT的溝道區(qū)寬度W，從而進一步改善顯示效果。此外，陣列基板上設(shè)置的TFT并不限于用于控制像素單元的驅(qū)動TFT和開關(guān)TFT，也可以是例如用于控制掃描線和/或數(shù)據(jù)線的驅(qū)動模塊中的TFT。綜上，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，本發(fā)明的原理可以應(yīng)用于任何類型的設(shè)有TFT的陣列基板，只要在制作TFT時所形成的有源薄膜的厚度在不同位置存在差異且該TFT在導(dǎo)通狀態(tài)下在有源層中存在U型電流回路即可。而且，溝道區(qū)寬度W隨膜厚t而被調(diào)節(jié)的TFT可以是陣列基板上的執(zhí)行任何一種功能的TFT或其組合。也就是說，本發(fā)明的至少一個實施例提供了一種陣列基板，包括薄膜晶體管，且至少具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域中的薄膜晶體管的有源層厚度大于所述第二區(qū)域中的薄膜晶體管的有源層厚度，且所述第一區(qū)域中的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積大于所述第二區(qū)域中的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與有源層厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。II.顯示面板和顯示裝置根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示面板包括上面在第I部分中描述的陣列基板。相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置(例如OLED顯示裝置、LCD顯示裝置等)也包括上面在第I部分中描述的陣列基板。由于采用了上面在第I部分中描述的陣列基板，所以可以改善該顯示面板和顯示裝置的顯示效果，在此不再贅述。III.陣列基板的制作方法圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的制作方法的流程圖。如圖5所示，陣列基板的制作方法包括步驟502、504和506。在步驟502，獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況，所述有源薄膜至少具有厚度較大的第一區(qū)域和厚度較小的第二區(qū)域。例如，如前所述，該步驟502可以包括以下兩個子步驟。在第一子步驟，在與襯底基板相同的測試用基板上形成有源薄膜?？梢灾苯釉跍y試用基板上形成有源薄膜，也可以從正常制作TFT的過程的第一步驟開始執(zhí)行到有源薄膜的形成完畢。在第二子步驟，測量所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的有源薄膜厚度。該步驟可以利用任何現(xiàn)有的測量膜厚的技術(shù)來實現(xiàn)。接著，在步驟504，根據(jù)所述變化情況，確定要形成的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得所述重疊面積與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。如前所述，在本發(fā)明的一個實施例中，重疊部分的寬度d為固定值。在這種情況下，根據(jù)所述變化情況，確定要形成的有源層溝道區(qū)的寬度，使得有源層溝道區(qū)的寬度與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。此外，如前所述，可以測量第一和第二區(qū)域中的各TFT對應(yīng)位置的厚度，這需要測量非常大量的位置處的厚度。為了提高效率，也可以每隔相對較大的間隔(例如每300-500微米)測量一次厚度，并根據(jù)測得的厚度值來確定膜厚隨位置變化的曲線的擬合函數(shù)。關(guān)于擬合函數(shù)的細節(jié)以及利用擬合函數(shù)確定有源層的重疊面積或溝道區(qū)寬度的細節(jié)，前面在第I部分中已進行了詳細描述，在此不再贅述。在步驟506，在襯底基板上形成薄膜晶體管，使得所形成的薄膜晶體管具有所確定的重疊面積。相應(yīng)地，在上述重疊部分的寬度d為固定值的實施例中，在襯底基板上形成薄膜晶體管，使得所形成的有源層溝道區(qū)具有所確定的寬度。例如，可以通過設(shè)計和制備用于形成薄膜晶體管的一個或多個掩膜，來實現(xiàn)所確定的重疊面積S或溝道區(qū)寬度W。作為一個示例，薄膜晶體管的實現(xiàn)可以如圖6所示，其對應(yīng)于圖3所示的底柵交疊型TFT。在該情況下，形成薄膜晶體管包括步驟602-610。在步驟602，在襯底基板上形成柵極。這可以利用沉積和光刻工藝來實現(xiàn)。例如，可以通過依次執(zhí)行沉積柵極材料層、涂光刻膠、使用掩膜板進行曝光、用顯影液進行顯影、用刻蝕液進行刻蝕、和剝離光刻膠，來在襯底基板上形成柵極。在步驟604，在柵極上形成柵絕緣層。這可以利用沉積工藝來實現(xiàn)，或者可以利用沉積和光刻工藝來實現(xiàn)。在步驟606，在柵絕緣層上形成有源薄膜。這可以通過濺射或蒸鍍等工藝來實現(xiàn)。在步驟608，對有源薄膜進行構(gòu)圖以形成有源層。這可以利用光刻工藝來實現(xiàn)。在步驟610，在有源層上形成源極和漏極。這可以利用沉積和光刻工藝來實現(xiàn)。然而，本發(fā)明并不限于上面描述的示例。作為另一示例，步驟502和504也可以在步驟506的執(zhí)行過程中執(zhí)行。例如，在圖6所示的示例中，先形成有源層，再形成源極和漏極。因此，步驟502和504可以在形成有源薄膜或有源層之后(即，在圖6的步驟606或608之后)執(zhí)行。這樣，在步驟504確定要形成的有源層的重疊面積或溝道區(qū)寬度之后，可以在步驟610中形成源極和漏極來實現(xiàn)所確定的重疊面積或溝道區(qū)寬度。如前所述，可以通過例如設(shè)計和制備用于形成源極和/或漏極的掩膜，來實現(xiàn)所確定的重疊面積或溝道區(qū)寬度。綜上所述，本發(fā)明的至少一個實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況，所述有源薄膜至少具有厚度較大的第一區(qū)域和厚度較小的第二區(qū)域；根據(jù)所述變化情況，確定要形成的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得所述重疊面積與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一；以及在襯底基板上形成薄膜晶體管，使得所形成的薄膜晶體管具有所確定的重疊面積。這樣，由于薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與有源層厚度的比率在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，所以能夠避免在第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成的薄膜晶體管由于有源層厚度的差異而導(dǎo)致源漏極電流的差異，使陣列基板對像素單元的控制在第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一，從而改善顯示效果。應(yīng)注意的是，以上所述僅是本發(fā)明的示范性實施方式，而并非用于限制本發(fā)明的保護范圍，本發(fā)明的保護范圍由所附的權(quán)利要求確定。當(dāng)前第1頁1 2 3