1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管，其特征在于，
所述陣列基板至少具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域中的薄膜晶體管的有源層厚度大于所述第二區(qū)域中的薄膜晶體管的有源層厚度，且所述第一區(qū)域中的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積大于所述第二區(qū)域中的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與有源層厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊部分的長度為有源層溝道區(qū)的寬度，且所述重疊部分的寬度為固定值；以及
薄膜晶體管的有源層溝道區(qū)的寬度與有源層厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的有源層厚度隨有源層位置變化的曲線由擬合函數(shù)表示，且所述至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的有源層厚度隨有源層位置變化的曲線由擬合函數(shù)表示，且所述至少一個區(qū)域中的各薄膜晶體管的有源層溝道區(qū)的寬度與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域周期性地交替排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括用于向有機發(fā)光二極管施加驅(qū)動電流的驅(qū)動薄膜晶體管，以及用于向所述驅(qū)動薄膜晶體管施加驅(qū)動電壓的開關(guān)薄膜晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括用于向液晶層施加數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)薄膜晶體管。
8.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況，所述有源薄膜至少具有厚度較大的第一區(qū)域和厚度較小的第二區(qū)域；
根據(jù)所述變化情況，確定要形成的薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊面積，使得所述重疊面積與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一；以及
在襯底基板上形成薄膜晶體管，使得所形成的薄膜晶體管具有所確定的重疊面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，薄膜晶體管的源極或漏極與有源層之間的重疊部分的長度為有源層溝道區(qū)的寬度，且所述重疊部分的寬度為固定值；以及
確定所述重疊面積包括：確定要形成的有源層溝道區(qū)的寬度，使得有源層溝道區(qū)的寬度與相應(yīng)有源薄膜厚度的比率在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域上保持均一。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況包括：
在與所述襯底基板相同的測試用基板上形成有源薄膜；以及
測量所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的有源薄膜厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，確定所述重疊面積包括：
根據(jù)測得的有源薄膜厚度，確定所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的有源薄膜厚度隨有源層位置變化的曲線的擬合函數(shù)；以及
確定所述至少一個區(qū)域中的所述重疊面積，使其與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，獲得有源薄膜的厚度在襯底基板上隨位置的變化情況包括：
在與所述襯底基板相同的測試用基板上形成有源薄膜；以及
測量所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的有源薄膜厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，確定要形成的有源層溝道區(qū)的寬度包括：
根據(jù)測得的有源薄膜厚度，確定所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的至少一個區(qū)域中的有源薄膜厚度隨有源層位置變化的曲線的擬合函數(shù)；以及
確定所述至少一個區(qū)域中的有源層溝道區(qū)的寬度，使其與所述擬合函數(shù)成正比地隨有源層位置變化。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板上形成薄膜晶體管包括：
在所述襯底基板上形成柵極；
在所述柵極上形成柵絕緣層；
在所述柵絕緣層上形成有源薄膜；
對所述有源薄膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成有源層；以及
在所述有源層上形成源極和漏極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，
在形成有源薄膜或有源層之后，獲得所述變化情況并確定所述重疊面積。