技術總結
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器，尤其涉及一種背照式圖像傳感器的背面結構及其制備方法，制備一襯底，襯底包括一凹槽，一感光二極管預制備區(qū)以及填埋于凹槽的底部下方的一金屬互聯(lián)層，于感光二極管預制備區(qū)處的襯底的表面覆蓋一第一介質層，于凹槽的底部和側壁以及第一介質層的表面覆蓋一第一氧化物層，在第一金屬層上對第二金屬層進行圖形化工藝，以在凹槽內形成金屬墊，以及在感光二極管預制備區(qū)處的第一氧化物層上方由第二介質層和第一金屬層形成多個柵格，工藝簡單，生產成本較低，同時不影響形成圖像傳感器的后續(xù)工藝。

技術研發(fā)人員：王前文;胡勝;孫鵬
受保護的技術使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號碼：201610939932
技術研發(fā)日：2016.11.01
技術公布日：2017.02.22