1.一種背照式圖像傳感器的背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底，包括一凹槽和一感光二極管預(yù)制備區(qū)；
所述凹槽的底部下方填埋有一金屬互聯(lián)層；
第一介質(zhì)層，覆蓋所述感光二極管預(yù)制備區(qū)處的所述襯底的表面；
第一氧化物層，覆蓋所述凹槽的底部和側(cè)壁，并且覆蓋所述第一介質(zhì)層的表面；
開口，同時(shí)穿過所述凹槽內(nèi)的所述第一氧化物層和所述凹槽的底部的所述襯底，終止于所述金屬互聯(lián)層；
第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一氧化物層的表面，以及所述開口的側(cè)壁；
第一金屬層，覆蓋所述第二介質(zhì)層，并填充所述開口且與所述金屬互聯(lián)層接觸；
多個(gè)金屬柵格，由圖形化位于所述感光二極管預(yù)制備區(qū)的所述第二介質(zhì)層和一第一金屬層得到；
金屬墊，形成于所述凹槽內(nèi)的所述第一金屬層的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
第二氧化物層，覆蓋每個(gè)所述金屬柵格的表面及側(cè)壁以對(duì)每個(gè)所述金屬柵格進(jìn)行保護(hù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層由金屬鎢形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柵格等間距分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬墊由金屬鋁形成。
6.一種背照式圖像傳感器的背面結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1，制備一襯底，所述襯底包括一凹槽，一感光二極管預(yù)制備區(qū)以及填埋于所述凹槽的底部下方的一金屬互聯(lián)層；
步驟S2，于所述感光二極管預(yù)制備區(qū)處的所述襯底的表面覆蓋一第一介質(zhì)層；
步驟S3，于所述凹槽的底部和側(cè)壁以及所述第一介質(zhì)層的表面覆蓋一第一氧化物層；
步驟S4，同時(shí)穿過所述凹槽內(nèi)的所述第一氧化物層和所述凹槽的底部的所述襯底形成開口，所述開口終止于所述金屬互聯(lián)層；
步驟S5，于所述開口的側(cè)壁和所述第一氧化物層的表面覆蓋一第二介質(zhì)層；
步驟S6，制備一第一金屬層覆蓋所述第二介質(zhì)層并填充所述開口且與所述金屬互聯(lián)層接觸；
步驟S7，制備一第二金屬層覆蓋所述第一金屬層；
步驟S8，圖形化所述凹槽內(nèi)的所述第二金屬層，以于所述凹槽內(nèi)的所述第一金屬層表面形成一金屬墊；
步驟S9，圖形化所述感光二極管預(yù)制備區(qū)處的所述第二介質(zhì)層和所述第一金屬層，以于所述感光二極管預(yù)制備區(qū)處的所述第一氧化物層表面形成間隔分布的多個(gè)金屬柵格。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括：
步驟S10，于每個(gè)所述金屬柵格的表面及側(cè)壁覆蓋一第二氧化物層，以對(duì)每個(gè)所述金屬柵格進(jìn)行保護(hù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層由金屬鎢形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬柵格等間距分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層由金屬鋁形成。