專利名稱：背照式的cmos圖像傳感器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像傳感器領(lǐng)域，特別是涉及一種背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是在光電技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，所謂圖像傳感器，就是能夠感受光學(xué)圖像信息并將其轉(zhuǎn)換成可輸出信號(hào)的傳感器。圖像傳感器可以提高人眼的視覺范圍，使人們看到肉眼無法看到的微觀世界和宏觀世界，看到人們暫時(shí)無法到達(dá)處發(fā)生的事情，看到超出肉眼視覺范圍的各種物理、化學(xué)變化過程，生命、生理、病變的發(fā)生發(fā)展過程，等等。可見圖像傳感器在人們的文化、體育、生產(chǎn)、生活和科學(xué)研究中起到非常重要的作用?？梢哉f，現(xiàn)代人類活動(dòng)已經(jīng)無法離開圖像傳感器了。圖像傳感器可依據(jù)其采用的原理而區(qū)分為電荷耦合裝置(Charge-CoupledDevice)圖像傳感器(亦即俗稱CCD圖像傳感器)以及CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor)圖像傳感器,其中CMOS圖像傳感器基于互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)而制造。由于CMOS圖像傳感器是采用傳統(tǒng)的CMOS電路工藝制作，因此可將圖像傳感器以及其所需要的外圍電路加以整合，從而使得CMOS圖像傳感器具有更廣的應(yīng)用前景。按照接收光線的位置的不同，CMOS圖像傳感器可以分為前照式的CMOS圖像傳感器及背照式的CMOS圖像傳感器，其中，背照式的CMOS影像傳感器與前照式的CMOS圖像傳感器相比，最大的優(yōu)化之處就是將元件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)改變了，即將感光層的元件入射光路調(diào)轉(zhuǎn)方向，讓光線能從背面直射進(jìn)去，避免了在前照式的CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)中，光線會(huì)受到微透鏡和光電二極管之間的結(jié)構(gòu)和厚度的影響，提高了光線接收的效能。但在現(xiàn)有技術(shù)的背照式的CMOS圖像傳感器中，光線會(huì)進(jìn)入相鄰的像素單元區(qū)域，從而對相鄰的像素單元區(qū)域造成光學(xué)串?dāng)_，使得背照式的CMOS圖像傳感器的顯示褪色。因此，如何提供一種背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法，減少或避免光線進(jìn)入相鄰的像素單元區(qū)域，改善對相鄰的像素單元區(qū)域造成電信號(hào)的串?dāng)_，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法，能夠減少或避免光線進(jìn)入相鄰的像素單元區(qū)域，改善對相鄰的像素單元區(qū)域造成電信號(hào)的串?dāng)_，提高背照式的CMOS圖像傳感器的成色質(zhì)量。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種背照式的CMOS圖像傳感器，包括:半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面；所述半導(dǎo)體基底的正面形成有至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素；
所述半導(dǎo)體基底的背面形成有溝槽，所述溝槽位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間；所述半導(dǎo)體基底的背面形成有隔絕層，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙；所述隔絕層上依次形成有濾光片和微透鏡。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器中，所述隔絕層為透明材料。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器中，所述隔絕層的材料為深寬比填隙能力小于等于4: I的材料。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器中，所述隔絕層的材料為二氧化硅。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器中，所述隔絕層的厚度為I納米 2微米。根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，包括:提供半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面；在所述半導(dǎo)體基底的正面上形成至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素；對所述半導(dǎo)體基底的背面進(jìn)行薄化；選擇性地對所述半導(dǎo)體基底的背面進(jìn)行刻蝕，以在相鄰所述像素單元區(qū)域之間形成溝槽；在所述半導(dǎo)體基底的背面形成，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙；在所述隔絕層上依次形成濾光片和微透鏡。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法中，通常采用化學(xué)沉積法生長所述隔絕層。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法中，所述隔絕層為透明材料。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法中，所述隔絕層的材料為深寬比填隙能力小于等于4:I的材料。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法中，所述隔絕層的材料為
二氧化硅。進(jìn)一步的，在所述背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法中，所述隔絕層厚度I納米 2微米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供的背照式的CMOS圖像傳感器，在所述半導(dǎo)體基底的背面有空氣隙，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述空氣隙位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間，當(dāng)像素感光時(shí)，光線從所述半導(dǎo)體基底的背面穿過所述微透鏡、濾光片、隔絕層和半導(dǎo)體基底，到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界。當(dāng)光從光密介質(zhì)(半導(dǎo)體基底)進(jìn)入光疏介質(zhì)(空氣隙)時(shí)，兩種材料折射率差越大，反射率越大。由于空氣的折射率在所有介質(zhì)中最小(真空除外)，因此空氣對光的反射率最大，當(dāng)光線到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界時(shí)，大部分光線被反射回所述半導(dǎo)體基底以到達(dá)目標(biāo)像素中，而不會(huì)進(jìn)入相鄰像素，避免產(chǎn)生光學(xué)串?dāng)_。特別地，光從光密介質(zhì)(基體材料)進(jìn)入光疏介質(zhì)(空氣隙)時(shí)，當(dāng)所述光線的入射角大于臨界值時(shí)，所述光線完全被反射回所述半導(dǎo)體基底以目標(biāo)像素中，從而徹底消除光學(xué)串?dāng)_現(xiàn)象。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中的背照式的CMOS圖像傳感器的示意圖；圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法的流程圖；圖3a-圖3e為本發(fā)明一實(shí)施例中的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種背照式的CMOS圖像傳感器，包括半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面，所述半導(dǎo)體基底的正面形成有至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素，所述半導(dǎo)體基底的背面形成有溝槽，所述溝槽位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間，所述半導(dǎo)體基底的背面形成有隔絕層，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙，所述隔絕層上依次形成有濾光片和微透鏡。當(dāng)像素感光時(shí)，部分光線所述半導(dǎo)體基底的背面穿過所述微透鏡、濾光片、隔絕層和半導(dǎo)體基底，到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界，由于空氣的折射率在所有介質(zhì)中最小，因此空氣對光的反射率最大，當(dāng)光線到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界時(shí)，光線被反射回所述半導(dǎo)體基底以到達(dá)目標(biāo)像素中，而不會(huì)進(jìn)入相鄰像素，避免產(chǎn)生光學(xué)串?dāng)_。結(jié)合上述核心思想，本發(fā)明還提供一種背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，包括:提供半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面；在所述半導(dǎo)體基底的正面上形成至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素；對所述半導(dǎo)體基底的背面進(jìn)行薄化；
選擇性地對所述半導(dǎo)體基底的背面進(jìn)行刻蝕，以在相鄰所述像素單元區(qū)域之間形成溝槽；在所述半導(dǎo)體基底的背面形成，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙；在所述隔絕層上依次形成濾光片和微透鏡。以下請參考圖1詳細(xì)說明本發(fā)明所述背照式的CMOS圖像傳感器。如圖1所示，半導(dǎo)體基底100包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域110，所述半導(dǎo)體基底100具有正面101和與之相對的背面102。需要說明的是，在圖1中僅示出了 3個(gè)所述像素單元區(qū)域110，但所述像素單元區(qū)域110并不限于3個(gè)，如還可以為2個(gè)、4個(gè)、10個(gè)或更多，根據(jù)具體需要設(shè)置。其中，半導(dǎo)體基底100可以為具有器件和金屬互連的芯片。所述半導(dǎo)體基底100的正面101形成有像素120，每一所述像素單元區(qū)域110內(nèi)具有一個(gè)所述像素120，所述像素120可以包括光電二極管、浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)以及柵極等器件，另外，所述像素120之間還可通過淺槽隔離(STI)，此為本領(lǐng)域的常用技術(shù)手段，在此不作贅述。所述半導(dǎo)體基底100的背面102具有溝槽103，所述溝槽103位于相鄰所述像素單元區(qū)域110之間。所述半導(dǎo)體基底100的背面102的表面形成有隔絕層200，所述隔絕層200與所述溝槽103形成空氣隙130，所以，所述空氣隙130位于相鄰所述像素單元區(qū)域110之間，所述空氣隙130被空氣填充，而一般所述半導(dǎo)體基底100的材料為硅或氮化鎵等半導(dǎo)體，所以所述空氣的折射率遠(yuǎn)小于所述半導(dǎo)體基底100的折射率，當(dāng)入射光I從一所述像素單元區(qū)域Iio的所述背面102射入時(shí)，如果沒有所述空氣隙130，入射光I會(huì)沿著虛線方向R射入相鄰的所述像素單元區(qū)域110內(nèi)，從而對相鄰的像素單元區(qū)域110造成光學(xué)串?dāng)_，使得該背照式的CMOS圖像傳感器的顯示褪色；由于在本實(shí)施例中具有所述空氣隙130，當(dāng)像素感光時(shí)，入射光I從一所述像素單元區(qū)域110的所述背面102射入時(shí)，光線I所述半導(dǎo)體基底100的背面102穿過所述微透鏡400、濾光片300、隔絕層200和半導(dǎo)體基底100，到達(dá)所述空氣隙130和所述半導(dǎo)體基底100材料的邊界，由于空氣的折射率在所有介質(zhì)中最小(真空除外)，因此空氣對光的反射率最大，當(dāng)入射光I到達(dá)空氣隙130和所述半導(dǎo)體基底100材料的邊界，大部分入射光I被所述空氣隙130和所述半導(dǎo)體基底100材料的邊界反射，形成反射光0，從而被反射回所述半導(dǎo)體基底100以到達(dá)目標(biāo)像素中，而不會(huì)進(jìn)入相鄰像素，避免產(chǎn)生光學(xué)串?dāng)_。特別地，光從光密介質(zhì)(基體材料)進(jìn)入光疏介質(zhì)(空氣隙)時(shí)，當(dāng)入射光I在空氣隙130和所述半導(dǎo)體基底100材料的入射角α大于空氣與所述半導(dǎo)體基底100材料的臨界值時(shí)，產(chǎn)生全反射現(xiàn)象，入射光I完全被反射回目標(biāo)像素中，徹底消除光學(xué)串?dāng)_現(xiàn)象。在本實(shí)施例中，對所述溝槽103的深度不做具體限制，所述溝槽103的深度越深，所述空氣隙130與所述半導(dǎo)體基底100的界面就越大，所述空氣隙130就可以反射更多的入射光I，越有利于減少光學(xué)串?dāng)_。對所述溝槽103的寬度也不做具體限制，在工藝條件的允許下，所述溝槽103的寬度越小，就可以更好地防止后續(xù)沉積的隔絕層200等進(jìn)入所述溝槽103，越有利于形成所述空氣隙130。所述溝槽103寬度越大，則要求所述隔絕層200填隙能力越差，以確保在所述溝槽103中形成空氣隙。所以所述溝槽103寬度應(yīng)與所述隔絕層102填隙能力相匹配，只要能保證所述隔絕層200的材料不能填充到所述溝槽103中，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。所述半導(dǎo)體基底100的背面102上形成有隔絕層200，所述隔絕層200和所述半導(dǎo)體基底100中的所述溝槽103形成空氣隙130，使得所述空氣隙130具有空氣而不被隔絕層200材料所填充，以保證到達(dá)空氣隙130和基體材料100邊界的入射光I最大程度地被反射回目標(biāo)像素中。其中，所述隔絕層200的材料較佳的為光學(xué)透明材料，可以使入射光I穿過所述隔絕層200，所述隔絕層200的厚度優(yōu)選為I納米 2微米。較佳的，所述隔絕層200的材料選擇深寬比填隙能力小于等于4: I的材料，即當(dāng)所述溝槽103的深寬比小于等于4: I時(shí)，所述隔絕層200的材料不能填充所述溝槽103，有利于形成所述空氣隙130。優(yōu)選的，所述隔絕層200的材料為二氧化硅，如以硅烷為主要反應(yīng)物的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備的二氧化硅的填隙能力差，可以很好的保證所述隔絕層200的材料不能填充到所述溝槽103中，但所述隔絕層200的材料并不限于為二氧化硅，只要是填隙能力差的材料，即所述隔絕層200的材料選擇深寬比填隙能力小于等于4: I的材料，亦能保證不能填充所述溝槽103，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。所述隔絕層200上依次形成有濾光片300和微透鏡400，如體I所示。以下結(jié)合圖2以及圖3a-圖3e具體說明本實(shí)施例中背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法。其中，圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法的流程圖，圖3a_圖3e為本發(fā)明一實(shí)施例中的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法的示意圖。首先，進(jìn)行步驟S11，提供半導(dǎo)體基底100，所述半導(dǎo)體基底100包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域110，所述半導(dǎo)體基底100具有正面101和與之相對的背面102。然后，進(jìn)行步驟S12，在所述半導(dǎo)體基底100的正面101上形成像素120，每一所述像素單元區(qū)域Iio內(nèi)具有一個(gè)所述像素120，如圖3a所示。接著，進(jìn)行步驟S13，對所述半導(dǎo)體基底100的背面102進(jìn)行薄化，如圖3b所示，可以根據(jù)不同的厚度需要對所述半導(dǎo)體基底100的背面102進(jìn)行薄化，背面薄化已是成熟工藝，在此不再贅述。隨后，進(jìn)行步驟S14，選擇性地對所述半導(dǎo)體基底100的背面102進(jìn)行刻蝕，以在相鄰所述像素單元區(qū)域110之間形成溝槽103，如圖3c所示。接著，進(jìn)行步驟S15，在所述半導(dǎo)體基底100的背面102上形成隔絕層200，所述隔絕層200與所述溝槽103形成所述空氣隙130。較佳的，通常采用化學(xué)沉積法生長所述隔絕層200易于形成空氣隙130。最后，進(jìn)行步驟S16，在所述隔絕層200上依次形成濾光片300和微透鏡400，如圖3e所示。綜上所述，本發(fā)明提供一種背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法，所述背照式的CMOS圖像傳感器包括半導(dǎo)體基底，包括半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面，所述半導(dǎo)體基底的正面形成有至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素，所述半導(dǎo)體基底的背面形成有溝槽，所述溝槽位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間，所述半導(dǎo)體基底的背面形成有隔絕層，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙，所述隔絕層上依次形成有濾光片和微透鏡。當(dāng)像素感光時(shí)，部分光線所述半導(dǎo)體基底的背面穿過所述微透鏡、濾光片、隔絕層和半導(dǎo)體基底，到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界，由于空氣的折射率在所有介質(zhì)中最小，因此空氣對光的反射率最大，當(dāng)光線到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界時(shí)，光線被反射回所述半導(dǎo)體基底以到達(dá)目標(biāo)像素中，而不會(huì)進(jìn)入相鄰像素，避免產(chǎn)生光學(xué)串?dāng)_。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的背照式的CMOS圖像傳感器及其制備方法具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供的背照式的CMOS圖像傳感器，在所述半導(dǎo)體基底的背面有空氣隙，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述空氣隙位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間，當(dāng)像素感光時(shí)，部分光線所述半導(dǎo)體基底的背面穿過所述微透鏡、濾光片、隔絕層和半導(dǎo)體基底，到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界，由于空氣的折射率在所有介質(zhì)中最小(真空除外)，因此空氣對光的反射率最大，當(dāng)光線到達(dá)所述空氣隙和半導(dǎo)體基底材料的邊界時(shí)，大部分光線被反射回所述半導(dǎo)體基底以到達(dá)目標(biāo)像素中，而不會(huì)進(jìn)入相鄰像素，避免產(chǎn)生光學(xué)串?dāng)_。特別地，光從光密介質(zhì)(基體材料)進(jìn)入光疏介質(zhì)(空氣隙)時(shí)，當(dāng)所述光線的入射角大于臨界值時(shí)，所述光線完全被反射回所述半導(dǎo)體基底以目標(biāo)像素中，從而徹底消除光學(xué)串?dāng)_現(xiàn)象。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種背照式的CMOS圖像傳感器，包括: 半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面； 所述半導(dǎo)體基底的正面形成有至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素； 所述半導(dǎo)體基底的背面形成有溝槽，所述溝槽位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間； 所述半導(dǎo)體基底的背面形成有隔絕層，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙； 所述隔絕層上依次形成有濾光片和微透鏡。
2.按權(quán)利要求1所述的背照式的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述隔絕層為透明材料。
3.按權(quán)利要求2所述的背照式的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述隔絕層的材料為深寬比填隙能力小于等于4:I的材料。
4.按權(quán)利要求3所述的背照式的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述隔絕層的材料為二氧化硅。
5.按權(quán)利要求1所述的背照式的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述隔絕層的厚度為I納米 2微米。
6.一種背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，包括: 提供半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面； 在所述半導(dǎo)體基底的正面上形成至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素； 對所述半導(dǎo)體基底的背面進(jìn)行薄化； 選擇性地對所述半導(dǎo)體基底的背面進(jìn)行刻蝕，以在相鄰所述像素單元區(qū)域之間形成溝槽； 在所述半導(dǎo)體基底的背面形成隔絕層，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙； 在所述隔絕層上依次形成濾光片和微透鏡。
7.按權(quán)利要求6所述的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，通常采用化學(xué)沉積法生長所述隔絕層。
8.按權(quán)利要求6所述的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述隔絕層為透明材料。
9.按權(quán)利要求8所述的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述隔絕層的材料為深寬比填隙能力小于等于4:I的材料。
10.按權(quán)利要求9所述的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述隔絕層的材料為二氧化硅。
11.按權(quán)利要求5所述的背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，其特征在于，所述隔絕層厚度I納米 2微米。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種背照式的CMOS圖像傳感器，包括半導(dǎo)體基底，包括至少兩個(gè)像素單元區(qū)域，所述半導(dǎo)體基底具有正面和與之相對的背面；所述半導(dǎo)體基底的正面形成有至少兩個(gè)像素，每一所述像素單元區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)所述像素；所述半導(dǎo)體基底的背面形成有溝槽，所述溝槽位于相鄰所述像素單元區(qū)域之間；所述半導(dǎo)體基底的背面形成有隔絕層，所述隔絕層與所述溝槽形成空氣隙；所述隔絕層上依次形成有濾光片和微透鏡。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種背照式的CMOS圖像傳感器的制備方法，采用本發(fā)明的背照式的CMOS圖像傳感器，能夠減少或避免光線進(jìn)入相鄰的像素單元區(qū)域，改善對相鄰的像素單元區(qū)域造成光學(xué)串?dāng)_現(xiàn)象，提高背照式的CMOS圖像傳感器的成色質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103094298SQ20131006062
公開日2013年5月8日 申請日期2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月26日
發(fā)明者饒金華 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司