技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底和在襯底上方形成的納米線結(jié)構(gòu)。此外，該納米線結(jié)構(gòu)包括第一部分、第二部分和第三部分。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括在納米線結(jié)構(gòu)的第三部分周圍形成的柵極結(jié)構(gòu)和在納米線結(jié)構(gòu)的第一部分中形成的源極區(qū)域。此外，納米線結(jié)構(gòu)中的耗盡區(qū)的長度長于柵極結(jié)構(gòu)的長度并且沒有與源極區(qū)域接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：讓-皮埃爾·科林格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.21
技術(shù)公布日：2017.08.11