技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
對(duì)超過300℃的高溫?zé)峁ば蚓哂心褪苄郧夷芴岣弑⌒途纳a(chǎn)性的晶片加工體，其在支撐體上形成暫時(shí)粘著材料層，在該暫時(shí)粘著材料層上積層有晶片，該晶片的表面具有電路面且背面需要加工，所述暫時(shí)粘著材料層具備包括以下三層結(jié)構(gòu)的復(fù)合暫時(shí)粘著材料層：第一暫時(shí)粘著層，由膜厚不足100nm的熱塑性有機(jī)聚硅氧烷聚合物層(A)構(gòu)成，以能剝離的方式積層于所述晶片的表面；第二暫時(shí)粘著層，由熱固化性硅氧烷改性聚合物層(B)構(gòu)成，以能剝離的方式積層于該第一暫時(shí)粘著層；第三暫時(shí)粘著層，由膜厚不足100nm的熱塑性有機(jī)聚硅氧烷聚合物層(A’)構(gòu)成，以能剝離的方式積層于該第二暫時(shí)粘著層，并以能剝離的方式積層于所述支撐體。

技術(shù)研發(fā)人員：田上昭平;菅生道博;安田浩之;田邊正人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.19
技術(shù)公布日：2017.07.14