本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域濾光片等元件的加工，具體涉及一種擴膜機及利用該擴膜機進行激光切割的工藝。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的濾色片或濾光片等元件是采用disco安裝鉆石刀片切割，由于這些元件是脆性材料，極易破裂，接觸式加工極易導(dǎo)致濾色片邊緣破裂，交叉部分更為嚴重，導(dǎo)致濾色片崩邊較多，有時還會造成隱性裂紋，從而導(dǎo)致成品的膠合力不穩(wěn)定。而新型的激光切割屬于非接觸式加工，無應(yīng)力，切邊平直整齊，無損壞；不存在道具磨損問題，不會損傷濾色片結(jié)構(gòu)；切割速度快，切割深度極易控制，可以在維持速度不變的條件下，加大輸出功率來增加切割厚度；如何高效、高質(zhì)量的完成切割仍是激光切割所面臨的問題。

對切割后的產(chǎn)品進行擴膜時，現(xiàn)有的擴膜機結(jié)構(gòu)復(fù)雜，容易破膜，擴張范圍不能滿足需求，且生產(chǎn)效率低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種擴膜機及利用該擴膜機進行激光切割的工藝。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種擴膜機，包括：

工作平臺，所述工作平臺上具有能夠相對所述工作平臺升降的擴膜基座；

蓋體，所述蓋體相對所述擴膜基座開合設(shè)置，所述蓋體包括蓋本體和子蓋體，所述蓋本體具有相對所述擴膜基座開設(shè)的通孔，子蓋體相對所述擴膜基座設(shè)置，且子蓋體能穿過所述通孔與所述擴膜基座接觸；

子環(huán)和母環(huán)，子環(huán)設(shè)于擴膜基座上，母環(huán)設(shè)于子蓋體上，且子環(huán)和母環(huán)接觸時能夠卡合在一起。

優(yōu)選的，所述擴膜基座連有加熱機構(gòu)和溫度控制機構(gòu)。

優(yōu)選的，所述子蓋體與所述蓋本體之間沿周向設(shè)有若干導(dǎo)向柱，所述子蓋體連有動力裝置。

優(yōu)選的，所述蓋體鉸接于工作平臺，所述蓋體還設(shè)有將蓋體固于所述工作平臺上的鎖定機構(gòu)。

優(yōu)選的，所述擴膜基座、通孔基所述子蓋體均為圓形。

利用上述擴膜機進行激光切割的工藝，包括步驟：

（1）在貼膜正面中部貼附至少一個中片，然后將第一晶圓環(huán)沿貼膜周緣貼于貼膜正面，形成片材組件；進一步優(yōu)選的，一片貼膜上貼有四個中片；

（2）將片材組件放入激光切割機中，然后用激光束將中片切割成若干小片；

（3）取出片材組件，并將其放入擴膜機中擴膜。

優(yōu)選的，步驟（3）還包括步驟：

（3-1）在擴膜基座上放置子環(huán)，在子蓋體上放置母環(huán)，然后將貼膜加熱至50-150℃，恒溫下置于擴膜基座上，貼膜正面朝上，且第一晶圓環(huán)置于工作平臺上；

（3-2）合上蓋體，蓋本體壓住第一晶圓環(huán)，上升擴膜基座，此時擴膜基座抵住其上部的貼膜，使貼膜擴展，最終帶動小片與小片之間的距離擴大；

（3-3）下降子蓋體，使子蓋體上的母環(huán)與子環(huán)接觸并卡合；

（3-4）打開蓋體，取下帶有子環(huán)和母環(huán)的片材組件，冷卻。冷卻至室溫，能夠進一步保證膜的穩(wěn)定性，避免膜回縮，保證小片之間的間隙，同時也能夠避免切割后的小片在轉(zhuǎn)移過程中遺落，保證甚至提高粘接力。

優(yōu)選的，步驟（3-1）中貼膜加熱溫度為80-90℃。最有選的為85℃。

優(yōu)選的，步驟（3）后還包括步驟（4）：

將片材組件置于轉(zhuǎn)盤平臺上，用第二晶圓環(huán)更換第一晶圓環(huán)，所述第二晶圓環(huán)尺寸小于第一晶圓環(huán)的尺寸。

本發(fā)明所述“正面”是任意指定的貼膜一面，相背“正面”的即是“反面”。

本發(fā)明所達到的有益效果：

激光切割后，由于輕微的熱效應(yīng)影響，切割完畢后，小片不會自動分離，而是由極為微弱的附著力而黏連在一起。放置片材組件時，第一晶圓環(huán)是在工作平臺上，而第一晶圓片里側(cè)的貼膜置于擴膜基座上，蓋體合上后，蓋本體壓住第一晶圓環(huán)，與第一圓晶環(huán)一同壓住貼膜外緣，然后擴膜基座被向上抬起，抵住貼膜，使膜擴張的同時便能夠均勻的擴張破裂的晶圓，使之達到所要的間隙；子環(huán)和母環(huán)能夠避免膜的收縮，產(chǎn)生褶皺，保證擴膜效果。

擴膜機擴膜效率高，擴膜質(zhì)量好，使用方便，結(jié)構(gòu)簡單。本發(fā)明的切割工藝步驟合理，現(xiàn)對現(xiàn)有技術(shù)而言，切割效率和切割質(zhì)量均有所提高。

附圖說明

圖1是擴膜機的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是片材組件的結(jié)構(gòu)示意圖（切割后，擴膜前）；

圖3是片材組件的結(jié)構(gòu)示意圖（擴膜后）；其中：

1.第一晶圓環(huán)，2.貼膜，3.片材，4.水平基座，5.旋轉(zhuǎn)臺，6.工作平臺，7.擴膜基座，8.蓋體，81.蓋本體，82.子蓋體，83.鉸鏈，84.導(dǎo)向柱。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。

實施例1

如圖1所示，一種擴膜機，包括：

工作平臺，工作平臺上具有能夠相對該工作平臺升降的擴膜基座；具體的，擴膜基座連有氣缸等升降機構(gòu)；

蓋體，蓋體相對擴膜基座開合設(shè)置，蓋體包括蓋本體和子蓋體，蓋本體具有相對擴膜基座開設(shè)的通孔，子蓋體相對擴膜基座設(shè)置，且子蓋體能穿過通孔與擴膜基座接觸；具體的，子蓋體與所述蓋本體之間沿周向設(shè)有若干導(dǎo)向柱，子蓋體連有動力裝置，本實施例中該動力裝置為升降氣缸。

子環(huán)和母環(huán)，子環(huán)設(shè)于擴膜基座上，母環(huán)設(shè)于子蓋體上，且子環(huán)和母環(huán)接觸時能夠卡合在一起。

在擴膜完成之前，子蓋體是位于蓋本體上方的，合上蓋體時，子蓋體是不與擴膜基座基待加工組件接觸的，擴膜完成后，啟動升降氣缸，子蓋體在導(dǎo)向柱配合下朝向待加工組件靠近，最終子蓋體上的母環(huán)與擴膜基座上的子環(huán)卡合，然后打開蓋體，取出加工組件，完成擴膜。

為了便于加工，擴膜基座連有加熱機構(gòu)和溫度控制機構(gòu)。

開合式的蓋體可以是這樣的實現(xiàn)方式：蓋體通過鉸鏈鉸接于工作平臺，蓋體還設(shè)有將蓋體固于所述工作平臺上的鎖定機構(gòu)。還可以利用升降裝置帶動蓋體上下開合。

實施例2

利用實施例1中擴膜機進行切割的工藝，其中，為了配合加工組件形狀擴膜基座、通孔及子蓋體均為圓形。該工藝包括步驟：

（1）在貼膜正面中部貼附四個中片，中片個數(shù)根據(jù)需要可任意調(diào)整。然后將第一晶圓環(huán)沿貼膜周緣貼于貼膜正面，形成片材組件；

（2）將片材組件放入激光切割機中，然后用激光束將中片切割成若干小片；具體是大小均勻的矩形小片；如圖2所示，

（3）取出片材組件，并將其放入擴膜機中擴膜，如圖3所示：

（3-1）在擴膜基座上放置子環(huán)，在子蓋體上放置母環(huán)，然后將貼膜加熱至85℃，恒溫下置于擴膜基座上，貼膜正面朝上，且第一晶圓環(huán)置于工作平臺上；

（3-2）合上蓋體，蓋本體壓住第一晶圓環(huán)，上升擴膜基座，此時擴膜基座抵住其上部的貼膜，使貼膜擴展，最終帶動小片與小片之間的距離擴大；

（3-3）下降子蓋體，使子蓋體上的母環(huán)與子環(huán)接觸并卡合；

（3-4）打開蓋體，取下帶有子環(huán)和母環(huán)的片材組件，冷卻至室溫；

（4）將片材組件置于轉(zhuǎn)盤平臺上，用第二晶圓環(huán)更換第一晶圓環(huán)，第二晶圓環(huán)為8寸，第一晶圓環(huán)的尺寸為10寸。

第一晶圓環(huán)和第二晶圓環(huán)均為金屬圓環(huán)片，具體選為不銹鋼圓環(huán)片。切割后的產(chǎn)品送入下一加工工序中。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。