本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術：

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display：簡稱LCD)是目前一種較為常用的顯示裝置之一。一般液晶顯示器包括：相對設置陣列基板和彩膜基板，以及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。為了液晶分子在陣列基板和彩膜基板上有序的排列，則需要在這兩者相對的側(cè)面上涂覆取向膜。

近年來，隨著制作工藝的不斷更新與改善，取向膜的涂覆逐漸用噴墨(Inkjet)方式替代了以往的涂料(Coater)方式。與傳統(tǒng)的Coater方式相比，Inkjet方式具有涂覆速度快、節(jié)省原材料成本、工藝易于操作調(diào)整等優(yōu)點。目前Inkjet方式存在的一個主要問題是取向液(PI)擴散效果欠佳，主要表現(xiàn)在陣列基板上進行噴墨取向液。原因是陣列基板的表面段差相對較大，取向液往往不能得到很有效的擴散，尤其在取向液進入過孔和不進入過孔兩種情況呈現(xiàn)周期性規(guī)律的差異時，將會在宏觀上表現(xiàn)出Mura不良。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提供一種可以改善由于取向液擴散不均而造成顯示不良的問題的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，包括：基底，設置在所述基底上的層結(jié)構，設置在所述層結(jié)構上方的取向?qū)?；其中，在所述層結(jié)構中設置有凹孔，環(huán)繞所述凹孔的取向?qū)又辽俅嬖趦蓚€位置到所述基底的距離不相等。

優(yōu)選的是，環(huán)繞所述凹孔的取向?qū)哟嬖趦蓚€位置到所述基底的距離不相等，且這兩個位置沿所述過孔的軸線對稱設置。

優(yōu)選的是，所述層結(jié)構包括依次設置在所述基底上方的公共電極線所在層、柵極絕緣層、平坦化層、公共電極所在層；所述凹孔為貫穿所述柵極絕緣層和所述平坦化層的過孔，用于將所述公共電極與所述公共電極線連接。

進一步優(yōu)選的是，所述公共電極線位于所述過孔所在區(qū)域和環(huán)繞所述過孔的部分所述柵極絕緣層下方。

進一步優(yōu)選的是，所述公共電極線位于所述過孔的部分區(qū)域和環(huán)繞所述過孔的部分所述柵極絕緣層下方。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板的制備方法，包括：

在基底上形成層結(jié)構，并在所述層結(jié)構中形成凹孔；

在所述層結(jié)構上方形成取向?qū)?，其中環(huán)繞所述凹孔的所述取向?qū)又辽俅嬖趦蓚€位置到所述基底的距離不相等。

優(yōu)選的是，所述層結(jié)構包括依次設置在所述基底上方的公共電極線所在層、柵極絕緣層、平坦化層、公共電極所在層；所述凹孔為貫穿所述柵極絕緣層和所述平坦化層的過孔，用于將所述公共電極與所述公共電極線連接。

進一步優(yōu)選的是，所述公共電極線位于所述過孔所在區(qū)域和環(huán)繞所述過孔的部分所述柵極絕緣層下方。

進一步優(yōu)選的是，所述公共電極線位于所述過孔的部分區(qū)域和環(huán)繞所述過孔的部分所述柵極絕緣層下方。

解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。

本發(fā)明具有如下有益效果：

由于本發(fā)明中的陣列基板，在環(huán)繞凹孔的取向?qū)又辽俅嬖趦蓚€位置到基底的距離不相等，也就是說在形成取向?qū)又暗年嚵谢宓纳媳砻嬖诃h(huán)繞凹孔的周圍存在高度差，因此可以緩解陣列基板的上表面在環(huán)繞凹孔位置的表面張力，從而在對該種陣列基板的上表面噴涂取向液以形成取向?qū)訒r，可以很好的使得取向液流入陣列基板上與凹孔所對應的位置，進而改善由于取向液擴散不均而造成顯示不良的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構示意圖；

圖2為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的一種結(jié)構示意圖；

圖3為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的另一種結(jié)構示意圖；

圖4為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的制備方法的流程圖。

其中附圖標記為：10、基底；1、公共電極線；2、柵極絕緣層；3、平坦化層；4、公共電極；5、取向?qū)印?/p>

具體實施方式

為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

實施例1：

結(jié)合圖2和3所示，本實施例提供一種陣列基板，包括：基底10，設置在基底10上的層結(jié)構，設置在層結(jié)構上方的取向?qū)?；其中，在層結(jié)構中設置有凹孔，且環(huán)繞凹孔的取向?qū)?至少存在兩個位置到基底10的距離不相等，即d1≠d2。

由于本實施例中的陣列基板，在環(huán)繞凹孔的取向?qū)?至少存在兩個位置到基底10的距離不相等，也就是說在形成取向?qū)?之前的陣列基板的上表面在環(huán)繞凹孔的周圍存在高度差，因此，較如圖1所示的現(xiàn)有技術中的陣列基板而言，可以緩解陣列基板的上表面在環(huán)繞凹孔位置的表面張力，從而在對該種陣列基板的上表面噴涂取向液以形成取向?qū)?時，可以很好的使得取向液流入陣列基板上與凹孔所對應的位置，進而改善由于取向液擴散不均而造成顯示不良的問題。

其中，在本實施例的陣列基板中，環(huán)繞所述凹孔的取向?qū)?存在兩個位置到所述基底10的距離不相等，且這兩個位置沿所述過孔的軸線對稱設置。此時，可以盡可能的緩解凹孔的表面張力。當然，也可以設置環(huán)繞凹孔的取向?qū)?存在多個位置到所述基底10的距離不相等，還可以設置環(huán)繞所述凹孔的取向?qū)?存在兩個位置到所述基底10的距離不相等，且這兩個位置沿所述過孔的軸線非對稱設置。

相應的，本實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，包括：在基底10上形成層結(jié)構，并在層結(jié)構中形成有凹孔；形成取向?qū)?，其中環(huán)繞所述凹孔的取向?qū)?至少存在兩個位置到所述基底10的距離不相等(具體結(jié)合下述實施方式進行說明)。

以下結(jié)合一種優(yōu)選實現(xiàn)方式對本實施例的陣列基板進行說明。

作為本實施例中的一種優(yōu)選實現(xiàn)方式，該陣列基板中的層結(jié)構包括依次設置在所述基底10上方的公共電極線1所在層、柵極絕緣層2、平坦化層3、公共電極4所在層；所述凹孔為貫穿所述柵極絕緣層2和所述平坦化層3的過孔，用于將所述公共電極4與所述公共電極線1連接。

結(jié)合2和3所示，具體的，該陣列基板包括：基底10，設置在基底10上的公共電極線1，設置在公共電極線1所在層上方的柵極絕緣層2，設置在柵極絕緣層2上方的平坦化層3，在柵極絕緣層2和平坦化層3中形成貫穿這兩層的過孔，在過孔底部裸露出公共電極線1，設置在平坦化層3上方的公共電極4，且公共電極4通過過孔與公共電極線1連接，設置在公共電極4所在層上方的取向?qū)?。其中，特別的是，在實施例的與過孔周邊位置對應的柵極絕絕緣層2下方，只有部分位置設置有公共電極線1，此時可以看出環(huán)繞過孔的平坦化層3的上表面到基底10的距離不等，也就是說在過孔的上沿高度不一致，即通過過孔周邊段差改善過孔表面張力，因此在噴涂取向液以形成取向?qū)?時，可以很好的使得取向液流入陣列基板上與過孔所對應的位置，進而改善由于取向液擴散不均而成顯示不良的問題。

其中，位于過孔內(nèi)的公共電極線1可以填充滿整個過孔，以使公共電極4與公共電極線1可以很好的接觸，如圖2所示。當然，位于過孔內(nèi)的公共電極線1可以不填充滿整個過孔，只要保證過孔內(nèi)部有公共電極線1即可，如圖3所示。

針對上述陣列基板，本實施例還提供了該種陣列基板的制備方法，如圖4所示。其中，在以下步驟中，構圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。形成薄膜通常有沉積、涂敷、濺射等多種方式?？筛鶕?jù)本實施例中所形成的結(jié)構選擇相應的構圖工藝。該陣列基板的制備方法具體包括如下步驟：

步驟一、在基底10上，通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管各層結(jié)構和公共電極線1的圖形。

以該步驟中所形成的薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管為例，該步驟具體包括：通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管柵極、柵線和公共電極線1的圖形；之后，形成柵極絕緣層2；接下來通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管有源層的圖形；最后，通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管源極和漏極的圖形。

步驟二、在完成步驟一的基底10上，形成平坦化層3，形成的方式可以為涂覆；之后，通過構圖工藝，在所述平坦化層3和柵極絕緣層2中形成過孔。其中，在過孔底部裸露出公共電極線1，且與過孔周邊位置對應的柵極絕絕緣層2下方，只有部分位置形成有公共電極線1。

步驟三、在完成步驟二的基底10上，通過構圖工藝形成包括公共電極4的圖形，且該公共電極4通過過孔與公共電極線1連接。

步驟四、在完成步驟三的基底10上，形成取向液，并對取向液進行固化形成取向?qū)?的步驟；其中形成取向液的方式可以采用噴涂的方式，但也不局限于這一種方式。

其中，上述的位于過孔內(nèi)的公共電極線1可以填充滿整個過孔，以使公共電極4與公共電極線1可以很好的接觸。當然，位于過孔內(nèi)的公共電極線1可以不填充滿整個過孔，只要保證過孔內(nèi)部有公共電極線1即可。

在此需要說明的是，本實施例的陣列基板僅僅是以凹孔為用于將公共電極線1與公共電極4連接的過孔為例進行說明。實際上，凹孔也可以為用于薄膜晶體管漏極與像素電極連接的過孔等，同樣可以采用上述的方式對陣列基板進行改善。

實施例2：

本實施例提供一種顯示裝置，其包括實施例1中的陣列基板。由于本實施例1中的陣列基板，在環(huán)繞凹孔的取向?qū)?至少存在兩個位置到基底10的距離不相等，也就是說在形成取向?qū)?之前的陣列基板的上表面在環(huán)繞凹孔的周圍存在高度差，因此，較如圖1所示的現(xiàn)有技術中的陣列基板而言，可以緩解陣列基板的上表面在環(huán)繞凹孔位置的表面張力，從而在對該種陣列基板的上表面噴涂取向液以形成取向?qū)?時，可以很好的使得取向液流入陣列基板上與凹孔所對應的位置，進而改善由于取向液擴散不均而造成顯示不良的問題，提高顯示裝置的顯示效果。

其中，顯示裝置可以為液晶顯示裝置或者電致發(fā)光顯示裝置，例如液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。