本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，通常在液晶顯示面板的陣列制程階段，采用GOA(Gate Driver On Array，陣列基板柵極驅(qū)動)技術(shù)將柵極驅(qū)動電路制作在陣列基板上，從而實現(xiàn)對柵線逐行掃描驅(qū)動。GOA技術(shù)相比傳統(tǒng)COF(Chip On Flex/Film，覆晶薄膜)技術(shù)和COG(Chip On Glass，芯片直接綁定在玻璃)技術(shù)而言可以降低制造成本，GOA技術(shù)的主要特點是依靠GOA單元連續(xù)觸發(fā)實現(xiàn)其移位寄存的功能，省去了柵極集成電路(Gate IC)的綁定(Bonding)區(qū)域以及Fan-out布線空間，實現(xiàn)了窄邊框的設(shè)計。

在GOA電路設(shè)計中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和Boost電容是必不可少的電子元件，其中，Boost電容對于獲得穩(wěn)定的Gate波形輸出必不可少。然而，Boost電容通常需要達(dá)到皮法(pF)量級才能使GOA電路有效的工作，例如，10pF的Boost電容的電容面積通常需要達(dá)到0.1mm²，對于更高分辨率的LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)面板而言，TFT和Boost電容的尺寸需要進(jìn)一步加大。也就是說，TFT和Boost電容占用的面積比較大，這對于窄邊框、高分辨率的GOA電路設(shè)計帶來了很大的困難。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法，能夠有效減少陣列基板上電容所占用的面積，進(jìn)一步實現(xiàn)窄邊框設(shè)計。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種使用上述陣列基板的液晶顯示面板。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施方式提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括依次層疊設(shè)置的玻璃基板、光刻膠層、第一金屬層、介電層、緩沖層和第二金屬層，所述光刻膠層靠近所述第一金屬層的一側(cè)設(shè)有多個凸起結(jié)構(gòu)，所述第一金屬層覆蓋所述凸起結(jié)構(gòu)，所述第一金屬層、所述介電層、所述緩沖層和所述第二金屬層呈現(xiàn)與所述凸起結(jié)構(gòu)相同的形狀。

其中，所述第一金屬層、所述介電層、所述緩沖層和所述第二金屬層截面為波浪形或折線形或鋸齒形。

其中，所述介電層材料為TiO₂、Ta₂O₅或HfO₂。

其中，所述緩沖層材料為SiNx或SiO₂。

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括上述任意一項所述的陣列基板。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上涂覆光刻膠，形成光刻膠層；

在所述光刻膠層上遮蓋多灰階掩膜版并對該光刻膠層進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠層上形成多個凸起結(jié)構(gòu)；

在所述光刻膠層上依次形成第一金屬層、介電層、緩沖層和第二金屬層，其中，所述第一金屬層、所述介電層、所述緩沖層和所述第二金屬層與所述凸起結(jié)構(gòu)的形狀相同。

其中，所述在所述光刻膠層上依次形成第一金屬層、介電層、緩沖層和第二金屬層，包括：

在所述光刻膠層上濺射第一金屬，刻蝕出設(shè)計的圖案形成所述第一金屬層。

其中，所述多灰階掩膜版為半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版。

其中，在所述光刻膠層上遮蓋多灰階掩膜版進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠層上形成凸起結(jié)構(gòu)步驟中，包括：光線通過所述半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版后，在所述光刻膠層上形成周期性的光形，光刻出所述凸起結(jié)構(gòu)。

其中，所述介電層材料為TiO₂、Ta2O₅或HfO₂，所述緩沖層材料為SiNx或SiO₂。

本發(fā)明實施例具有如下優(yōu)點或有益效果：

本發(fā)明中通過在光刻膠層上設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)，使得形成于其上的第一金屬層、介電層、緩沖層和第二金屬層也成褶皺狀，增大了第一金屬層和第二金屬層之間的正對面積，從而增大了等效電容值，有利于減小等效電容占用的空間，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計。本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法可以減小等效電容占用的空間，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1所述陣列基板的制作方法流程示意圖。

圖3a至圖3c是采用圖2所示的制作方法制成所述陣列基扳的示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。若本說明書中出現(xiàn)“工序”的用語，其不僅是指獨立的工序，在與其它工序無法明確區(qū)別時，只要能實現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“～”表示的數(shù)值范圍是指將“～”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的用相同的標(biāo)號表示。

請參閱圖1，本發(fā)明中的陣列基板100主要包括玻璃基板10、光刻膠層20、第一金屬層30、介電層40、緩沖層50和第二金屬層60。在本實施例中，所述玻璃基板10包括GOA(Gate Driver On Array，陣列基板柵極驅(qū)動)區(qū)和AA(Active Area，可操作區(qū))區(qū)。本發(fā)明主要涉及在玻璃基板10的GOA區(qū)上方的結(jié)構(gòu)改進(jìn)，因此本發(fā)明中涉及的玻璃基板10如無特別說明，特指GOA區(qū)上方。所述玻璃基板10上方覆蓋有光刻膠層20，所述光刻膠層20在遠(yuǎn)離所述玻璃基板10的一側(cè)設(shè)有多個凸起結(jié)構(gòu)210。多個所述凸起結(jié)構(gòu)210首尾相連均勻分布，也即是說，多個所述凸起結(jié)構(gòu)210均勻地排列分布在所述光刻膠層20的表面，且任意相鄰的兩個凸起結(jié)構(gòu)210之間均相連接。

所述第一金屬層30設(shè)置在所述光刻膠層20上，具體地，所述第一金屬層30覆蓋所述凸起結(jié)構(gòu)210，因此，所述第一金屬層30呈現(xiàn)出與所述凸起結(jié)構(gòu)210相似的形狀。所述第一金屬層30與所述第二金屬層60之間還依次設(shè)置有介電層40和緩沖層50，所述介電層40和所述緩沖層50都是由絕緣材料制成，其中，所述介電層40的介電常數(shù)大于所述緩沖層50的介電常數(shù)。所述介電層40較所述緩沖層50靠近所述第一金屬層30設(shè)置。所述介電層40、所述緩沖層50和所述第二金屬層60均呈現(xiàn)出與所述凸起結(jié)構(gòu)210相同的形狀?？梢岳斫?，由于上述凸起結(jié)構(gòu)210的存在，增大了所述金屬層的有效長度，縮減布置于其上的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和電容等電子元件尺寸及占用的面積。

請繼續(xù)參閱圖1，具體的，所述凸起結(jié)構(gòu)210、所述第一金屬層30、所述介電層40、所述緩沖層50和所述第二金屬層60截面為波浪形或折線形或鋸齒形。顯然，由于所述凸起結(jié)構(gòu)210凸設(shè)于所述光刻膠層20上貼合所述第一金屬層30的一側(cè)。如此增大了金屬層的有效長度，縮減布置于其上的TFT和電容等電子元件尺寸及占用的面積。

可以理解的是，在陣列基板中，第一金屬層30、介電層40、緩沖層50和第二金屬層60之間會形成等效電容，其中，所述第一金屬層30和所述第二金屬層60相當(dāng)于等效電容的兩個基板，所述介電層40和所述緩沖層50相當(dāng)于等效電容的介電物質(zhì)。電容值C＝ξ*S/d，其中，ξ為介電物質(zhì)的介電常數(shù)，S為兩個基板的正對面積，d為兩個基板之前的距離。本發(fā)明中將第一金屬層30、介電層40、緩沖層50和第二金屬層60都設(shè)置成與所述凸起結(jié)構(gòu)210相同的形狀，不僅增大了所述第一金屬層30和第二金屬層60之間的正對面積，而且在其他條件不變的情況下增大了等效電容值，有利于減小等效電容占用的空間，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計。

本發(fā)明中通過在光刻膠層20上設(shè)置多個凸起結(jié)構(gòu)210，使得形成于其上的第一金屬層30、介電層40、緩沖層50和第二金屬層60也對應(yīng)形成與所述凸起結(jié)構(gòu)210相同的形狀，如此不僅增大了第一金屬層30和第二金屬層60之間的正對面積，而且在其他條件不變的情況下增大了等效電容值，有利于減小等效電容占用的空間，實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計。

進(jìn)一步具體的，所述第一金屬層30包含多條柵極線(Gate Line)，所述第二金屬層60包含多條數(shù)據(jù)線(Data Line)。

在本實施例中，所述緩沖層50材料可以采用SiNx，所述SiNx的介電常數(shù)在10的量級。為了進(jìn)一步提高等效電容值，選用介電層40的材料的介電常數(shù)接近100。具體的，所述介電層40可以選用包括但不限于TiO₂、Ta₂O₅或HfO₂等高介電常數(shù)的材料。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括上述任意一種所述的陣列基板100。所述液晶顯示面板可以應(yīng)用于包括但不限于為：電子紙、液晶電視、移動電話、數(shù)碼相框、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

請參閱圖2，本發(fā)明還提供一種上述陣列基板的制作方法，具體包括如下步驟：

S201：提供一玻璃基板10，在所述玻璃基板10上涂覆光刻膠，形成光刻膠層20。

具體地，在本實施例中，如圖3a所示，所述玻璃基板10包括GOA區(qū)(圖未標(biāo))和AA區(qū)(圖未示)。所述光刻膠層20覆蓋所述玻璃基板10的GOA區(qū)和AA區(qū)。

S202：在所述光刻膠層20上遮蓋多灰階掩膜版70并對該光刻膠層20進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠層20上形成多個凸起結(jié)構(gòu)210。

具體地，在本實施例中，如圖3b所示，在玻璃基板10上形成所述光刻膠層20后，需要對玻璃基板10的GOA區(qū)上方的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)。因此，需要提供一多灰階掩膜版70遮蓋在光刻膠層20的GOA區(qū)和AA區(qū)的上方，其中，對于AA區(qū)的光刻膠層20上方的多灰階掩膜版完全不透光，因此不會對AA區(qū)的光刻膠層20進(jìn)行蝕刻，AA區(qū)的光刻膠層20后續(xù)會去除，此處與發(fā)明點無關(guān)，不在贅述。下文方法中涉及的玻璃基板10如無特別說明，特指GOA區(qū)上方的結(jié)構(gòu)改進(jìn)。

在本實施例中，所述多灰階掩膜版70為半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版。光線通過所述半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版后，在所述光刻膠層20上形成周期性的光形，所述周期性的光形在所述光刻膠層20上光刻出所述凸起結(jié)構(gòu)210。其中，多個所述凸起結(jié)構(gòu)210首尾相連均勻分布，也即是說，多個所述凸起結(jié)構(gòu)210均勻地排列分布在所述光刻膠層20的表面，且任意相鄰的兩個凸起結(jié)構(gòu)210之間均相連接。

S203：在所述光刻膠層20上依次形成第一金屬層30、介電層40、緩沖層50和第二金屬層60，其中，所述第一金屬層30、所述介電層40、所述緩沖層50和所述第二金屬層60呈現(xiàn)出與所述凸起結(jié)構(gòu)210相同的形狀。

具體的，在本實施例中，如圖3c所示，先在所述光刻膠層20上濺射第一金屬，通過刻蝕的方法在第一金屬上顯示設(shè)計的圖案，并形成所述第一金屬層30?？梢岳斫獾氖?，由于所述第一金屬是濺射在光刻膠層20上，因此形成的第一金屬層30呈現(xiàn)出與所述光刻膠層20上的凸起結(jié)構(gòu)210相同的形狀。

然后再利用擋板掩膜，在GOA區(qū)域濺射生長高介電常數(shù)的材料，在GOA區(qū)形成介電層40。在本實施例中，所述高介電常數(shù)的材料可以選用包括但不限于TiO₂、Ta₂O₅或HfO₂等?？梢岳斫獾氖?，所述介電層40呈現(xiàn)出與所述第一金屬層30相同的形狀。

之后在所述介電層40上形成緩沖層50，所述緩沖層可以采用SiNx材料。

在所述緩沖層50形成后，再在所述緩沖層50上形成第二金屬層60。

可以理解的是，所述皺狀凸起結(jié)構(gòu)210、所述第一金屬層30、所述介電層40、所述緩沖層50和所述第二金屬層60截面為波浪形或折線形或鋸齒形?？梢岳斫?，由于上述凸起結(jié)構(gòu)210的存在，增大了所述金屬層的有效長度，縮減布置于其上的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)和電容等電子元件尺寸及占用的面積。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述的實施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。