本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前的液晶顯示器中，對(duì)于面板中公共電極的設(shè)置有多種情況，其中一種是將公共電極和像素電極都設(shè)置于陣列基板上的情況，例如高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(英文：Advanced-Super Dimensional Switching；簡(jiǎn)稱：ADS)技術(shù)。ADS技術(shù)是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)。為了進(jìn)一步提高開口率，進(jìn)而提高面板的透過率，高開口率(High opening rate)HADS技術(shù)被廣泛采用。HADS技術(shù)在ADS技術(shù)的基礎(chǔ)上將公共電極和像素電極的位置對(duì)調(diào)，即HADS型液晶顯示器的公共電極在像素電極的上方。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決HADS型液晶顯示器的公共電極電阻不均時(shí)引起的液晶顯示屏畫面泛綠的問題即Greenish現(xiàn)象，通常會(huì)在襯底基板的數(shù)據(jù)引線區(qū)的公共電極的下方沉積一層金屬層以減小公共電極的電阻。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

實(shí)際應(yīng)用中，在數(shù)據(jù)引線區(qū)的公共電極下方沉積金屬層時(shí)，如果發(fā)生金屬濺落、電弧放電或者微粒過高(即在沉積金屬層前或沉積金屬層的過程中雜質(zhì)微粒過高會(huì)引起金屬的短路或者開路)的情況，需要將沉積的金屬層進(jìn)行剝離，由于該金屬層與柵極引線連接，那么對(duì)金屬層進(jìn)行剝離時(shí)，會(huì)使柵極引線受損，導(dǎo)致陣列基板在使用過程中線不良高發(fā)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)金屬層進(jìn)行剝離時(shí)，會(huì)使柵極引線受損，導(dǎo)致陣列基板在使用過程中線不良高發(fā)的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種陣列基板，包括：

襯底基板；

所述襯底基板上依次設(shè)置有柵極金屬圖形、柵絕緣層和鈍化層，所述柵極金屬圖形包括柵極引線；

所述鈍化層上設(shè)置有公共電極，所述公共電極與所述柵極引線電連接；

所述公共電極上設(shè)置有金屬層。

可選的，所述鈍化層和所述柵絕緣層上設(shè)置有貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層的過孔，所述過孔位于所述柵極引線上方且通過一次構(gòu)圖工藝形成；

所述公共電極包括位于所述過孔中的第一子電極和位于所述過孔外的第二子電極，所述第一子電極通過所述過孔與所述柵極引線電連接；

所述第一子電極上設(shè)置有所述金屬層。

可選的，所述襯底基板上依次設(shè)置有所述柵極金屬圖形、所述柵絕緣層、有源層、像素電極、源漏極圖形、所述鈍化層、所述公共電極和所述金屬層，所述源漏極圖形包括源極和漏極，所述柵極金屬圖形還包括：柵極。

可選的，所述金屬層為厚度為150埃的鉬層，或者所述金屬層為厚度為700埃的鋁層，或者所述金屬層為厚度為300埃的鉬層。

第二方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上依次形成柵極金屬圖形、柵絕緣層和鈍化層，所述柵極金屬圖形包括柵極引線；

在所述鈍化層上形成公共電極，所述公共電極與所述柵極引線電連接；

在所述公共電極上形成金屬層。

可選的，所述在所述鈍化層上形成公共電極，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝在所述鈍化層和所述柵絕緣層上形成貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層的過孔，所述過孔位于所述柵極引線上方；

在所述鈍化層上形成公共電極，所述公共電極包括位于所述過孔中的第一子電極和位于所述過孔外的第二子電極，所述第一子電極通過所述過孔與所述柵極引線電連接；

所述在所述公共電極上形成金屬層，包括：

在所述第一子電極上形成所述金屬層。

可選的，所述在所述襯底基板上依次形成柵極金屬圖形、柵絕緣層和鈍化層，包括：

在所述襯底基板上依次形成所述柵極金屬圖形、所述柵絕緣層、有源層、像素電極、源漏極圖形和所述鈍化層，所述源漏極圖形包括源極和漏極，所述柵極金屬圖形還包括：柵極。

可選的，所述金屬層為厚度為150埃的鉬層，或者所述金屬層為厚度為700埃的鋁層，或者所述金屬層為厚度為300埃的鉬層。

第三方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第一方面任一所述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，由于周邊布線區(qū)上，公共電極與柵極引線電連接，且金屬層形成于公共電極上方，在需要將該金屬層剝離時(shí)，由于公共電極的材料特性，不會(huì)被剝離金屬層時(shí)所用的刻蝕液刻蝕，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線，避免了柵極引線受損。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖1所示，包括：

襯底基板101。

該襯底基板101上依次設(shè)置有柵極金屬圖形102、柵絕緣層103和鈍化層104，該柵極金屬圖形102包括柵極引線102a。

該鈍化層104上設(shè)置有公共電極105，該公共電極105與柵極引線102a電連接。

該公共電極105上設(shè)置有金屬層106。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，由于公共電極與柵極引線電連接，金屬層設(shè)置在公共電極上方，在需要將該金屬層剝離時(shí)，由于公共電極的材料特性，剝離金屬層時(shí)所用的弱酸刻蝕液對(duì)公共電極的刻蝕影響較小，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線，避免了柵極引線受損。

進(jìn)一步的，如圖1所示，鈍化層104和柵絕緣層103上設(shè)置有貫穿該鈍化層104和該柵絕緣層103的過孔H，該過孔H位于所述柵極引線102a上方，并且該過孔H通過一次構(gòu)圖工藝形成，需要說明的是，該柵極引線102a和柵極102b是在一次構(gòu)圖工藝中形成的，該柵極引線102a與柵極102b屬于同一層，柵極引線102a與柵極102b絕緣；鈍化層104上設(shè)置有公共電極105，該公共電極105包括位于過孔H中的第一子電極105a和位于過孔H外的第二子電極105b，該第一子電極105a通過過孔H與柵極引線102a電連接，由于該柵極引線102a與公共電極電連接，因此該柵極引線102a可以視為公共電極線；該第一子電極105a上設(shè)置有金屬層106。需要說明的是，先在柵極引線102a上方的過孔H中設(shè)置公共電極105，再在過孔H中的公共電極105上方設(shè)置金屬層106，在需要將金屬層106剝離時(shí)，由于公共電極105通常采用氧化銦錫(英文：Indium Tin Oxide；簡(jiǎn)稱：ITO)、氧化銦鋅(英文：Indium zinc oxide；簡(jiǎn)稱：IZO)等金屬氧化物制成，而金屬層通常采用金屬鋁或鉬制成，在剝離金屬層106時(shí)，通常采用弱酸刻蝕液對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕，該弱酸刻蝕液對(duì)半導(dǎo)體氧化物的刻蝕影響較小，因此公共電極105被刻蝕金屬鋁或鉬的弱酸刻蝕液刻蝕的程度較小，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線102a，避免了柵極引線102a受損，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)相比，既沒有增加工藝流程，也起到了保護(hù)柵極引線的作用。

實(shí)際應(yīng)用中，陣列基板上各個(gè)膜層的設(shè)置位置可以按照實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整，例如，既可以在襯底基板101上先設(shè)置像素電極109、再設(shè)置源漏極圖形108，也可以在襯底基板101上先設(shè)置源漏極圖形108、再設(shè)置像素電極109。本發(fā)明實(shí)施例以以下兩種設(shè)置位置為例進(jìn)行說明：

第一種設(shè)置位置如圖1所示，襯底基板101上可以依次設(shè)置有柵極金屬圖形102、柵絕緣層103、有源層107、像素電極109、源漏極圖形108、鈍化層104、公共電極105和金屬層106，源漏極圖形108包括源極108a和漏極108b，柵極金屬圖形102還可以包括：柵極102b。

第二種設(shè)置位置如圖2所示，襯底基板101上還可以依次設(shè)置有柵極金屬圖形102、柵絕緣層103、有源層107、源漏極圖形108、像素電極109、鈍化層104、公共電極105和金屬層106，源漏極圖形108包括源極108a和漏極108b，柵極金屬圖形102還可以包括：柵極102b。

具體的，在陣列基板中形成的各膜層的材料和厚度可以如表1所示。

表1

如表1所示，可選的，金屬層106可以為厚度為150埃的鉬層，也可以為厚度為700埃的鋁層，還可以為厚度為300埃的鉬層。

可選的，公共電極105可以為厚度為700埃的ITO層。

可選的，柵極金屬圖形102可以為厚度為800埃的鉬層，也可以為厚度為3000埃的鋁層。

可選的，像素電極109可以為厚度為700埃的ITO層。

可選的，源漏極圖形可以為厚度為150埃的鉬層，也可以為厚度為3000埃的鋁層，還可以為厚度為800埃的鉬層。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，由于公共電極與柵極引線電連接，金屬層設(shè)置在公共電極上方，在需要將該金屬層剝離時(shí)，由于公共電極的材料特性，剝離金屬層時(shí)所用的弱酸刻蝕液對(duì)公共電極的刻蝕影響較小，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線，避免了柵極引線受損。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖3所示，該方法包括：

步驟201、提供襯底基板。

步驟202、在襯底基板上依次形成柵極金屬圖形、柵絕緣層和鈍化層，該柵極金屬圖形包括柵極引線。

步驟203、在鈍化層上形成公共電極，該公共電極與柵極引線電連接。

步驟204、在公共電極上形成金屬層。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，由于公共電極與柵極引線電連接，金屬層設(shè)置在公共電極上方，在需要將該金屬層剝離時(shí)，由于公共電極的材料特性，剝離金屬層時(shí)所用的弱酸刻蝕液對(duì)公共電極的刻蝕影響較小，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線，避免了柵極引線受損。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖4所示，該方法包括：

步驟301、提供襯底基板。

可選的，該襯底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英以及塑料等透明材料，優(yōu)選為玻璃。

步驟302、在襯底基板上依次形成柵極金屬圖形、柵絕緣層和鈍化層，該柵極金屬圖形包括柵極引線。

具體的，可以在襯底基板上通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的其中一種形成柵極金屬層，可選的，該柵極金屬圖層可以為厚度為800埃的鉬層，也可以為厚度為3000埃的鋁層，然后對(duì)該柵極金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成柵極金屬圖形，該一次構(gòu)圖工藝可以包括：光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離；進(jìn)一步地，在柵極金屬圖形上，通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的其中一種形成柵絕緣層膜層，再對(duì)該柵絕緣層膜層通過一次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層，該一次構(gòu)圖工藝可以包括：光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離；再進(jìn)一步的，在柵絕緣層上，通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的其中一種形成鈍化層膜層，再對(duì)該鈍化層膜層通過一次構(gòu)圖工藝形成鈍化層，該一次構(gòu)圖工藝可以包括：光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

需要說明的是，在形成鈍化層之前，在襯底基板上依次形成有源層、像素電極、源漏極圖形，可選的，像素電極可以為厚度為700埃的ITO層，源漏極圖形可以為厚度為150埃的鉬層，源漏極圖形也可以為厚度為3000埃的鋁層，源漏極圖形還可以為厚度為800埃的鉬層。實(shí)際應(yīng)用中，陣列基板上各個(gè)膜層的形成位置可以按照實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整，例如，既可以在襯底基板上先形成像素電極、再形成源漏極圖形，也可以在襯底基板上先形成源漏極圖形、再形成像素電極。本發(fā)明實(shí)施例以以下兩種形成位置為例進(jìn)行說明：

第一種形成位置如圖1所示，襯底基板101上可以依次形成有柵極金屬圖形102、柵絕緣層103、有源層107、像素電極109、源漏極圖形108、鈍化層104、公共電極105和金屬層106，源漏極圖形108包括源極108a和漏極108b，柵極金屬圖形102還可以包括：柵極102b。

第二種形成位置如圖2所示，襯底基板101上還可以依次形成有柵極金屬圖形102、柵絕緣層103、有源層107、源漏極圖形108、像素電極109、鈍化層104、公共電極105和金屬層106，源漏極圖形108包括源極108a和漏極108b，柵極金屬圖形102還可以包括：柵極102b。

具體的，在陣列基板中形成的各膜層的材料和厚度可以如表1所示，此處不再做贅述。

步驟303、通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層和柵絕緣層上形成貫穿鈍化層和柵絕緣層的過孔，該過孔位于柵極引線上方。

具體的，可以通過一次構(gòu)圖工藝在位于襯底基板上的柵極引線上方的柵絕緣層和鈍化層上形成過孔，該一次構(gòu)圖工藝可以包括：光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

步驟304、在鈍化層上形成公共電極，該公共電極包括位于過孔中的第一子電極和位于過孔外的第二子電極，該第一子電極通過過孔與柵極引線電連接。

具體的，可以在鈍化層上通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的其中一種形成公共電極層，可選的，該公共電極層可以為厚度為700埃的ITO層，然后對(duì)該公共電極層通過一次構(gòu)圖工藝形成包括位于過孔中的第一子電極和位于過孔外的第二子電極的公共電極，該一次構(gòu)圖工藝可以包括：光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

步驟305、在第一子電極上形成金屬層。

具體的，通過濺射的方式在第一子電極上方沉積金屬材料，其中，如表1所示，該金屬材料可以為鉬，相應(yīng)的，該金屬材料的厚度可以為150埃或300埃；該金屬材料還可以為鋁，相應(yīng)的，該金屬材料的厚度可以為700埃。然后對(duì)沉積的金屬材料進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝完成制作過程，該一次構(gòu)圖工藝可以包括：光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，由于公共電極與柵極引線電連接，金屬層設(shè)置在公共電極上方，在需要將該金屬層剝離時(shí)，由于公共電極的材料特性，剝離金屬層時(shí)所用的弱酸刻蝕液對(duì)公共電極的刻蝕影響較小，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線，避免了柵極引線受損。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，該陣列基板可以為如圖1或圖2所示的陣列基板。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，由于公共電極與柵極引線電連接，金屬層設(shè)置在公共電極上方，在需要將該金屬層剝離時(shí)，由于公共電極的材料特性，剝離金屬層時(shí)所用的弱酸刻蝕液對(duì)公共電極的刻蝕影響較小，從而保護(hù)了公共電極下方的柵極引線，避免了柵極引線受損。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。