1.一種太陽(yáng)電池，其特征在于：包括下電極、由下至上依次設(shè)置于下電極層上表面的下接觸層、背場(chǎng)層，有源區(qū)層，窗口層，上接觸層，和上電極，其中，所述有源區(qū)層包括多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層，所述I類量子點(diǎn)層設(shè)置在II類量子阱層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層包括II類量子阱下壘層、II類量子阱阱層、I類量子點(diǎn)下壘層和I類量子點(diǎn)點(diǎn)層，其中，II類量子阱阱層設(shè)置在II類量子阱下壘層的上表面，I類量子點(diǎn)下壘層設(shè)置在II類量子阱阱層的上表面，I類量子點(diǎn)點(diǎn)層設(shè)置在I類量子下壘層的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層的層數(shù)在30～200之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述II類量子阱為GaAsSb/GaAs量子阱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述I類量子點(diǎn)為InAs/GaAs量子點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述有源區(qū)為PN結(jié)結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括第一體材料有源區(qū)層、第二體材料有源區(qū)層和多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層,所述多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層設(shè)置在第一體材料有源區(qū)層和第二體材料有源區(qū)層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述有源區(qū)為PN結(jié)結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括兩層第一體材料有源區(qū)層、第二體材料有源區(qū)層和多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層,從下至上依次為第一體材料有源區(qū)層、多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層、第一體材料有源區(qū)層和第二體材料有源區(qū)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池，其特征在于：所述有源區(qū)為PN結(jié)結(jié)構(gòu)，有源區(qū)包括第一體材料有源區(qū)層、兩層第二體材料有源區(qū)層和多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層,從下至上依次為第一體材料有源區(qū)層、第二體材料有源區(qū)層、多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層和第二體材料有源區(qū)層。
9.一種制備權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)電池的方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟1：提供下接觸層；
步驟2：在下接觸層表面采用分子束外延或金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積的方法生長(zhǎng)背場(chǎng)層；
步驟3：在背場(chǎng)層上表面生長(zhǎng)有源區(qū)層，包括第一體材料有源區(qū)層、第二體材料有源區(qū)層和多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層；
步驟4：在有源區(qū)層上依次生長(zhǎng)窗口層和上接觸層；
步驟5：在上接觸層和下接觸層上分別制備上電極和下電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)電池的制備方法，其特征在于：所述多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層的生長(zhǎng)方法為：先生長(zhǎng)II類量子阱下壘層，II類量子阱阱層生長(zhǎng)在II類量子阱下壘層上表面，I類量子下壘層生長(zhǎng)在II類量子阱阱層上表面，I類量子點(diǎn)點(diǎn)層生長(zhǎng)在I類量子下壘層上表面，按照周期性依次生長(zhǎng)成多層II類量子阱/I類量子點(diǎn)疊層結(jié)構(gòu)層。