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一種黑硅表面清洗方法及黑硅電池制備方法與流程

文檔序號:11411808閱讀:456來源:國知局
:本發(fā)明涉及太陽能電池器件制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種黑硅表面清洗方法及黑硅電池制備方法。

背景技術(shù):
:隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,光伏發(fā)電在新能源中越來越占有重要比例,而光伏發(fā)電所需要的太陽能電池產(chǎn)品中,晶體硅太陽能電池所占份額最大,一直保持著85%以上的市場占有率。在太陽能電池技術(shù)中,黑硅技術(shù)是最新研究發(fā)現(xiàn)的一種能大幅提高光電轉(zhuǎn)換效率的新型結(jié)構(gòu)材料技術(shù)。黑硅太陽電池具有較低的表面反射率、較高的短路電流,因而受到業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。目前,制備黑硅的技術(shù)有:飛秒激光掃描、金屬輔助化學(xué)溶液腐蝕法、等離子體處理等。使用這些技術(shù)所制得的黑硅表面,都存在較尖銳的納米微結(jié)構(gòu),經(jīng)過擴(kuò)散后會造成頂端摻雜濃度較高,導(dǎo)致黑硅硅片表面復(fù)合加重,從而影響電池效率。對黑硅表面納米微結(jié)構(gòu)的去尖銳化修正,可以降低其表面積,減少表面復(fù)合速率,從而提高黑硅太陽能電池效率?,F(xiàn)有技術(shù)中,一般使用酸液、強(qiáng)堿溶液或者高溫氧化退火對黑硅表面尖銳化的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行修正,然而酸液或者強(qiáng)堿溶液,腐蝕速率較快,不易控制,高溫氧化退火成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
:本發(fā)明針對現(xiàn)有方法的弊端,提出了一種腐蝕速率易于控制、轉(zhuǎn)換效率高、成本較低的黑硅太陽能電池制備方法。本發(fā)明的技術(shù)解決措施如下:一種黑硅表面的清洗方法,其特征在于,包括如下步驟:1)、將黑硅硅片放在溫度為80~90℃的碳酸鈉和吲哚丙酸的混合溶液A中浸泡10~60分鐘,對表面微結(jié)構(gòu)進(jìn)行修正;2)、使用循環(huán)去離子水對在混合溶液A中浸泡完成的黑硅硅片清洗1~3次,然后用氫氟酸和鹽酸的混合溶液B清洗2~5分鐘;3)、再次使用循環(huán)去離子水對步驟2)中清洗過的黑硅硅片清洗1~3次,然后使用60~90℃的熱風(fēng)進(jìn)行烘干;4)、將步驟3)中烘干后的黑硅硅片至于氧氣中,用低壓水銀燈產(chǎn)生的紫外光照射黑硅表面進(jìn)行光清洗,光清洗時(shí)間為2~20min,處理完成后,黑硅硅片的黑硅層表面即清洗完成。所述步驟1)混合溶液A中碳酸鈉的質(zhì)量濃度為2%~10%,吲哚丙酸的濃度為0.1%~2%。所述步驟2)混合溶液B中氫氟酸的質(zhì)量濃度為3%~6%,鹽酸的質(zhì)量濃度為8%~12%,溶液溫度為常溫。所述步驟4)中的氧氣流量為50~3000sccm。一種黑硅電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:一)、提供p型多晶黑硅硅片;二)、用上述...
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