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一種黑硅表面清洗方法及黑硅電池制備方法與流程

文檔序號:11411808閱讀:來源:國知局
一種黑硅表面清洗方法及黑硅電池制備方法與流程

技術(shù)特征:
1.一種黑硅表面清洗方法,其特征在于,包括如下步驟:1)、將黑硅硅片放在溫度為80~90℃的碳酸鈉和吲哚丙酸的混合溶液A中浸泡10~60分鐘,對表面微結(jié)構(gòu)進行修正;2)、使用循環(huán)去離子水對在混合溶液A中浸泡完成的黑硅硅片清洗1~3次,然后用氫氟酸和鹽酸的混合溶液B清洗2~5分鐘;3)、再次使用循環(huán)去離子水對步驟2)中清洗過的黑硅硅片清洗1~3次,然后使用60~90℃的熱風(fēng)進行烘干;4)、將步驟3)中烘干后的黑硅硅片至于氧氣中,用低壓水銀燈產(chǎn)生的紫外光照射黑硅表面進行光清洗,光清洗時間為2~20min,處理完成后,黑硅硅片的...
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