技術總結
本發(fā)明公開了一種雙層導電膜結構的銅銦鎵硒薄膜太陽電池及制備方法，包括：步驟1、在襯底上制作背電極；具體為：通過直流磁控濺射沉積系統在襯底材料上沉積Mo作為背電極，Mo為雙層結構；步驟2、在背電極上利用共蒸發(fā)銅、銦、鎵、硒四種元素的方法制備厚度2微米以上的銅銦鎵硒薄膜；步驟3、在銅銦鎵硒薄膜上，采用化學水浴沉積的方法制備緩沖層，緩沖層為50nm的硫化鎘薄膜；步驟4、在緩沖層上采用射頻磁控濺射的方法制備50nm厚的本征氧化鋅薄膜；步驟5、在本征氧化鋅薄膜上，采用直流磁控濺射方法依次制備摻鋁氧化鋅薄膜和氧化銦錫薄膜；步驟6、在透明導電膜上，采用低溫絲網印刷工藝，制備銀上電極，制備溫度不高于100℃。

技術研發(fā)人員：申緒男;趙岳;賴運子;劉帥奇
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第十八研究所
文檔號碼：201610832713
技術研發(fā)日：2016.09.19
技術公布日：2016.12.07