技術(shù)領(lǐng)域總體上涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)諸如快恢復(fù)二極管的半導(dǎo)體器件以及用于制造此類半導(dǎo)體器件的方法，其中諸如快恢復(fù)二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有例如穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓。

背景技術(shù)：

包括快恢復(fù)二極管(“FRED”)的半導(dǎo)體器件為人們所熟知，并且為肖特基二極管和P-N結(jié)二極管的混合。相比于僅在P-N結(jié)二極管或肖特基二極管中可用的布置來說，這種布置在更高的電流下產(chǎn)生更低的正向壓降，以及更高的切換速度。當從電流通過模式(當半導(dǎo)體器件正向偏置時)切換回電流阻斷模式(當半導(dǎo)體器件反向偏置時)時，期望可以迅速獲得所需的反向電壓，并且期望該電壓一旦被獲得就保持穩(wěn)定。

對于快恢復(fù)二極管來說重要的是具有穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓(反向偏置擊穿電壓有時也被稱為阻斷電壓)，以確保半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。遺憾的是，一些快恢復(fù)二極管，特別是用于相對高電壓的應(yīng)用(例如，大約500V或更大(例如，大約500V至大約2000V))的那些快恢復(fù)二極管的反向偏置擊穿電壓在例如當二極管暴露于水分中(例如，高濕度條件例如超過大約60％的相對濕度)時，并且/或者當二極管或類似半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面層上存在痕量離子污染(例如，鈉等)時可變化或變得不穩(wěn)定。具體地，當在存在高濕度的情況下向一些快恢復(fù)二極管的主陽極施加負電壓偏置時，二極管外部上的靜止表面電荷可變得可移動并且集中在一起，以在不期望的位置產(chǎn)生局部的電場凹穴，其可改變二極管的摻雜劑槽或阱的耗盡區(qū)，導(dǎo)致例如反向偏置擊穿電壓的減小(例如，“步入(walk-in)”影響)，從而不利地影響半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。另外，在一些情況下， 當器件未封裝并且/或者并未處于受控的低濕度環(huán)境中時，水分對反向偏置擊穿電壓的降級效果可更嚴重。因此，在確定對器件的這些影響的程度時應(yīng)當考慮該器件的測試條件。

因此，期望提供包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)諸如快恢復(fù)二極管等的半導(dǎo)體器件以及用于制造此類半導(dǎo)體器件的方法，即使在例如存在水分的情況下，諸如快恢復(fù)二極管等的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)仍具有穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓，以改善半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。此外，從隨后的結(jié)合附圖和該背景的詳細描述和所附權(quán)利要求中，其他期望的特征和特性將變得顯而易見。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文提供半導(dǎo)體器件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。根據(jù)示例性實施例，半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半電絕緣鈍化層覆蓋在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上?；旧贤耆娊^緣的鈍化層覆蓋在半電絕緣鈍化層上。

根據(jù)另一個示例性實施例，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括被配置成快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并且包括N導(dǎo)電類型的摻雜半導(dǎo)體襯底。摻雜半導(dǎo)體襯底具有上表面部分和下表面部分，下表面部分設(shè)置在與上表面部分相對的一側(cè)上。摻雜半導(dǎo)體襯底包括P導(dǎo)電類型的中心P+摻雜劑區(qū)域，中心P+摻雜劑區(qū)域延伸到上表面部分從而限定主陽極。N導(dǎo)電類型的終端N+摻雜劑區(qū)域圍繞上表面部分以限定溝道停止部。至少一個P導(dǎo)電類型的中間P+摻雜劑區(qū)域在主陽極與溝道停止部之間并且與主陽極和溝道停止部隔開設(shè)置在上表面部分中，以限定至少一個防護環(huán)，上表面部分在。N導(dǎo)電類型的下N+摻雜劑區(qū)域在摻雜半導(dǎo)體襯底的下表面部分中形成。第一陽極金屬墊電耦合到主陽極，而第二金屬結(jié)構(gòu)電耦合到溝道停止部。至少一個氧化物層覆蓋在第一陽極金屬墊與第二金屬結(jié)構(gòu)之間的摻雜半導(dǎo)體襯底上。至少一個金屬場板設(shè)置在第一陽極金屬墊與第二金屬結(jié)構(gòu)之間，并且第一陽極金屬墊和第二金屬結(jié)構(gòu)隔開，從而覆蓋在至少一個氧化物層上。半電絕緣鈍化層包括第一氮化硅材料，第一氮化硅材料覆蓋在至少一個金屬場板和至少一個氧化物層上。第一氮化硅材料具有大約7.5×10⁸Ohm·cm至大約2.5×10⁹Ohm·cm的第一體電阻率。 基本上完全電絕緣的鈍化層包括第二氮化硅材料，第二氮化硅材料覆蓋在半電絕緣鈍化層上。第二氮化硅材料具有大約1×10¹⁵Ohm·cm至大約1×10¹⁶Ohm·cm的第二體電阻率。

根據(jù)另一個示例性實施例，本發(fā)明提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括形覆蓋在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的半電絕緣鈍化層。形成覆蓋在半電絕緣鈍化層上的基本上完全電絕緣的鈍化層。

附圖說明

在下文將結(jié)合以下附圖描述各種實施例，在附圖中，類似的標號指示類似的元件，并且其中：

圖1至圖4根據(jù)示例性實施例以剖視圖示出了在各個中間制造階段期間的半導(dǎo)體器件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。

具體實施方式

以下詳細描述實質(zhì)上僅為示例性的，而并非旨在限制各種實施例或其應(yīng)用和使用。此外，并非旨在受到前述背景或以下詳細說明中所呈現(xiàn)的任何原理的限制。

本文預(yù)期的各種實施例涉及包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件以及用于制造此類半導(dǎo)體器件的方法。在示例性實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被配置成快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)并且包括摻雜半導(dǎo)體襯底，該摻雜半導(dǎo)體襯底具有限定主陽極的P+摻雜劑區(qū)域、限定溝道停止部的終端N+摻雜劑區(qū)域以及在摻雜半導(dǎo)體襯底的下表面部分中形成的下N+摻雜劑區(qū)域。第一陽極金屬墊電耦合到主陽極，而第二金屬結(jié)構(gòu)電耦合到溝道停止部。在示例性實施例中，至少一個氧化物層覆蓋在第一陽極金屬墊與第二金屬結(jié)構(gòu)之間的摻雜半導(dǎo)體襯底上。電半絕緣鈍化層覆蓋在快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)上，并且基本上完全電絕緣的鈍化層覆蓋在電半絕緣鈍化層上。

在示例性實施例中，半導(dǎo)體器件被配置成使得快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)的主 陽極和N-摻雜劑區(qū)域形成P-N結(jié)，即使在例如存在水分的情況下，P-N結(jié)仍具有穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓。具體地并且如以下將要進一步詳細討論的，在示例性實施例中，當在存在相對高濕度的情況下(例如，大約60％的相對高濕度或更大的相對濕度)向快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)的主陽極施加負電壓偏置時，電半絕緣鈍化層和基本上完全電絕緣的鈍化層配合以幫助減少、防止或消除基本上完全電絕緣的鈍化層上的任何靜止表面電荷變得可移動并且集中在一起以在一個或多個不期望的位置中產(chǎn)生一個或多個局部的電場凹穴。由此，在示例性實施例中，即使在存在水分的情況下，半導(dǎo)體器件仍具有相對穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓，用于改善的性能和可靠性。

圖1至圖4以剖視圖說明了在各個制造階段期間的半導(dǎo)體器件10。所描述的過程步驟、程序和材料僅被認為是設(shè)計用來向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員示出用于制造半導(dǎo)體器件的方法的示例性實施例；用于制造半導(dǎo)體器件的方法并不限于這些示例性實施例。制造半導(dǎo)體器件的各個步驟為人們所熟知，并且因此，為簡潔起見，許多常規(guī)步驟在本文僅將簡略提及，或者將完全省略而不提供為人們所熟知的過程細節(jié)。

圖1根據(jù)示例性實施例示出在中間制造階段期間的半導(dǎo)體器件10的一部分。半導(dǎo)體器件10包括被配置成快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)11的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。盡管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被配置成快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)，但要理解的是，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可被配置成不同于快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，諸如晶體管結(jié)構(gòu)或其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如高壓半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)諸如高壓晶體管結(jié)構(gòu)(例如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等)或其他高壓半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)?？旎謴?fù)二極管結(jié)構(gòu)11包括由半導(dǎo)體襯底形成的摻雜半導(dǎo)體襯底12，半導(dǎo)體襯底12可代表任何適當?shù)妮d體材料，諸如硅或硅基材料等。如本文所用，術(shù)語“半導(dǎo)體襯底”將用來包含常規(guī)用于半導(dǎo)體行業(yè)的制作電氣器件的半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料包括單晶硅材料，諸如通常用于半導(dǎo)體行業(yè)的相對純的或輕雜質(zhì)摻雜的單晶硅材料，以及多晶硅材料和與其他元素諸如鍺、碳等混合的硅。另外，“半導(dǎo)體材料”包含其他材料諸如相對純的或雜質(zhì)摻雜的鍺、砷化鎵、氧化鋅、玻璃等。示例性的半導(dǎo)體材料為硅襯底。硅襯底可以為塊狀硅晶片，或者 可以為絕緣層上的薄的硅層(通常被稱為絕緣體上的硅或SOI)，絕緣層反過來由載體晶片支撐。

在示例性實施例中，摻雜半導(dǎo)體襯底12由已經(jīng)摻雜有摻雜劑物質(zhì)的硅晶片形成，用于在基本上整個晶片上建立N導(dǎo)電類型(由一個或多個N-摻雜劑區(qū)域14表示)。如本文所用，符號“-”和“+”為指摻雜水平的相對符號，其中“-”指的是較輕微摻雜或輕摻雜，而相對地，“+”指的是較重摻雜或重摻雜。N型摻雜劑物質(zhì)包括周期表的V族元素，諸如磷(P)、砷(As)等。

如圖所示，摻雜半導(dǎo)體襯底12具有上表面部分16和下表面部分18。已經(jīng)通過摻雜適當?shù)膿诫s劑物質(zhì)而形成延伸到上表面部分16的中心P+摻雜劑區(qū)域20，用于建立P導(dǎo)電類型。P型摻雜劑物質(zhì)包括周期表的III族元素，諸如硼(B)等。中心P+摻雜劑區(qū)域20限定主陽極22用于形成如以下將進一步詳細討論的P-N結(jié)。

終端N+摻雜劑區(qū)域24圍繞摻雜半導(dǎo)體襯底12的上表面部分16，終端N+摻雜劑區(qū)域24已經(jīng)通過摻雜適當?shù)腘導(dǎo)電類型摻雜劑物質(zhì)而形成。終端N+摻雜劑區(qū)域24限定溝道停止部26，溝道停止部26形成快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)11的外周長部分。

如圖所示，多個中間P+摻雜劑區(qū)域28在主陽極22與溝道停止部26之間并且與主陽極22和溝道停止部26隔開設(shè)置在摻雜半導(dǎo)體襯底12的上表面部分16中，多個中間P+摻雜劑區(qū)域28已經(jīng)通過摻雜適當?shù)腜導(dǎo)電類型摻雜劑物質(zhì)而形成。中間P+摻雜劑區(qū)域28中的每個限定保護環(huán)30。

與上表面部分16相對，摻雜半導(dǎo)體襯底12的下表面部分18進一步摻雜有適當?shù)腘導(dǎo)電類型摻雜劑物質(zhì)以任選地形成下N+摻雜劑區(qū)域32。在示例性實施例中，主陽極22使用N-摻雜劑區(qū)域14形成P-N結(jié)。

圖案化的氧化物層34、氧化物層36、陽極金屬墊38、金屬結(jié)構(gòu)40和金屬場板42覆蓋在摻雜半導(dǎo)體襯底12上。如圖所示，陽極金屬墊38電耦合到主陽極22，金屬結(jié)構(gòu)40電耦合到溝道停止部26，并且圖案化的氧化物層34和氧化物層36設(shè)置在陽極金屬墊38與金屬結(jié)構(gòu)40之間。要理 解的是，一個或多個氧化物層可以為氧化物的堆疊，或者可以為一個連續(xù)的氧化物層。還要理解的是，一個或多個氧化物層可在器件制造期間使用不同的方法形成。氧化物的厚度可根據(jù)正在制造的器件而改變。在示例性實施例中，金屬場板42覆蓋在氧化物層36上，并且在保護環(huán)30上方錯列或者與保護環(huán)30大致垂直對齊，以幫助管理由快恢復(fù)二極管在操作期間諸如在相對高電壓應(yīng)用(例如，大約500V或更大的反向偏置擊穿電壓)中產(chǎn)生的所得電場。在示例性實施例中，盡管未說明，但金屬場板42可具有通過氧化物層34和氧化物層36圖案化的小的接觸窗口，使得金屬場板42的金屬可直接接觸中間P+摻雜劑區(qū)域28，中間P+摻雜劑區(qū)域28形成位于相應(yīng)金屬場板42下方的保護環(huán)30。

在示例性實施例中，圖案化的氧化物層34和氧化物層36由電介質(zhì)氧化物材料諸如氧化硅(例如，二氧化硅(SiO₂))形成。在示例性實施例中，圖案化的氧化物層34具有從大約至大約的厚度，并且獨立地，氧化物層36具有從大約至大約的厚度。在示例性實施例中，陽極金屬墊38、金屬結(jié)構(gòu)40和金屬場板42由導(dǎo)電金屬材料諸如鋁、鋁合金等形成，并且獨立地具有從大約至大約的厚度。

半導(dǎo)體器件10的所說明部分可基于人們所熟知的技術(shù)形成。在示例性實施例中，通過在提供已經(jīng)輕摻雜有適當N導(dǎo)電類型摻雜劑物質(zhì)的硅晶片之后，使用例如熱氧化過程在硅晶片上熱生長氧化物層，并且使用例如濕法蝕刻過程(例如，氫氯(HF)酸蝕刻)對氧化物層進行圖案化以形成圖案化的氧化物層34來形成半導(dǎo)體器件10。接下來，使用例如圖案化的氧化物層34，附加的光掩模和光刻技術(shù)以及多個離子注入過程以將各種適當?shù)膿诫s劑物質(zhì)選擇性注入到硅晶片中來形成中心P+摻雜劑區(qū)域20、終端N+摻雜劑區(qū)域24、中間P+摻雜劑區(qū)域28和下N+摻雜劑區(qū)域32，用于建立如上所討論的對應(yīng)導(dǎo)電類型。另選地，可使用不同于離子注入的方法諸如例如一個或多個基于熱的摻雜過程將摻雜劑物質(zhì)引入到硅晶片中。接下來，使用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)過程沉積氧化物層36，并且將其圖案化和蝕刻(例如，類似于氧化物層34的圖案化和蝕刻)，隨后使用例如 等離子體金屬沉積過程或物理氣相沉積(PVD)過程沉積金屬層。然后，使用例如光刻和蝕刻技術(shù)將金屬層圖案化，以形成陽極金屬墊38、金屬結(jié)構(gòu)40和金屬場板42。盡管未說明，但用于快恢復(fù)二極管的在本領(lǐng)域中為人們所熟知的背部金屬層可以操作性地耦合到半導(dǎo)體器件10。

圖2根據(jù)示例性實施例說明了在更進一步的制造階段期間的半導(dǎo)體器件10。該過程通過形成覆蓋在快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)11上的半電絕緣鈍化層44而繼續(xù)。如圖所示，半電絕緣鈍化層44被沉積覆蓋在金屬場板42、氧化物層、金屬結(jié)構(gòu)40上，并且部分沉積在陽極金屬墊38上方。在示例性實施例中，半電絕緣鈍化層44具有從大約至大約諸如從大約至大約的厚度。

半電絕緣鈍化層44為相對的電阻材料，但是允許一個或多個電荷(離子)的一些有限流動。在示例性實施例中，半電絕緣鈍化層44具有從大約7.5×10⁸Ohm·cm至大約2.5×10⁹Ohm·cm，諸如從大約1×10⁹Ohm·cm至大約2×10⁹Ohm·cm的體電阻率，獨立地具有在大約225kHz至大約450kHz下的從大約450W至大約650W，諸如在大約230kHz至大約250kHz下的從大約500W至大約600W的低頻功率，并且獨立地具有在13.56MHz下的從大約0W至大約300W，諸如在13.56MHz下的大約0W的高頻功率。在示例性實施例中，半電絕緣鈍化層44具有從大約2.75至大約3.25，諸如從大約2.9至大約3.)的折射率，并且獨立地具有從大約-1×10¹⁰Dynes/cm²至大約-2.5×10⁹Dynes/cm²，諸如從大約-7.5×10⁹Dynes/cm²至大約-3.5×109Dynes/cm²的膜應(yīng)力。

在示例性實施例中，電半絕緣鈍化層44為氮化硅材料，其具有從大約0.3Y至大約0.38Y的氮氣與硅(N/Si)摩爾比。在示例性實施例中，電半絕緣鈍化層44使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)過程沉積，其中氨(NH₃)和硅烷(SiH₄)以從大約0.8∶1至大約1.25∶1，諸如從大約0.85∶1至大約1.15∶1，例如大約1∶1的氨與硅烷氣體比進料。在示例性實施例中，PECVD過程包括使用從大約620sccm至大約780sccm，例如從大約650sccm至大約750sccm的NH₃氣體流速和從大約620sccm至大約780sccm，例如從大約650sccm至大約750sccm的硅烷氣體流速。在示例 性實施例中，電半絕緣鈍化層44經(jīng)由PECVD過程以從大約340℃至大約410℃，例如大約390℃至大約410℃的溫度，并且獨立地以大約2torr至大約3torr，例如從大約2.2torr至大約2.7torr的壓力進行沉積。

圖3根據(jù)示例性實施例說明了在更進一步的制造階段期間的半導(dǎo)體器件10。該過程通過形成覆蓋在電半絕緣鈍化層44上的基本上完全電絕緣的鈍化層46而繼續(xù)。在示例性實施例中，基本上完全電絕緣的鈍化層46具有從大約至大約(諸如從大約至大約)的厚度。

基本上完全電絕緣的鈍化層46為完全或幾乎完全電絕緣材料。在示例性實施例中，基本上完全電絕緣的鈍化層46具有從大約1×10¹⁵Ohm·cm至大約1×10¹⁶Ohm·cm，諸如大約3×10¹⁵Ohm·cm至大約7×10¹⁵Ohm·cm的體電阻率，獨立地具有在大約225kHz至大約450kHz下的從大約550W至大約750W，諸如在大約230kHz至大約250kHz下的從大約600W至大約700W的低頻功率，并且獨立地具有在13.56MHz下的從大約350W至大約550W，諸如在13.56MHz下的從大約400W至大約500W的高頻功率。在示例性實施例中，基本上完全電絕緣的鈍化層46具有從大約1.92至大約2.08，諸如從大約1.97至大約2.03的折射率，并且獨立地具有從大約-6×10⁹Dynes/cm²至大約-3×10⁸Dynes/cm²，諸如從大約-3×10⁹Dynes/cm²至大約-6×10⁸Dynes/cm²的膜應(yīng)力。

在示例性實施例中，基本上完全電絕緣的鈍化層46為氮化硅材料，其具有從大約0.9至大約1.1的氮氣與硅(N/Si)摩爾比。在示例性實施例中，基本上完全電絕緣的鈍化層46使用PECVD過程沉積，其中氨(NH₃)和硅烷(SiH₄)以從大約4.5∶1至大約8.2∶1，諸如從大約5.1∶1至大約7.1∶1的氨與硅烷氣體比進料。在示例性實施例中，PECVD過程包括使用從大約1550sccm至大約1950sccm，例如從大約1650sccm至大約1850sccm的NH₃氣體流速，和從大約240sccm至大約340sccm，例如從大約260sccm至大約320sccm的硅烷氣體流速，以及從大約800sccm至大約1220sccm，例如從大約900sccm至大約1100sccm的氮氣氣體流速。在示例性實施例中，基本上完全電絕緣的鈍化層46經(jīng)由PECVD過程以從大約380℃至大 約420℃，例如大約390℃至大約410℃的溫度，并且獨立地以大約2.3torr至大約3.1torr，例如從大約2.45torr至大約2.95torr的壓力進行沉積。要理解的是，在此半導(dǎo)體器件的制造期間，電半絕緣鈍化層和基本上完全電絕緣的鈍化層的堆疊以及這些鈍化層的隨后圖案化可在一次通過中或在兩次單獨通過(或多次通過)中完成。

圖4說明如圖3所描繪的半導(dǎo)體器件10，但是其中負電壓偏置(由單頭箭頭48表示)在存在水分的情況下(例如，大約60％的相對高濕度或更大的相對濕度)施加到快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)11的主陽極金屬墊38。在示例性實施例中，快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)11為相對高電壓的快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)，其具有大約500V或更大，諸如大約700V或更大，諸如大約1000V或更大，諸如大約1200V或更大，例如大約1200V至大約2,000V的反向偏置擊穿電壓。

如圖所示，負電壓偏置48在半導(dǎo)體器件10暴露于水分中時(例如，大約60％的相對高濕度或更大的相對濕度)施加到陽極金屬墊38，并且沿預(yù)期的P-N結(jié)在主陽極22與一個或多個N-摻雜劑區(qū)域之間發(fā)生雪崩擊穿(由虛線50表示)，以提供穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓。具體地，在示例性實施例中，當在存在大約60％的相對高濕度或更大的相對濕度的情況下向主陽極金屬墊38施加負電壓偏置48時，基本上完全電絕緣的鈍化層46的表面上的靜止表面電荷52或離子基本上通過電半絕緣鈍化層44中的反電荷54或離子保持在適當位置，反電荷54或離子從與陽極金屬墊38、金屬結(jié)構(gòu)40和金屬場板42的直接接觸中提取，以幫助減少、防止或消除靜止表面電荷52變得可移動并且集中在一起以在一個或多個非期望位置中諸如靠近溝道停止部26產(chǎn)生一個或多個局部的電場凹穴。由此，在示例性實施例中，即使在存在水分的情況下，半導(dǎo)體器件10仍具有相對穩(wěn)定的反向偏置擊穿電壓，用于改善的性能和可靠性。

盡管在本公開的上述詳細描述中提出了至少一個示例性實施例，但應(yīng)該理解的是，存在大量的變型。還應(yīng)該理解的是，示例性實施例或多個示例性實施例僅為示例，而并非旨在以任何方式限制本公開的范圍、適用性或配置。相反，上述詳細描述將為本領(lǐng)域的技術(shù)人員提供方便的路線圖用 于實施本公開的示例性實施例。應(yīng)當理解，在未背離如在隨附權(quán)利要求書中所闡述的本公開的范圍的情況下，可對示例性實施例中描述的元件的功能和布置做出各種改變。