1.一種雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:至少包括如下步驟:
步驟101、在襯底上制作背電極;具體為:
通過直流磁控濺射沉積系統(tǒng)在襯底材料上沉積厚度為500-700nm的Mo作為背電極,其中:Mo為雙層結(jié)構(gòu),接近襯底的為高阻Mo層,所述高阻Mo層的厚度范圍是100-150nm,在所述高阻Mo層上再沉積厚度范圍是400-550nm的低阻Mo層;
步驟102、在上述背電極上利用共蒸發(fā)銅、銦、鎵、硒四種元素的方法制備厚度2微米以上的銅銦鎵硒薄膜;
步驟103、在上述銅銦鎵硒薄膜上,采用化學(xué)水浴沉積的方法制備緩沖層,所述緩沖層為50nm厚的硫化鎘薄膜;
步驟104、在上述緩沖層上采用射頻磁控濺射的方法制備50nm厚的本征氧化鋅薄膜;
步驟105、在上述本征氧化鋅薄膜上,采用直流磁控濺射方法依次制備厚度范圍是120nm的摻鋁氧化鋅薄膜和厚度范圍是260-320nm的氧化銦錫薄膜;
步驟106、在透明導(dǎo)電膜上,采用低溫絲網(wǎng)印刷工藝,制備銀上電極,制備溫度不高于100℃,從而完成電池制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:所述襯底為聚酰亞胺襯底、鈦箔襯底、鈣鈉玻璃中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:所述背電極的厚度為500nm;其中:高阻Mo層的厚度為100nm;低阻Mo層的厚度為400nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:所述背電極的厚度為700nm;其中:高阻Mo層的厚度為150nm;低阻Mo層的厚度為550nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:所述步驟106中的制備溫度為99℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:所述步驟105的摻鋁氧化鋅薄膜中,鋁元素摩爾百分含量為2%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法,其特征在于:所述步驟105的氧化銦錫薄膜中,銦和錫的摩爾百分比為9:1。
8.一種根據(jù)利要求1-7任一項所述雙層導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒薄膜太陽電池制備方法制備的太陽電池。