1.一種倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底任意一表面形成多個(gè)發(fā)光微結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層表面的有源層和N型電極，位于所述有源層表面的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層表面的金屬反射層，位于所述金屬反射層表面的P型電極, N型電極與P型電極之間相互絕緣；
將相連的發(fā)光微結(jié)構(gòu)的N型電極和P型電極連接形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；
在所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)表面形成分布布拉格反射層；
在所述分布布拉格反射層表面形成N型焊盤和P型焊盤，所述N型焊盤連接所述N型電極，所述P型焊盤連接所述P型電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)為梯形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)的形成過程為：
在襯底任意一表面形成N型氮化鎵層；
在N型氮化鎵層表面形成有源層；
在有源層表面形成P型氮化鎵層；
采用刻蝕工藝將N型氮化鎵層背離襯底一側(cè)的預(yù)設(shè)區(qū)域裸露；
在P型氮化鎵層表面形成金屬反射層；
在N型氮化鎵層的預(yù)設(shè)區(qū)域表面形成N型電極，且在金屬反射層表面形成P型電極，N型電極與P型電極之間相互絕緣；
沿N型氮化鎵層的預(yù)設(shè)區(qū)域邊緣對金屬反射層至N型氮化鎵層進(jìn)行刻蝕，以得到多個(gè)發(fā)光微結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述P型氮化鎵層后，且刻蝕裸露所述N型氮化鎵層的預(yù)設(shè)區(qū)域前，所述制作方法還包括：
在所述P型氮化鎵層表面形成所述歐姆接觸層，其中，所述金屬反射層位于所述歐姆接觸層表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述金屬反射層后，且形成所述N型電極和P型電極前，所述制作方法還包括：
在所述金屬反射層表面形成所述金屬擴(kuò)散阻擋層，其中，所述P型電極形成于所述金屬擴(kuò)散阻擋層背離所述襯底一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述金屬反射層后，且形成所述N型電極和P型電極前，所述制作方法還包括：
形成覆蓋所述金屬反射層、且延伸覆蓋至所述N型氮化鎵層的預(yù)設(shè)區(qū)域的鈍化層；
其中，所述鈍化層對應(yīng)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域設(shè)置有第一開口，以用于形成所述N型電極，以及，所述鈍化層對應(yīng)所述金屬反射層的區(qū)域設(shè)置有第二開口，以用于形成所述P型電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，采用橋接連接方式將相連的所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)的N型電極和P型電極形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，在電極形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)后，且形成所述分布布拉格反射層前，所述制作方法還包括：
將第所述襯底放置在氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行高溫退火，形成良好的歐姆接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，采用電子束蒸發(fā)或磁控濺射的工藝在所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)表面形成所述分布布拉格反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓芯片的制作方法，其特征在于，所述分布布拉格反射層具有高鈍化性能和高反射性能。
11.一種倒裝高壓芯片，其特征在于，所述倒裝高壓芯片采用權(quán)利要求1~10任意一項(xiàng)所述的制作方法制作而成。