1.一種準(zhǔn)直光源，其特征在于，包括：襯底基板、位于所述襯底基板上的具有多個(gè)凹型微結(jié)構(gòu)的膜層、位于所述膜層上的反射層以及與各所述凹型微結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)發(fā)光部；其中，
每個(gè)所述發(fā)光部發(fā)出的光經(jīng)對(duì)應(yīng)的凹型微結(jié)構(gòu)上的反射層的反射后，從所述反射層背離所述襯底基板的一側(cè)以平行光出射。
2.如權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，每個(gè)所述凹型微結(jié)構(gòu)的表面為拋物面；各所述發(fā)光部位于對(duì)應(yīng)的凹型微結(jié)構(gòu)的焦點(diǎn)處。
3.如權(quán)利要求2所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，每個(gè)所述凹型微結(jié)構(gòu)的深度的范圍為8μm至80μm，直徑的范圍為20μm至150μm。
4.如權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，所述具有多個(gè)凹型微結(jié)構(gòu)的膜層的材料為熱固化樹(shù)脂。
5.如權(quán)利要求2或3所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，還包括：位于所述反射層與各所述發(fā)光部所在膜層之間的平坦層。
6.如權(quán)利要求5所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，所述平坦層的粘度的范圍為0.1×10-6mPa·s至1.5×10-6mPa·s。
7.如權(quán)利要求5所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，所述平坦層的折射率的范圍為1.5至2。
8.如權(quán)利要求5所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，所述平坦層的材料包括環(huán)氧樹(shù)脂、壓克力樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂中的任意一種。
9.如權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，每個(gè)所述發(fā)光部為有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括沿所述襯底基板指向所述反射層的方向依次層疊設(shè)置的透明的第一電極、發(fā)光層和具有反射作用的第二電極。
10.如權(quán)利要求9所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，每個(gè)所述有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層的面積的范圍為2μm2至15μm2。
11.如權(quán)利要求9所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，每個(gè)所述有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)中的第二電極的面積的范圍為4μm2至20μm2。
12.如權(quán)利要求9所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，每個(gè)所述有機(jī)電致發(fā)光結(jié)構(gòu)中的第二電極的厚度的范圍為100nm至500nm。
13.如權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，所述反射層的材料包括鋁、鋁釹合金和銀中的任意一種。
14.如權(quán)利要求13所述的準(zhǔn)直光源，其特征在于，所述反射層的厚度的范圍為100nm至500nm。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括：顯示面板、背光模組以及位于所述顯示面板與所述背光模組之間的分光層；其中，所述背光模組為如權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的準(zhǔn)直光源。
16.一種準(zhǔn)直光源的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底基板上形成具有多個(gè)凹型微結(jié)構(gòu)的膜層；
在形成有所述膜層的襯底基板上形成反射層；
在形成有所述反射層的襯底基板上形成與各所述凹型微結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)發(fā)光部；其中，每個(gè)所述發(fā)光部發(fā)出的光經(jīng)對(duì)應(yīng)的凹型微結(jié)構(gòu)上的反射層的反射后，從所述反射層背離所述襯底基板的一側(cè)以平行光出射。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成具有多個(gè)凹型微結(jié)構(gòu)的膜層，包括：
采用熱固化樹(shù)脂材料在所述襯底基板上形成膜層；
對(duì)所述膜層進(jìn)行納米壓印處理形成多個(gè)凹型微結(jié)構(gòu)；
對(duì)形成有所述多個(gè)凹型微結(jié)構(gòu)的膜層進(jìn)行加熱處理。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，加熱溫度的范圍為70℃至200℃。
19.如權(quán)利要求16-18任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在形成所述反射層之后，在形成各所述發(fā)光部之前，還包括：
在形成有所述反射層的襯底基板上形成平坦層。