本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種提高電化學(xué)鍍銅洗邊寬度均勻性的電化學(xué)鍍銅洗邊裝置以及電化學(xué)鍍銅洗邊方法。

背景技術(shù)：

在芯片制造過(guò)程中，電化學(xué)鍍銅之后的洗邊過(guò)程對(duì)于后續(xù)流程的順利完成有很重要的作用。洗邊可以有效地減少各種顆粒，而洗邊不均勻有可能會(huì)導(dǎo)致圓邊緣龜裂，影響良率。

引發(fā)洗邊寬度不均勻的因素主要在于：如圖1所示，對(duì)晶圓100進(jìn)行洗邊時(shí)，會(huì)有3個(gè)垂直夾具2抓住晶圓的側(cè)面與晶圓一起做圓周運(yùn)動(dòng)，其中垂直夾具2是有一定寬度的實(shí)心材料且與晶圓側(cè)面接觸。

晶圓的一側(cè)會(huì)有一個(gè)噴嘴1向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液，洗邊溶液噴嘴相對(duì)于晶圓表面的高度和角度以及洗邊溶液的流速是固定不變的，而且洗邊溶液供給裝置電流恒定，洗邊溶液的流速固定不變。

當(dāng)洗邊溶液從管路中流到晶圓表面后，由于離心力的作用，洗邊溶液會(huì)被甩出晶圓表面，洗邊寬度即為洗邊溶液流過(guò)區(qū)域的寬度。而在垂直夾具位置，當(dāng)洗邊溶液流經(jīng)晶圓表面時(shí)，遇到垂直夾具阻擋會(huì)被彈回到更靠近晶圓內(nèi)部的位置，從而導(dǎo)致洗邊寬度過(guò)大，使整個(gè)晶圓洗邊寬度不均勻。從而可能會(huì)導(dǎo)致圓邊緣龜裂，影響良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠提高洗邊寬度均勻性的方法，有效提高晶圓邊緣芯片的質(zhì)量，從而提高良率，減少經(jīng)濟(jì)損失。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種電化學(xué)鍍銅洗邊裝置，包括：用于抓住晶圓的側(cè)面的多個(gè)垂直夾具、布置在晶圓側(cè)邊的噴嘴、以及與噴嘴連接的洗邊溶液供給裝置；其中，垂直夾具具有中間鏤空結(jié)構(gòu)，使得垂直夾具與晶圓的側(cè)面接觸的區(qū)域?yàn)橹虚g鏤空結(jié)構(gòu)的邊框部分。

優(yōu)選地，在所述電化學(xué)鍍銅洗邊裝置工作時(shí)，所述洗邊溶液供給裝置被提供有恒定電流，從而向所述噴嘴提供洗邊溶液以使所述噴嘴向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具的數(shù)量為三個(gè)。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具均勻布置在晶圓周?chē)?/p>

優(yōu)選地，所述噴嘴向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液時(shí)的洗邊溶液流速固定。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種電化學(xué)鍍銅洗邊方法，其特征在于包括：采用多個(gè)垂直夾具抓住晶圓的側(cè)面，其中垂直夾具具有中間鏤空結(jié)構(gòu)，使得垂直夾具與晶圓的側(cè)面接觸的區(qū)域?yàn)橹虚g鏤空結(jié)構(gòu)的邊框部分；利用布置在晶圓側(cè)邊的噴嘴向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具的數(shù)量為三個(gè)。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具均勻布置在晶圓周?chē)?/p>

優(yōu)選地，所述噴嘴向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液時(shí)的洗邊溶液流速固定。

本發(fā)明采用具有合適強(qiáng)度的材料，改善垂直夾具的結(jié)構(gòu)，將其做成中間鏤空的結(jié)構(gòu)；以減小垂直夾具與晶圓接觸的面積，從而減少當(dāng)洗邊溶液經(jīng)過(guò)時(shí)垂直夾具對(duì)洗邊溶液的回彈量。由此，本發(fā)明在保證洗邊效果的前提下，提出了一種可提高洗邊寬度均勻性的方法，有效提高晶圓邊緣芯片的質(zhì)量，從而提高良率，減少經(jīng)濟(jì)損失。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了傳統(tǒng)的洗邊裝置結(jié)構(gòu)。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電化學(xué)鍍銅洗邊裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電化學(xué)鍍銅洗邊方法的示意圖。

需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明采用具有合適強(qiáng)度的材料，改善垂直夾具的結(jié)構(gòu)，將其做成中間鏤空的結(jié)構(gòu)；以減小垂直夾具與晶圓接觸的面積，從而減少當(dāng)洗邊溶液經(jīng)過(guò)時(shí)垂直夾具對(duì)洗邊溶液的回彈量。由此，本發(fā)明在保證洗邊效果的前提下，提出了一種可提高洗邊寬度均勻性的方法，有效提高晶圓邊緣芯片的質(zhì)量，從而提高良率，減少經(jīng)濟(jì)損失。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電化學(xué)鍍銅洗邊裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電化學(xué)鍍銅洗邊裝置包括：用于抓住晶圓100的側(cè)面的多個(gè)垂直夾具10、布置在晶圓側(cè)邊的噴嘴1、以及與噴嘴1連接的洗邊溶液供給裝置(未圖示)。

其中，垂直夾具10具有中間鏤空結(jié)構(gòu)，使得垂直夾具10與晶圓100的側(cè)面接觸的區(qū)域?yàn)橹虚g鏤空結(jié)構(gòu)的邊框部分，由此可以有效地減小垂直夾具與晶圓接觸的面積，從而減少當(dāng)洗邊溶液經(jīng)過(guò)時(shí)垂直夾具對(duì)洗邊溶液的回彈量。

其中，優(yōu)選地，在所述電化學(xué)鍍銅洗邊裝置工作時(shí)，所述洗邊溶液供給裝置被提供有恒定電流，從而向所述噴嘴1提供洗邊溶液以使所述噴嘴1向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具10的數(shù)量為三個(gè)。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具10均勻布置在晶圓100周?chē)?/p>

優(yōu)選地，所述噴嘴1向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液時(shí)的洗邊溶液流速固定。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電化學(xué)鍍銅洗邊方法的示意圖。

第一步驟：采用多個(gè)垂直夾具10抓住晶圓100的側(cè)面；其中垂直夾具10具有中間鏤空結(jié)構(gòu)，使得垂直夾具10與晶圓100的側(cè)面接觸的區(qū)域?yàn)橹虚g鏤空結(jié)構(gòu)的邊框部分；這樣，后續(xù)噴嘴經(jīng)過(guò)垂直夾具時(shí)，洗邊溶液與垂直夾具接觸的面積就會(huì)減小，被回彈的溶液就會(huì)減少，使得洗邊寬度不會(huì)過(guò)寬。

第二步驟：利用布置在晶圓側(cè)邊的噴嘴1向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具10的數(shù)量為三個(gè)。

優(yōu)選地，所述多個(gè)垂直夾具10均勻布置在晶圓100周?chē)?/p>

優(yōu)選地，所述噴嘴1向晶圓邊緣噴灑洗邊溶液時(shí)的洗邊溶液流速固定。

例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于半導(dǎo)體所有電化學(xué)鍍銅的工藝技術(shù)中，比如90/65/45nm邏輯、記憶體等芯片生產(chǎn)。采用本方法，通過(guò)調(diào)節(jié)垂直夾具的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)洗邊寬度均勻性的提高，有效提高晶圓邊緣芯片的質(zhì)量，從而提高良率，減少經(jīng)濟(jì)損失。

此外，需要說(shuō)明的是，除非特別說(shuō)明或者指出，否則說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。