本發(fā)明涉及Mura量化系統(tǒng)與方法，并且更具體地說，涉及依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化系統(tǒng)，用于通過在基板中量化Mura實(shí)時(shí)確定在激光結(jié)晶裝置中結(jié)晶的基板的質(zhì)量來提供穩(wěn)定的處理管理，以及依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化方法。

背景技術(shù)：

通常來說，需要使非晶態(tài)多晶薄膜結(jié)晶的處理，例如用于制造諸如液晶顯示器或太陽能裝置的電/電子裝置的非晶態(tài)硅薄膜。

需要以預(yù)定能量發(fā)射激光以使非晶態(tài)硅薄膜結(jié)晶成晶體硅薄膜(為了方便起見在下文中將待結(jié)晶的薄膜稱作為“基板”)。在此處理中的能量的密度稱作能量密度(下文稱作為‘ED’)，并且具有使結(jié)晶結(jié)果優(yōu)化的條件的ED稱為最佳能量密度(下文，稱作為‘OPED’)。

當(dāng)通過SEM(掃描電子顯微鏡)觀察暴露到具有OPED的激光的產(chǎn)品時(shí)，顆粒的方向是均勻的并且顆粒尺寸的均勻性也是最卓越的。然而，由于制造處理要求的時(shí)間與人力，基本上不能通過SEM檢查全部產(chǎn)品。

因此，已經(jīng)建立了用于通過視覺檢查選擇OPED的標(biāo)準(zhǔn)，其被稱為Mura，根據(jù)Mura的強(qiáng)度、發(fā)生頻率與發(fā)生傾向確定OPED。當(dāng)視覺地檢查經(jīng)歷了ED分裂(在不同ED下在數(shù)十毫米的區(qū)域上執(zhí)行結(jié)晶的測試)的產(chǎn)品時(shí)，難以觀察Mura，并且此產(chǎn)品在OPED區(qū)域中比在ED區(qū)域中看得更清楚，并且從OPED區(qū)域達(dá)到更高的ED區(qū)域示出了很多Mura。通過此種方式選擇OPED。

在另一個(gè)方面，利用激光的結(jié)晶處理是其中激光脈沖重疊的掃描處理，并且由于與周圍環(huán)境的能量差異，會在重疊區(qū)域中產(chǎn)生Mura。由此原因產(chǎn)生的條紋稱作為投射Mura(shot mura)。

此外，當(dāng)掃描待結(jié)晶的基板并且在目標(biāo)薄膜上執(zhí)行結(jié)晶時(shí)，會由線性激光束的不均勻性產(chǎn)生污點(diǎn)，稱作掃描Mura(scan mura)。

為了在通過結(jié)晶裝置結(jié)晶以后檢查產(chǎn)品的質(zhì)量，已經(jīng)使用了在測試裝置中視覺地檢查產(chǎn)品的視覺檢查。

然而，在視覺地探測Mura中具有限制，并且根據(jù)位置產(chǎn)生了多種類型的Mura，因此難以檢查Mura。此外，檢查器具有檢查差異，因此檢查的生產(chǎn)力、準(zhǔn)確性和再生產(chǎn)是低的。此外，由于需要檢查器，因此浪費(fèi)了人力與成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化系統(tǒng)，以便通過在基板中量化Mura實(shí)時(shí)確定在激光結(jié)晶裝置中結(jié)晶的基板的質(zhì)量來提供穩(wěn)定的處理管理，以及依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了依靠包括激光結(jié)晶裝置的激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化系統(tǒng)，其中Mura量化裝置設(shè)置在激光結(jié)晶設(shè)施中，使得通過所述激光結(jié)晶裝置使基板結(jié)晶并且當(dāng)移動(dòng)結(jié)晶基板時(shí)實(shí)時(shí)量化Mura。

此外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化方法，其包括：加載基板的第一步驟；利用激光使所述加載基板結(jié)晶的第二步驟；當(dāng)移動(dòng)所述結(jié)晶基板時(shí)實(shí)時(shí)量化Mura的第三步驟；以及卸載經(jīng)歷結(jié)晶與Mura量化的基板的第四步驟。

激光結(jié)晶裝置可以包括：處理室；激光束發(fā)生器，其設(shè)置在所述處理室的一側(cè)并且將激光束照射到所述基板；以及工作臺，其設(shè)置在所述處理室中并且加載與卸載所述基板。

Mura量化裝置可以包括：圖像獲取單元，其設(shè)置在工作臺上方以便在不與激光束干擾的情況下在通過工作臺加載的結(jié)晶基板中實(shí)時(shí)獲得Mura；發(fā)光單元，其設(shè)置在所述圖像獲取單元的一側(cè)并且照射所述結(jié)晶基板；圖像處理單元，其執(zhí)行用于在獲取的Mura圖像上提取對比圖像的圖像預(yù)處理和圖像處理以及通過將處理圖像分析成數(shù)據(jù)來量化Mura；以及中央處理單元，其控制圖像獲取單元、 發(fā)光單元、以及圖像處理單元，顯示通過圖像獲取單元獲取的圖像以及通過圖像處理單元獲取的圖像數(shù)據(jù)，以及確定結(jié)晶基板的質(zhì)量。

圖像獲取單元可以是區(qū)域照相機(jī)并且圖像獲取單元通過響應(yīng)于用于工作臺的位置的信號調(diào)節(jié)觸發(fā)器而獲取具有規(guī)則間距的Mura圖像。

圖像獲取單元可以通過對具有優(yōu)化能量密度(OPED)的各區(qū)域調(diào)節(jié)觸發(fā)器而獲得具有規(guī)則間距的Mura圖像。

圖像獲取單元可以是行掃描照相機(jī)。

可以進(jìn)一步在發(fā)光單元或圖像獲取單元前面設(shè)置偏光器，通過旋轉(zhuǎn)偏光器僅與Mura具有相同方向的光可以通過，并且可以進(jìn)一步在發(fā)光單元或圖像獲取單元前面設(shè)置綠色過濾器。

中央處理單元可以確定結(jié)晶基板的質(zhì)量，并且當(dāng)產(chǎn)生問題時(shí)，中央處理單元可以改變照射到基板上的激光束的能量密度(ED)。

根據(jù)本發(fā)明，能夠通過在包括激光結(jié)晶裝置的設(shè)施中結(jié)晶的基板中量化Mura以及實(shí)時(shí)確定結(jié)晶基板的質(zhì)量實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的處理管理。

此外，與現(xiàn)有方式相比能夠減少探測Mura花費(fèi)的時(shí)間，因此能夠確保生產(chǎn)率。此外，能夠通過獲取通過檢測器確定的錯(cuò)誤與區(qū)別的目標(biāo)數(shù)據(jù)確保結(jié)晶基板可靠的質(zhì)量與目的性。

此外，通過使用區(qū)域照相機(jī)或行掃描照相機(jī)來獲取圖像并且響應(yīng)于觸發(fā)器信號獲取此圖像，因此可以為基板的各區(qū)域容易地探測Mura。

此外，通過使用偏光器或者綠色過濾器獲取的更多的Mura圖像，因此容易探測與量化Mura。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖時(shí)通過下面詳細(xì)的描述，將會更加清楚地理解本發(fā)明的上述與其它目的、特征與其它優(yōu)點(diǎn)。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化系統(tǒng)的主要部分的視圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化方法的框圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式利用區(qū)域照相機(jī)的Mura量化系統(tǒng)的視圖；

圖4是示出利用圖3中示出的區(qū)域照相機(jī)提取Mura量化數(shù)據(jù)的方法的視圖；

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的利用行掃描照相機(jī)的Mura量化系統(tǒng)的視圖；

圖6是示出利用圖5中示出的行掃描照相機(jī)提取Mura量化數(shù)據(jù)的方法的視圖；

圖7(a)是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有偏光器的機(jī)構(gòu)的視圖；以及圖7(b)示出了在使用偏光器以前與以后的Mura圖像的視圖；并且

圖8(a)示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式當(dāng)綠色過濾器時(shí)獲得的Mura圖像；以及圖8(b)是示出根據(jù)Mura圖像的用于EPD結(jié)晶的數(shù)據(jù)的視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明涉及通過量化包括激光結(jié)晶裝置的設(shè)施中的結(jié)晶的基板中的Mura來確定基板的質(zhì)量，其中通過機(jī)器視覺探測Mura并且提取與量化數(shù)據(jù)。

本發(fā)明被制造以通過在包括激光結(jié)晶裝置的設(shè)施中實(shí)時(shí)檢查處理質(zhì)量來允許穩(wěn)定的處理管理。

在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化系統(tǒng)的主要部分的視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化方法的框圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式利用區(qū)域照相機(jī)的Mura量化系統(tǒng)的視圖；圖4是示出利用圖3中示出的區(qū)域照相機(jī)提取Mura量化數(shù)據(jù)的方法的視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式利用行掃描照相機(jī)的Mura量化系統(tǒng)的視圖；圖6是示出利用圖5中示出的行掃描照相機(jī)提取Mura量化數(shù)據(jù)的方法的視圖；圖7(a)是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有偏光器的機(jī)構(gòu)的視圖；以及圖7(b)示出了在 使用偏光器以前與以后的Mura圖像的視圖，并且圖8(a)示出了當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的綠色過濾器時(shí)獲得的Mura圖像，并且圖8(b)是示出根據(jù)Mura圖像的用于EPD結(jié)晶的數(shù)據(jù)的視圖。

如在附圖中所示，根據(jù)本發(fā)明的依靠激光結(jié)晶設(shè)施10的Mura量化系統(tǒng)是以包括激光結(jié)晶裝置的激光結(jié)晶設(shè)施10為基礎(chǔ)的Mura量化系統(tǒng)，其中激光結(jié)晶裝置100使基板結(jié)晶并且激光結(jié)晶設(shè)施10包括用于當(dāng)移動(dòng)結(jié)晶基板20時(shí)實(shí)時(shí)量化Mura的Mura量化裝置200。

本發(fā)明通過在基板20中量化Mura實(shí)時(shí)確定在包括激光結(jié)晶裝置100的激光結(jié)晶設(shè)施10中結(jié)晶的基板20的質(zhì)量，其中通過經(jīng)由機(jī)器視覺自動(dòng)地探測Mura來量化數(shù)據(jù)并且在包括激光結(jié)晶裝置100的激光結(jié)晶設(shè)施10中實(shí)時(shí)檢查處理質(zhì)量，使得可以穩(wěn)定地管理此處理。

通常來說，激光結(jié)晶裝置100包括處理室110、設(shè)置在處理室110的側(cè)面處并且將激光束照射到基板20的激光束發(fā)生器以及設(shè)置在處理室110中以加載與卸載基板20的工作臺130，并且Mura量化裝置200包括在激光結(jié)晶裝置100中。

根據(jù)本發(fā)明，用于獲取Mura圖像的構(gòu)造包括在激光結(jié)晶裝置100中，用于處理探測的Mura圖像、制作Mura的數(shù)據(jù)并且控制各部分的構(gòu)造設(shè)置在激光結(jié)晶裝置100的外部，并且包括全部激光結(jié)晶裝置100與用于量化Mura的裝置的構(gòu)造稱作包括激光結(jié)晶裝置100的激光結(jié)晶設(shè)施10。即，在激光結(jié)晶設(shè)施10中執(zhí)行激光結(jié)晶、Mura的探測以及量化。

激光結(jié)晶裝置100的處理室110，其可以是用于通常結(jié)晶的真空室，在側(cè)面處具有門以將基板20放入內(nèi)部。

用于發(fā)射激光束以使基板20結(jié)晶的激光束發(fā)生器設(shè)置在處理室110外部的一側(cè)并且設(shè)計(jì)為利用光學(xué)模塊與OPDM將激光光束以直線形式有效地照射到基板20。

通常來說，基板20具有沉積在玻璃上的硅薄膜，其中硅薄膜是非晶態(tài)物質(zhì)，并且這里陳述的基板20的結(jié)晶意味著非晶態(tài)硅薄膜在諸如玻璃的基部基板上的結(jié)晶。為了方便起見，假設(shè)在本發(fā)明中基板20包括待結(jié)晶的薄膜與在薄膜下方 的基部基板。

用于結(jié)晶的激光束的能量的密度稱為能量密度(在下文中，稱為‘ED’)并且具有使結(jié)晶結(jié)果最優(yōu)化的條件的ED稱作優(yōu)化能量密度(此后，稱作‘OPED’)。相應(yīng)地，以預(yù)定的OPED提供激光束。

例如，激光束發(fā)生器利用準(zhǔn)分子激光束使基板20結(jié)晶，并且工作臺130設(shè)置在處理室110中并且安裝有基板20，以加載與卸載基板20。

工作臺130相對于激光束移動(dòng)待結(jié)晶的基板20使得激光束照射到基板20的全部區(qū)域。在此構(gòu)造中，能夠通過將用于工作臺130的位置的編碼器信號供給到下面將要描述的Mura量化裝置200的圖像獲取單元210并且然后將此信號用作圖像獲取單元210的觸發(fā)器信號來獲得具有規(guī)則間距的圖像。這用于獲得Mura圖像并且根據(jù)工作臺130的位置量化Mura，并且相應(yīng)地，能夠準(zhǔn)確地發(fā)現(xiàn)在哪里產(chǎn)生Mura。

Mura量化裝置200設(shè)置在激光結(jié)晶設(shè)施10中以便當(dāng)移動(dòng)結(jié)晶基板20時(shí)實(shí)時(shí)量化Mura。

Mura量化裝置200包括：圖像獲取單元210，其設(shè)置在工作臺130上方以便在不與激光束干擾的情況下在通過工作臺130加載的結(jié)晶基板20中實(shí)時(shí)獲得Mura。發(fā)光單元220，其設(shè)置在圖像獲取單元210的一側(cè)并且照射此結(jié)晶基板20；圖像處理單元230，其執(zhí)行用于在獲取的Mura圖像上提取對比圖像的圖像預(yù)處理和圖像處理以及通過將處理的圖像分析成數(shù)據(jù)來量化Mura；以及中央處理單元240，其控制圖像獲取單元210、發(fā)光單元220、與圖像處理單元230；顯示通過圖像獲取單元210獲取的圖像以及通過圖像處理單元230獲取的圖像數(shù)據(jù)，以及確定結(jié)晶基板20的質(zhì)量。

如上所述，Mura量化裝置200的圖像獲取單元210與發(fā)光單元220可以設(shè)置在激光結(jié)晶裝置100的處理室110的內(nèi)部，同時(shí)用于處理獲得的圖像的圖像處理單元230與中央處理單元240可以設(shè)置在處理室110的外部。

設(shè)置為獲取結(jié)晶基板20的Mura圖像的圖像獲取單元210是普通的CCD照相機(jī)，其連接到中央處理單元240以便控制打開/關(guān)閉、角度(θ)與操作，其中使用了區(qū)域照相機(jī)211(圖3)與行掃描照相機(jī)212(圖5)來減小探測Mura所 花費(fèi)的時(shí)間，并且可以使用可以獲取圖像的全部其它照相機(jī)。

當(dāng)需要利用如圖4中所示的區(qū)域照相機(jī)211獲取圖像時(shí)，能夠通過調(diào)節(jié)同步觸發(fā)器獲取具有規(guī)則間距的圖像。例如，能夠通過響應(yīng)用于工作臺130的位置的編碼器信號通過調(diào)節(jié)區(qū)域照相機(jī)211的觸發(fā)器獲取具有規(guī)則間距的Mura圖像。因此，能夠發(fā)現(xiàn)在基板20上已經(jīng)獲得Mura圖像的位置，因此能夠根據(jù)在基板20上的位置容易地確定良好與差的結(jié)晶。

此外，能夠通過調(diào)節(jié)用于各OPED區(qū)域(即，每個(gè)優(yōu)化的能量密度區(qū))的觸發(fā)器獲得具有規(guī)則間距的Mura圖像。即，能夠通過對基板20的各區(qū)域利用不同OPED執(zhí)行結(jié)晶并且將OPED作為觸發(fā)器輸入到圖像獲取單元210來確定哪個(gè)區(qū)域結(jié)晶形成更好。

發(fā)光單元220設(shè)置在圖像獲取單元210的一側(cè)并且照射結(jié)晶基板20以便可以良好地獲得圖像，其中可以通過下面將要描述的中央處理單元240控制發(fā)光單元220的角度與打開/關(guān)閉。

如果必要的話，可以使用多個(gè)發(fā)光單元220并且可以進(jìn)一步在發(fā)光單元220或圖像獲取單元210前面設(shè)置偏光器250或綠色過濾器以便獲取具有突出Mura的圖像。

圖7(a)是當(dāng)偏光器250設(shè)置在發(fā)光單元220前面時(shí)的視圖，其中兩個(gè)發(fā)光單元220設(shè)置在圖像獲取單元210的一側(cè)并且設(shè)有偏光器250。即，在沒有偏振光的普通發(fā)光單元220的前面設(shè)置第一偏光器250以獲得具有偏振光的光源，在圖像獲取單元210與基板20之間設(shè)置第二偏光器250，并且相應(yīng)地，通過旋轉(zhuǎn)偏光器250使得僅具有與Mura相同方向的光通過而獲取具有突出Mura的圖像。

此外，如圖8(b)中所示，可以通過在發(fā)光單元220前面設(shè)置綠色過濾器來獲得突出的Mura。

此外，圖像處理單元230執(zhí)行用于在獲取的Mura圖像上獲取對比圖像的圖像預(yù)處理和圖像處理以及通過將處理的圖像分析成數(shù)據(jù)來量化Mura。

通常來說，難以視覺地識別Mura圖像，因此要求提取對比圖像以增加Mura圖像的可視性，并且相應(yīng)地，通過將獲得的圖像中的局部亮度值進(jìn)行平均而形成平滑圖像來獲取對比圖像。

通過將通過預(yù)處理獲得的參考圖像的數(shù)據(jù)值從初始獲取的圖像減去而獲取對比圖像，能夠通過根據(jù)對比圖像輸入諸如對比比率與線類型的選擇條件而獲取分析圖像，以及相應(yīng)地，獲取了用于最終Mura探測的量化圖像數(shù)據(jù)。

PC通常地用作中央處理單元240，其控制圖像獲取單元210、發(fā)光單元220、與圖像處理單元230，顯示通過圖像獲取單元210獲取的圖像以及通過圖像處理單元230獲取的圖像的數(shù)據(jù)，以及確定結(jié)晶基板20的質(zhì)量。

例如，中央處理單元240可以包括：用于控制圖像獲取單元210、發(fā)光單元220、圖像處理單元230與輸入設(shè)定值的鍵盤；用于顯示獲取的圖像與處理的圖像數(shù)據(jù)的面板；以及用于根據(jù)圖像數(shù)據(jù)確定結(jié)晶基板20的質(zhì)量以及控制全部部件的控制器。

設(shè)置在激光結(jié)晶裝置100外部的中央處理單元240，能夠不僅控制Mura量化裝置200，而且控制包括激光結(jié)晶裝置100的整個(gè)激光結(jié)晶設(shè)施10。此外，中央處理單元240可以控制激光發(fā)生器120以及激光結(jié)晶裝置100的工作臺130的移動(dòng)與位置，其中工作臺130的位置作為觸發(fā)器信號輸入到圖像獲取單元210中使得能夠以規(guī)則間距操作圖像獲取單元210。

中央處理單元240可以利用獲取圖像的數(shù)據(jù)確定結(jié)晶基板20質(zhì)量，當(dāng)產(chǎn)生問題時(shí)可以改變照射到基板20的激光束的能量密度，其中可以根據(jù)確定質(zhì)量的結(jié)果通過提前設(shè)定的程序自動(dòng)地改變或者如果必要的話通過使用者直接地改變ED。

在下文中描述了根據(jù)本發(fā)明的依靠激光結(jié)晶設(shè)施10的Mura量化方法。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的Mura量化方法的視圖。如圖2中所示，依靠激光結(jié)晶設(shè)施10的Mura量化方法包括加載基板20的第一步驟，利用激光在加載基板20上執(zhí)行結(jié)晶的第二步驟，當(dāng)移動(dòng)結(jié)晶基板20時(shí)實(shí)時(shí)量化Mura的第三步驟，以及卸載已經(jīng)歷結(jié)晶與Mura量化的基板20的第四步驟。

基板20安裝在激光結(jié)晶裝置100中的工作臺130上并且加載到用于激光結(jié)晶的位置。加載的基板20通過來自激光束發(fā)生器的激光束結(jié)晶，通過在結(jié)晶基板20移動(dòng)時(shí)通過圖像獲取單元210從結(jié)晶基板20獲取Mura圖像并處理該圖像來實(shí)時(shí)量化Mura，然后將已經(jīng)經(jīng)歷結(jié)晶與Mura量化的基板20卸載，由此完成 此處理。

第三步驟是從結(jié)晶基板20獲得Mura圖像的處理，其在獲得的Mura圖像上執(zhí)行圖像處理，通過將經(jīng)過圖像處理的圖像分析成數(shù)據(jù)來量化Mura，并且然后根據(jù)量化的Mura確定用于基板20的結(jié)晶等級的質(zhì)量。

在從結(jié)晶基板20獲得Mura圖像的步驟中，通過調(diào)節(jié)同步觸發(fā)器獲得具有規(guī)則間距的Mura圖像。

CCD照相機(jī)可以用作圖像獲取單元210以便從結(jié)晶基板20獲取Mura圖像，并且當(dāng)使用區(qū)域照相機(jī)211來獲取如圖4中所示的圖像時(shí)，調(diào)節(jié)位置同步觸發(fā)器以獲取具有規(guī)則間距的圖像。

例如，能夠通過響應(yīng)用于工作臺130的位置的編碼器信號通過調(diào)節(jié)區(qū)域照相機(jī)211的觸發(fā)器獲取具有規(guī)則間距的Mura圖像。因此，能夠發(fā)現(xiàn)在基板20上已經(jīng)獲得Mura圖像的地方，因此能夠在基板20上的位置處容易地確定良好與差的結(jié)晶。

此外，能夠通過調(diào)節(jié)用于各OPED區(qū)域(即，每個(gè)優(yōu)化的能量密度區(qū)域)的觸發(fā)器獲得具有規(guī)則間距的Mura圖像。即，能夠通過對基板20的各區(qū)域利用不同OPED執(zhí)行結(jié)晶并且將OPED作為觸發(fā)器輸入到圖像獲取單元210來確定哪個(gè)區(qū)域結(jié)晶確立更好。

此外，通過圖像處理單元230執(zhí)行用于獲得的Mura圖像的圖像處理，其中可以在獲取的Mura圖像上執(zhí)行用于獲取對比圖像的圖像預(yù)處理與圖像處理并且可以通過將處理的圖像分析成數(shù)據(jù)來量化Mura。

例如，通過平均獲取的圖像中的局部照亮值而形成平滑圖像來提取對比圖像，即，通過將通過預(yù)處理獲得的參考圖像的數(shù)據(jù)值從初始獲取的圖像減去而獲取對比圖像，能夠通過根據(jù)對比圖像輸入諸如對比比率與線類型的選擇條件而獲取分析圖像，以及相應(yīng)地，獲取了用于最終Mura探測的量化圖像數(shù)據(jù)。此外，根據(jù)所述量化的Mura確定用于基板20的結(jié)晶等級的質(zhì)量，并且當(dāng)產(chǎn)生問題時(shí)，照射到基板20的激光束的ED改變，這通過中央處理單元240執(zhí)行。

在下文中，描述了本發(fā)明的實(shí)施方式。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式使用區(qū)域照相機(jī)211的Mura量化系統(tǒng)，以及 圖4是示出利用圖3中示出的區(qū)域照相機(jī)211提取Mura量化數(shù)據(jù)的方法的視圖。

如圖3中所示，通過區(qū)域照相機(jī)211獲得了結(jié)晶的基板20的Mura圖像，其中能夠通過控制區(qū)域照相機(jī)211與發(fā)光單元220的位置與角度來獲得最佳Mura圖像，這可以通過中央處理單元240控制。

通過區(qū)域照相機(jī)211獲得了用于結(jié)晶基板20的特定區(qū)域的Mura圖像，并且該Mura圖像傳送到中央處理單元240并且顯示在面板上。

如圖4中所示，能夠響應(yīng)用于工作臺130的移動(dòng)的編碼器信號觸發(fā)區(qū)域照相機(jī)211，并且相應(yīng)地可以獲取具有規(guī)則間距T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、和T₇的圖像。

選擇性地探測與量化聚焦區(qū)域的Mura，即除了來自獲取圖像的去聚焦區(qū)域以外的有效區(qū)域，并且可以通過絕對比較類型或相對比較類型確定基板20的質(zhì)量，絕對比較類型將各區(qū)域的特性與參考水平進(jìn)行比較，相對比較類型比較各區(qū)域的各特性的不同。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式使用行掃描照相機(jī)212的Mura量化系統(tǒng)，以及圖6是示出利用圖5中示出的行掃描照相機(jī)212提取Mura量化數(shù)據(jù)的方法的視圖。

如圖5中所示，獲得了通過行掃描照相機(jī)212結(jié)晶的基板20的Mura圖像，其中可以通過控制行掃描照相機(jī)212與發(fā)光單元220的位置與角度θ來獲得最佳Mura圖像，這可以通過中央處理單元240控制。

通過行掃描照相機(jī)212獲得了用于結(jié)晶基板20的特定區(qū)域的Mura圖像，并且該Mura圖像傳送到中央處理單元240并且顯示在面板上。

如圖6中所示，對于通過行掃描照相機(jī)212獲取的圖像來說，立體圖被修正，處理區(qū)域即有效區(qū)域被提取，并且通過執(zhí)行直方圖量化或累積的基于輪廓的計(jì)算來執(zhí)行區(qū)域特性的計(jì)算，由此確定基板20的質(zhì)量。

通過將各區(qū)域的特性與參考水平比較或者比較各區(qū)域中特性的區(qū)別實(shí)現(xiàn)了基板質(zhì)量的確定。

圖7(a)是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有偏光器250的機(jī)構(gòu)的視圖并且圖 7(b)是示出在使用偏光器25以前或以后的Mura圖像的視圖；以及

圖7(a)是當(dāng)在發(fā)光單元220前面設(shè)置偏光器250時(shí)的視圖，其中兩個(gè)發(fā)光單元220設(shè)置在圖像獲取單元210的一側(cè)并且設(shè)有偏光器250。即，在沒有偏振光的普通發(fā)光單元220的前面設(shè)置第一偏光器250以獲得具有偏振光的光源，在圖像獲取單元210與基板20之間設(shè)置第二偏光器250，并且相應(yīng)地，通過旋轉(zhuǎn)偏光器250使得僅具有與Mura相同方向的光通過而獲取了具有突出Mura的圖像。

圖7(b)是在使用偏光器250以前和以后的Mura圖像，并且從中可以看到在使用偏光器250以后可以獲得更清楚的Mura圖像。

圖8(a)示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的當(dāng)使用綠色過濾器時(shí)獲得的Mura圖像；以及圖8(b)是示出根據(jù)Mura圖像的用于EPD結(jié)晶的數(shù)據(jù)的視圖。

利用綠色過濾器，以預(yù)定能量密度、40°角度的區(qū)域照相機(jī)、30°角度的發(fā)光單元以及到基板的415～505mJ/cm²的激光束在10個(gè)部分獲得了Mura圖像?？梢钥吹?，通過執(zhí)行圖像處理以及在Mura圖像上的量化分析，OPED是470mJ/cm²。