本發(fā)明涉及對在晶片上制造的集成電路的檢查；更具體地，涉及在缺陷檢查過程中，生成圖像輪廓的方法及裝置。

背景技術：

為了讓目標晶片上的集成電路設計密度更高，微芯片設備制造不斷把元件推向更小的尺寸。例如，微芯片制造中，邏輯電路及陣列的特性已提出20nm分辨率的需求。晶片檢查系統(tǒng)可以檢查在制造過程中發(fā)生的缺陷。晶片管芯(die)的檢查和測量可以利用掃描設備——如掃描電子顯微鏡(Scanning Electron-beamMicroscope，SEM)——來生成管芯圖像。根據(jù)管芯特征的測量，管芯圖像可用于管芯到管芯(die-to-die)的比較。然而，測量是取自輪廓線的，而從掃描設備獲取的圖像可能包括噪聲，進而干擾對管芯特征中輪廓線的精確測定。對輪廓線的測定，提取特征邊緣并不可靠，因為它有可能因噪聲而識別出假輪廓線。

技術實現(xiàn)要素：

本申請涉及對在晶片上制造的集成電路的檢查過程中使用的圖像輪廓的生成。本文公開了用于生成圖像輪廓的系統(tǒng)、方法和裝置的各個方面，以在晶片檢查的掃描圖像中使用。

為了達到上述目的，一方面，本發(fā)明實施例提出一種生成圖像輪廓的方法，包括：

基于設計目標信息，生成一個掩模圖；

基于在所述掩模圖上的光刻效用的仿真，生成一個基準圖像；

基于對所述基準圖像的邊緣探測，生成一個基準圖像輪廓圖；

從一個存儲器中取出一個集成電路的掃描圖像；

生成一個掃描圖像輪廓圖，所述掃描圖像輪廓圖是所述基準圖像輪廓圖和所述集成電路的掃描圖像的函數(shù)。

另一方面，本發(fā)明實施例提出一種裝置，包括：

一個存儲器；

一個處理器，其執(zhí)行儲存在所述存儲器內(nèi)的指令以：

基于設計目標信息，生成一個掩模圖；

基于在所述掩模圖上的光刻效用的仿真，生成一個基準圖像；

基于對所述基準圖像的邊緣探測，生成一個基準圖像輪廓圖；

從所述存儲器中取出一個集成電路的掃描圖像；

生成一個掃描圖像輪廓圖，所述掃描圖像輪廓圖是所述基準圖像輪廓圖和所述集成電路的掃描圖像的函數(shù)。

通過本發(fā)明實施例提供的技術方案，可以精確地生成基準圖像輪廓圖和掃描圖像輪廓圖。

本發(fā)明實施例的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明實施例的技術方案做進一步的詳細描述。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明實施例的限制。在附圖中：

圖1是本發(fā)明實施例提供的用于圖像輪廓生成的一個計算設備的框圖。

圖2是本發(fā)明實施例提供的一個用于在晶片上制造集成電路器件的光刻系統(tǒng)的示意圖。

圖3是本發(fā)明實施例提供的生成圖像輪廓的流程圖。

圖4是本發(fā)明實施例提供的生成圖像輪廓的方法流程圖。

圖5是本發(fā)明實施例提供的一個繪制的掩模圖的示例。

圖6是本發(fā)明實施例提供的基于圖5所示的繪制的掩模圖所重作的一個晶片仿真圖像的示例。

圖7是本發(fā)明實施例提供的基于圖6所示的晶片仿真圖像的一個基準圖像輪廓圖的示例。

圖8是本發(fā)明實施例提供的一個掃描管芯圖像的示例。

圖9是本發(fā)明實施例提供的基于圖7中的基準圖像輪廓圖和圖8中的掃描管芯圖像的掃描管芯圖像輪廓的示例。

圖10是本發(fā)明實施例提供的對圖7中基準圖像輪廓圖和圖9中掃描管芯圖像輪廓的比較的示例。

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明實施例，并不用于限定本發(fā)明實施例。

對在晶片上制造的集成電路(Integrated Circuit,IC)器件的掃描圖像進行檢查時，可以通過仿真(模擬)一個基準圖像來檢測缺陷。所述掃描圖像可以通過掃描電子顯微鏡(SEM)來生成。集成電路器件特征的SEM圖像往往包含彎曲的角和邊(而非清晰的角和筆直的邊)，使得測量變得不準確。此外，SEM圖像可能包含噪聲，干擾到對集成電路器件邊緣的精確測定。為了準確獲得集成電路器件的實際輪廓圖案，可以以數(shù)據(jù)為基礎，基于用于制造集成電路器件的設計數(shù)據(jù)來生成晶片圖像。設計數(shù)據(jù)可包括目標的多邊形信息，而其可被繪制轉化成基于數(shù)據(jù)的晶片圖像，并具有用于集成電路器件的理想輪廓。算法可以以基于數(shù)據(jù)的晶片圖像來指引確定集成電路器件的實際邊緣，并用隨后的更精確的測量來尋找缺陷。

圖1是本發(fā)明實施例提供的用于圖像輪廓生成的一個計算設備的框圖。計算設備100可以包括微控制器121、存儲器單元125——如隨機存取存儲器(Random Access Memory,RAM)或閃速存儲器、輸入接口128、網(wǎng)絡接口134和可選的顯示器131。

微控制器121可以包括中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)122和圖形處理單元(Graphics Processing Unit,GPU)123。GPU123可提供圖形渲染、光掩模仿真、抗蝕劑(光致抗蝕劑)模擬以及定限(閾值)處理等額外的圖形處理能力。CPU122、GPU123或兩者都可以訪問和操作內(nèi)存單元125內(nèi)的數(shù)據(jù)。

存儲器單元125可以存儲各種模塊，包括控制模塊126或其他模塊127。圖1中，存儲器125連接到微處理器121，而其可以執(zhí)行所述各種模塊。當控制模塊126和其他模塊127被執(zhí)行時，依照本發(fā)明實施例，一組算法、過程或步驟可被運行，用以實現(xiàn)圖像輪廓的生成，在此基礎上，可以進一步實現(xiàn)基于全局圖像的優(yōu)化、基于全局邊緣的優(yōu)化和基于局域邊緣的優(yōu)化等功能。存儲器單元125可實現(xiàn)為隨機存取存儲器(RAM)或可被用作存儲器的任何合適的非永久存儲設備。存儲器單元125可包括可執(zhí)行的指令和數(shù)據(jù)，以供CPU 122、GPU 123或兩者的即時訪問。存儲器單元125可以包括一個或多個動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic RAM,DRAM)模塊，如雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(Double Date Rate Synchronous DRAM,DDR SDRAM)?？商娲?，存儲器125可以包括另一種類型的或多個的設備，能夠存儲現(xiàn)有或未來開發(fā)的數(shù)據(jù)以供CPU 122/GPU 123處理。CPU 122/GPU 123可以利用緩存，以作為一種本地化的快速存儲形式對數(shù)據(jù)和指令進行操作。

網(wǎng)絡接口134可以用于與其他計算設備進行通信，以發(fā)送、接收數(shù)據(jù)和控制信號。例如，網(wǎng)絡接口134可以連接到一個掃描設備(未示出)以接收在晶片上形成的管芯的掃描圖像(下文中，也可以稱為掃描管芯圖像)來檢查和測量管芯特征，并且可以將掃描圖像發(fā)送到CPU122/GPU123進行處理和生成圖像輪廓。又例如，網(wǎng)絡接口134可以通過指定的介質(zhì)(如數(shù)據(jù)總線或以太網(wǎng)連接)接受遙控指令來遠程控制計算設備100或網(wǎng)絡中的其他計算設備。

輸入接口128可以是一個接口(如鍵盤或觸摸屏)，這使得用戶能夠根據(jù)本發(fā)明公開的實施例向計算設備100輸入或提供與光掩模生成有關的命令或參數(shù)。參數(shù)或其他控制指令可以被加載到存儲器125并存儲在控制模塊126中。

顯示器131可以包括屏幕驅動132及屏幕133，用于顯示圖像輪廓生成的各個階段，從而允許用戶查看進度并視需要通過輸入接口128進行修改。屏幕驅動132被連接到微控制器121并可從其接收指令以驅動顯示屏133。在一些實施例中，顯示屏幕133可以在優(yōu)化流程之前、之中、之后或三者之聯(lián)合顯示生成的掩模圖像。屏幕133可以使用戶(如微芯片制造經(jīng)理)得以評估掩模生成過程的當前狀態(tài)。

計算設備100只是一個示例；任何計算設備可具有額外數(shù)量的微控制器、CPU、GPU或存儲單元，用以執(zhí)行本發(fā)明公開的光掩模生成。計算設備100也可能有其他方面。例如，一個或多個附加計算設備可以聯(lián)網(wǎng)操作。部分或全部在此描述的技術可以在這樣的網(wǎng)絡上運行。

圖2是本發(fā)明實施例提供的一個用于在晶片上制造集成電路器件的光刻系統(tǒng)的示意圖。該系統(tǒng)可以包括光能源202、光能束203、照明透鏡204、掩模206、投影透鏡208、光致抗蝕劑層210、晶片212，或以上的組合。光能束203可以以光能量(如紫外光或可見光光譜)或電子束能量的形式，從光能源202投射出來。光能束203可以從一個光學系統(tǒng)中投射出來，所述光學系統(tǒng)可包括一個照明透鏡204、投影透鏡208或以上兩者，用以聚焦能量將圖像印刷到晶片212上。例如，投影透鏡208可聚焦光能束203，以形成光致抗蝕劑層210上的投影圖像214。光刻掩模206可以基于集成電路設計圖像制作，從而具有符合集成電路器件功能的多邊形的掩模圖207。在集成電路制造過程中，不同的掩模可以被迭代使用，以便分別印刷各層到晶片上。掩模圖207可以允許能量通過選定區(qū)域，以正像或負像的形式投射到晶片212上。光致抗蝕劑層210可以聚合物膜或樹脂膜的形式施在晶片212的表面上，并且有能對光能束203產(chǎn)生反應的光敏材料性質(zhì)。例如，光致抗蝕劑層210上的投影圖像214可以轉換光致抗蝕劑層210，以便在晶片212的表面上形成印刷圖像。印刷圖像是晶片212表面上的一層轉化材料，并且可有一個圖案，其可在光能束203被掩蓋的地方抵抗或允許對晶片材料的蝕刻，取決于掩模圖是正像或負像。在掩模和曝光處理后，可以在晶片上對當前被制造的層進行隨后的蝕刻過程。根據(jù)需要，晶片212的掩模和曝光可以在集成電路器件的每一個特征層上重復，其間穿插晶片212上的蝕刻流程。

光學元件、光能源202、照明透鏡204、投影透鏡208和掩模206的特性對晶片212上的印刷圖像有影響。例如，光能束203的衍射可能會導致晶片212上的印刷圖像偏離要制造的集成電路器件的原始設計的多邊形。光致抗蝕劑層210的材料的特性也可能影響晶片212上所得到的圖像圖案，從而偏差原始設計的多邊形。

圖3是本發(fā)明實施例提供的生成圖像輪廓的流程圖，其可以包括一個設計目標302的數(shù)據(jù)庫、掩模圖產(chǎn)生器304、基準圖像模擬器306、邊緣探測器308、掃描管芯圖像310、掃描圖像輪廓生成器312、管芯特征測量單元314，或以上組合。

設計目標302可以存儲在一個設計數(shù)據(jù)庫中，形式可以為集成電路器件的、作為圖案印刷在晶片上的幾何特征的數(shù)學描述。例如，設計目標302可以被表征為各種形狀、尺寸、屬性和互連關系的多邊形。多邊形可以被組織成圖案單元。在設計數(shù)據(jù)庫中，每個多邊形可以用角的坐標和角間連線的方向進行描述。對每個要在晶片上制造的集成電路器件，設計目標302可以以設計布局的形式提供。設計目標302可包括錯綜復雜的元件，其具有線性通路和多層連接點，可由各種導體、非導體和半導體材料來形成。單個元件和元件之間的間隙可被要求具有納米級分辨率(如32納米或以下)。例如，設計目標302的設計數(shù)據(jù)庫可以使用開放式圖形系統(tǒng)交換標準(Open Artwork System Interchange Standard,OASIS)應用來實現(xiàn)。

掩模圖生成器304可以將設計目標302中的光掩模圖形化地繪制成掩模圖，如圖2所示的光掩模206。在一些實施例中，多邊形可以繪制到一個具有可選分辨率的網(wǎng)格，其中多邊形的角不一定與網(wǎng)格的角對齊。所述掩模圖可被繪制為灰度圖像或二進制彩色圖像。例如，設計目標的多邊形可被繪制，類似的特征可以借不同的灰度陰影而得以區(qū)分于不同的特征。又例如，對二進制彩色圖像，所有設計目標的多邊形可被繪制，并以單一顏色填充。

基準圖像模擬器306可以基于設計目標302，對掩模圖運用光刻仿真、光致抗蝕仿真或兩者組合來生成一個基準圖像。在一些實施例中，基準圖像模擬器306可以運用光刻仿真來為晶片獲得一個理想的、無噪聲的光學預測圖像。例如，可以生成一個光學模型來預測一個或多個透鏡在光能束穿越光掩模并達到晶片表面的抗蝕劑層時的效果。從所述光學模型的仿真，可以產(chǎn)生一個基于數(shù)據(jù)的空間圖像，以表示光致抗蝕劑層上表的空間中光能量的分布。例如，參照圖2，空間圖像會出現(xiàn)在光致抗蝕劑層210上的投影圖像214的上表，而光能束203的聚焦圖像可以作為空間圖像被預測。

在一些實施例中，基準圖像模擬器306可以運用光致抗蝕仿真(如一個有二維或三維外形特征的光致抗蝕模型)，用以預測光致抗蝕材料在光能穿過光致抗蝕劑層并把圖像印刷至晶片表面時產(chǎn)生的化學反應。例如，參考圖2，穿過光致抗蝕劑層210的光能束203在投射到晶片212的表面上時，可以對光致抗蝕劑層材料的外形及材料特性產(chǎn)生反應。所述光致抗蝕仿真可以預測該反應，基于所述預測生成一個基準圖像。

邊緣探測器308可以對所述基準圖像執(zhí)行一個定限函數(shù)以生成一個基準圖像輪廓圖。例如，可以應用一種算法來識別晶片圖像中亮度的急劇變化，從而探出圖像的邊，其形式可為直線段或曲線段。

依本發(fā)明所公開的內(nèi)容，通過掃描晶片上制造的管芯所獲的掃描管芯圖像310可以存儲在存儲器中(如圖1所示的存儲器125)，并可被訪問而進行處理。

掃描圖像輪廓探測器312可使用所述基準圖像輪廓圖來指引檢查算法，而其可以在管芯圖像310中探測特征，以產(chǎn)生一個掃描圖像輪廓圖。所述檢查算法可以把在管芯圖像310中的特征檢測功能限制在僅針對基準圖像邊緣存在的區(qū)域，從而可以提高生成所述掃描圖像輪廓圖的效率。因此，由于掃描噪聲而在所述掃描圖像輪廓圖中產(chǎn)生的假線得以被忽略。

在一些實施例中，圖像輪廓探測器312可以應用一個基于掃描的管芯到數(shù)據(jù)庫(die-to-database)缺陷探測算法，而其可以將所述掃描圖像輪廓圖和所述基準圖像輪廓圖中的線作比較。例如，所述算法可以將所述掃描圖像輪廓圖和所述基準圖像輪廓圖劃分成對應的區(qū)。在每個區(qū)內(nèi)，兩種圖樣可以進行比較。所述比較可以逐行執(zhí)行或逐個對象執(zhí)行。當所述掃描圖像輪廓圖和所述基準圖像輪廓圖有輪廓線不重合時，便可以檢出管芯上的缺陷。

用所述掃描圖像輪廓圖，管芯特征測量單元314可以對邊線及管芯原件之間的間隙進行測量(如集成電路特征)。例如，可以測量對應于一個集成電路元件的線，以確定所造元件是否在規(guī)范的容差范圍內(nèi)。

圖4是本發(fā)明實施例提供的生成圖像輪廓的方法流程圖。在一些實施例中，基準圖像輪廓生成可以包括取出設計目標多邊形信息的步驟402、繪制設計目標成掩模圖的步驟404、生成基準圖像的步驟406、生成基準圖像輪廓圖的步驟408、取出掃描管芯圖像的步驟410、生成掃描圖像輪廓圖的步驟412，或以上步驟的組合。

在一些實施例中，設計目標的多邊形信息可以在步驟402中被取出。例如，設計目標的多邊形可以幾何信息的形式被存儲在數(shù)據(jù)庫中和并可被訪問以生成一個基準圖像。

在一些實施例中，設計目標的多邊形可在步驟404中被繪制成一個掩模圖。例如，掩模算法可以生成所述目標多邊形的透視圖，以作為設計目標多邊形信息的函數(shù)。

在一些實施例中，可以在步驟406中基于所述掩模圖生成一個基準圖像。例如，光刻算法可以生成一個圖像，以作為光學特性、光致抗蝕劑特性或兩者組合的一個函數(shù)，而其代表在晶片上使用掩模圖的設計目標多邊形的期望投影。

在一些實施例中，基準圖像輪廓圖可以在步驟408中生成。例如，定限算法可確定所述基準圖像的邊緣并在邊線所在之處生成輪廓線，以產(chǎn)生所述基準圖像的輪廓圖案。

在一些實施例中，掃描管芯圖像可以在步驟410中被取出。例如，在晶片上制造的管芯的SEM圖像可以從存儲器中取出。視實際需要，晶片的SEM圖像可以分部取出。

在一些實施例中，掃描圖像輪廓圖可以在步驟412中生成。例如，步驟408中的所述基準圖像輪廓圖可以用來指引對步驟410中取出的掃描管芯圖像的對應部分的協(xié)助檢查，以為所述掃描圖像產(chǎn)生一個輪廓圖，因為所述掃描圖像可能不含可被簡單檢查檢出的直線和尖角。在一些實施例中，所述掃描圖像輪廓圖可以生成為所述基準圖像輪廓圖(如步驟408中的基準圖像輪廓圖)和集成電路的掃描圖像(如步驟410中的掃描管芯圖像)兩者的函數(shù)。

圖5是本發(fā)明實施例提供的一個繪制的掩模圖的示例。在一些實施例中，一個掩模圖(如圖樣502)可根據(jù)設計數(shù)據(jù)庫中的目標多邊形信息被圖形化繪制。掩模圖502可包括對應于所述目標多邊形信息的多邊形504。

圖6是本發(fā)明實施例提供的基于圖5所示的繪制的掩模圖所重作的一個晶片仿真圖像的示例。在一些實施例中，光刻算法模擬了圖樣圖像的再現(xiàn)(如仿真圖樣圖像602)，而其為晶片上制造的集成電路的模型化光刻和光致抗蝕劑布置的一個函數(shù)。

圖7是本發(fā)明實施例提供的基于圖6所示的晶片仿真圖像的一個基準圖像輪廓圖的示例。在一些實施例中，基準圖像輪廓圖(如圖樣702)可以被生成為仿真晶片圖像602的閾值的一個函數(shù)。例如，一個定限算法可以基于仿真晶片圖像602中的亮度變化分離出邊緣，并在所探邊緣的所在之處生成輪廓線704。輪廓線704可以代表從光刻投影所得的晶片上目標多邊形的布置的預期位置。

圖8是本發(fā)明實施例提供的一個掃描管芯圖像的示例。在一些實施例中，由掃描技術(如SEM)產(chǎn)生的掃描管芯圖像(如掃描圖像802)可以從存儲器中取出。

圖9是本發(fā)明實施例提供的基于圖7中基準圖像輪廓圖和圖8中掃描管芯圖像的掃描管芯圖像輪廓的示例。在一些實施例中，所述掃描圖像輪廓圖可以生成為所述基準圖像輪廓圖(如圖7中的基準圖像輪廓圖)和集成電路的掃描圖像(如圖8中的掃描管芯圖像)兩者的函數(shù)。在一些實施例中，所述基準圖像輪廓圖702，如圖7所示，可以用來指引掃描圖像802的檢查流程，以檢測掃描的集成電路器件元件904在圖像輪廓圖902中的輪廓。

圖10是本發(fā)明實施例提供的對圖7中基準圖像輪廓圖和圖9中掃描管芯圖像輪廓的比較的示例。在一些實施例中，圖7中所述基準圖像輪廓圖702可以重疊在圖9中所述掃描圖像輪廓圖上，以生成對比圖樣1002。檢查對比圖樣1002可以發(fā)現(xiàn)不匹配的區(qū)域(如1004/1006)，從而指示晶片上制造的集成電路器件的缺陷。相比于現(xiàn)有技術，通過比較基準圖像輪廓圖和掃描圖像輪廓圖，可以精確地查找晶片上的集成電路器件的缺陷。

本文的實施例可用功能塊組件和各種處理步驟來描述。所公開的方法和順序，可以單獨或以任何組合來執(zhí)行。功能塊可以通過任何數(shù)量的執(zhí)行指定功能的硬件和/或軟件組件來實現(xiàn)。例如，所描述的實施例可以使用各種集成電路組件，如存儲器元件、處理元件、邏輯元件、查找表等，其可以在一個或多個微處理器或其他控制設備的控制下執(zhí)行多種功能。類似地，所描述的實施例的元件使用軟件編程或軟件元件實現(xiàn)時，本發(fā)明可以使用任何編程或腳本語言來實現(xiàn)，如C、C++、Java、匯編等；各種算法的實現(xiàn)可以結合數(shù)據(jù)結構、對象、過程、例程或其他編程元素的任意組合。功能方面，可以用在一個或多個處理器上執(zhí)行的算法來實現(xiàn)。此外，本發(fā)明的實施例可以采用任意數(shù)量的常規(guī)技術，用于電子學配置、信號處理和/或控制、數(shù)據(jù)處理等。

上述公開內(nèi)容的各方面或方面的一些部分可以以計算機程序產(chǎn)品的形式存在，而其可以從比如計算機可用或計算機可讀介質(zhì)中讀寫。計算機可用或計算機可讀介質(zhì)可以是任何設備；例如，其可以有形地包含、存儲、通信或由任何處理器或通過連接到任何處理器傳輸程序或數(shù)據(jù)結構以供使用。例如，該介質(zhì)可以是電子、磁、光、電磁或半導體器件。其他合適的介質(zhì)也可以使用。這樣的計算機可用或計算機可讀介質(zhì)可以被稱為非瞬時性存儲器或介質(zhì)，并且可以包括RAM或其他可能會隨時間而改變的易失性存儲器或存儲設備。除非另有說明，本文中所描述的裝置的存儲器不必在物理上包含于該裝置但可以由裝置遠程訪問，且不必與可能被物理包含于該裝置的其他存儲器鄰近。

在本文中，“示例”用于表示充當實例、例子或展示。本文中描述為“示例”的任何方面或設計并無必要解釋為優(yōu)選的或優(yōu)于其他方面或設計。相反，使用“示例”二字旨在以具體的方式介紹概念。在本申請中，術語“或”的使用旨在表示包含性“或”而不是排他性“或”。即，除非另有指定，或從上下文可以清楚得知，“X包括A或B”旨在表示任何自然的包括性排列。換句話說，如果X包括A、X包括B、或X包括A和B兩者，那么“X包括A或B”在任何以上實例中成立。此外，“一”和“一個”在本申請中使用和所附的權利要求應一般性地被解釋為表示“一個或多個”，除非另有指定或從上下文中明確得知其針對單一數(shù)目。此外，術語“一個方面”、“一方面”或“一些實施例”在全文中的使用無意描述相同的實施方案或方面，除非特意指出。

本文所示和描述的具體方面是本發(fā)明的說明性實施例，并且無意在任何方面的范圍限制本發(fā)明。為簡潔起見，常規(guī)電子學、控制系統(tǒng)、軟件開發(fā)和系統(tǒng)(及系統(tǒng)的個體操作組件的元件)的其他功能方面可能不再詳述。另外，各種圖中所示的連接線或連接器旨在表示各種要素之間的示例性功能關系和/或物理或邏輯聯(lián)接。實際器件可以存在許多替代或附加的功能關系、物理連接或邏輯連接。

使用“包括”或“具有”及其變體是指包括其后列出的項目及其等效物以及其他項目。除非另外指定或限制，術語“安裝”、“連接”、“支撐”和“對接”及其變型為寬泛使用，并且包括直接和間接的安裝、連接、支撐、和對接。此外，“連接”和“對接”不局限于物理或機械連接或對接。

術語“一”和“一個”的使用和描述本發(fā)明(特別是在以下權利要求的上下文中)的上下文中“所述/該”和類似的指示物應解釋為涵蓋一個或多個。此外，除非本文另外指出，本文數(shù)值范圍僅旨在用作方便提及每一個單獨落在該范圍內(nèi)的值；并且每個單獨的值被并入說明書中，視同它在本文中單獨列舉。最后，本文所述的所有方法的步驟是在任何合適的順序下進行，除非本文另有說明或者與上下文明顯矛盾。本文所提供的任意及所有實例或示例性語言(例如“如”)的使用，僅僅是為了更好地闡明本發(fā)明，并且除非另有聲明，對本發(fā)明的范圍并不構成限制。

為了讓本發(fā)明容易理解，上述實施例已經(jīng)進行了描述，且不限制本發(fā)明。與此相反，本發(fā)明意在覆蓋包括在所附權利要求范圍內(nèi)的各種修改及等同結構，其范圍應被賦予法律所允許的最寬的解釋，以包含所有這類修改及等同結構。