1.一種生成圖像輪廓的方法，其特征在于，包括：
基于設(shè)計(jì)目標(biāo)信息，生成一個(gè)掩模圖；
基于在所述掩模圖上的光刻效用的仿真，生成一個(gè)基準(zhǔn)圖像；
基于對所述基準(zhǔn)圖像的邊緣探測，生成一個(gè)基準(zhǔn)圖像輪廓圖；
從存儲器中取出一個(gè)集成電路的掃描圖像；
生成一個(gè)掃描圖像輪廓圖，所述掃描圖像輪廓圖是所述基準(zhǔn)圖像輪廓圖和所述集成電路的掃描圖像的函數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于在所述掩模圖上的光刻效用的仿真，生成一個(gè)基準(zhǔn)圖像包括：
生成光致抗蝕劑效用的仿真，所述光致抗蝕劑效用為一個(gè)光致抗蝕模型的函數(shù)，所述光致抗蝕模型是基于用于制造所述集成電路的一個(gè)光致抗蝕劑層的特性；
基于所述光刻效用的仿真及所述光致抗蝕劑效用的仿真的結(jié)合，生成所述基準(zhǔn)圖像。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻效用的仿真是一個(gè)光學(xué)模型的函數(shù)，所述光學(xué)模型是基于用于制造所述集成電路的一個(gè)棱鏡或一個(gè)光掩模的特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：
把所述掃描圖像輪廓圖和所述基準(zhǔn)圖像輪廓圖劃分成對應(yīng)的區(qū)；
在每一個(gè)區(qū)內(nèi)，分別比較所述掃描圖像輪廓圖和所述基準(zhǔn)圖像輪廓圖，以檢測所述集成電路是否存在缺陷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：
如果在一個(gè)區(qū)內(nèi)，所述掃描圖像輪廓圖與所述基準(zhǔn)圖像輪廓圖不一致，則確定在所述一個(gè)區(qū)所述集成電路存在缺陷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述比較是逐行或逐個(gè)對象執(zhí)行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：
識別所述掃描圖像輪廓圖中的集成電路特征，并對所述集成電路特征進(jìn)行測量。
8.一種裝置，其特征在于，包括：
存儲器；
至少一個(gè)處理器，其執(zhí)行儲存在所述存儲器內(nèi)的指令以：
基于設(shè)計(jì)目標(biāo)信息，生成一個(gè)掩模圖；
基于在所述掩模圖上的光刻效用的仿真，生成一個(gè)基準(zhǔn)圖像；
基于對所述基準(zhǔn)圖像的邊緣探測，生成一個(gè)基準(zhǔn)圖像輪廓圖；
從所述存儲器中取出一個(gè)集成電路的掃描圖像；
生成一個(gè)掃描圖像輪廓圖，所述掃描圖像輪廓圖是所述基準(zhǔn)圖像輪廓圖和所述集成電路的掃描圖像的函數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述處理器進(jìn)一步執(zhí)行儲存在所述存儲器內(nèi)的指令以：
生成光致抗蝕劑效用的仿真，所述光致抗蝕劑效用為一個(gè)光致抗蝕模型的函數(shù)，所述光致抗蝕模型是基于用于制造所述集成電路的一個(gè)光致抗蝕劑層的特性；
基于所述光刻效用的仿真及所述光致抗蝕劑效用的仿真的結(jié)合，生成所述基準(zhǔn)圖像。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述處理器進(jìn)一步執(zhí)行儲存在所述存儲器內(nèi)的指令以：
將一個(gè)區(qū)域中的所述掃描圖像輪廓圖與相應(yīng)區(qū)域中的所述基準(zhǔn)圖像輪廓圖相比較，以檢測在所述一個(gè)區(qū)域中所述集成電路的缺陷。