本發(fā)明實(shí)施例涉及封裝技術(shù)，尤其涉及一種封裝基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著無線通信、汽車電子和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，微電子封裝技術(shù)向著多功能、小型化、便攜式、高速度、低功耗和高可靠性的方向發(fā)展。

圖1為現(xiàn)有的一種封裝基板的制作方法流程圖。如圖1所示，現(xiàn)有的封裝基板的制作方法主要包括以下幾步驟：S110、在帶有金屬層的載體上形成線路層；S120，在線路層以及帶有金屬層的載體上制作介質(zhì)層；S130、在介質(zhì)層上形成通孔，該通孔貫穿該介質(zhì)層；S140、向該通孔內(nèi)填充用于制作側(cè)電極的金屬；S150、去除該帶有金屬層的載體；S160、對該介質(zhì)層以及線路層進(jìn)行切割，該切割線經(jīng)過所述通孔，以使用于制作側(cè)電極的金屬的剖面裸露于所述介質(zhì)層之外，形成側(cè)電極。

在現(xiàn)有的封裝基板的制作過程中，在向通孔內(nèi)填充用于制作側(cè)電極的金屬時，為了確保后續(xù)工藝能夠順利完成，一般不會在通孔內(nèi)全部填充金屬，即該通孔與金屬之間往往會留有縫隙，這會使得用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性差。在后續(xù)進(jìn)行切割工藝或其他工藝時，填充金屬與介質(zhì)層之間易發(fā)生分離，進(jìn)而致使封裝基板報廢的不良現(xiàn)象出現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種封裝基板及其制作方法，以實(shí)現(xiàn)提高用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性的目的。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種封裝基板的制作方法，該封裝基板的制作方法包括：

在帶有金屬層的載體上形成至少第一線路層；

在所述第一線路層上背離所述帶有金屬層的載體的表面上形成至少一個側(cè)電極柱；

在所述第一線路層以及所述側(cè)電極柱背離所述帶有金屬層的載體的表面上形成介質(zhì)層，所述側(cè)電極柱與所述介質(zhì)層無縫連接；

去除所述帶有金屬層的載體；

對所述介質(zhì)層和所述第一線路層進(jìn)行切割，切割線經(jīng)過所述側(cè)電極柱，以使所述側(cè)電極柱的剖面裸露于所述介質(zhì)層之外，形成側(cè)電極。

進(jìn)一步地，所述帶有金屬層的載體為單面帶有金屬層的載體或雙面帶有金屬層的載體。

進(jìn)一步地，所述帶有金屬層的載體為雙面帶有金屬層的載體；

在帶有金屬層的載體上形成至少一層第一線路層包括在所述雙面帶有金屬層的載體的兩側(cè)均形成至少一層第一線路層。

進(jìn)一步地，在所述第一線路層以及所述側(cè)電極柱背離所述帶有金屬層的載體的表面上形成介質(zhì)層包括：

在所述第一線路層以及所述側(cè)電極柱背離所述帶有金屬層的載體的表面上通過層壓或涂覆的方式形成介質(zhì)層。

進(jìn)一步地，在所述第一線路層以及所述側(cè)電極柱背離所述帶有金屬層的載板的表面上形成介質(zhì)層之后：

在所述介質(zhì)層上形成貫穿所述介質(zhì)層的通孔；

在所述介質(zhì)層背離所述第一線路層的表面上形成至少一層第二線路層，所述第二線路層與所述第一線路層通過所述通孔電連接。

進(jìn)一步地，去除所述帶有金屬層的載體之后包括：

從所述第一線路層一側(cè)對所述第一線路層和所述側(cè)電極柱進(jìn)行劃槽處理，以使所述側(cè)電極柱分割成至少兩個部分，同時所述介質(zhì)層仍連接在一起；

對所述第一線路層和所述側(cè)電極柱各部分的剖面進(jìn)行表面金屬化處理。

進(jìn)一步地，所述表面金屬化處理包括：在所述第一線路層和所述側(cè)電極柱各部分的剖面上形成鈍化層。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種封裝基板，該封裝基板包括：

至少一層第一線路層；

形成于所述第一線路層上的至少一個側(cè)電極柱；

形成于所述第一線路層以及所述側(cè)電極柱上的介質(zhì)層，且所述側(cè)電極柱與所述介質(zhì)層無縫連接；

其中，所述側(cè)電極柱的剖面裸露于所述介質(zhì)層之外。

進(jìn)一步地，還包括第二線路層，

所述第二線路層形成于所述介質(zhì)層背離所述第一線路層的表面上；

所述介質(zhì)層上還包括貫穿所述介質(zhì)層的通孔，所述第二線路層通過所述通孔與所述第一線路層電連接。

進(jìn)一步地，還包括鈍化層，

所述鈍化層形成于所述側(cè)電極柱部分剖面以及所述第一線路層背離所述介質(zhì)層的表面上。

本發(fā)明實(shí)施例采用先在第一線路層上背離帶有金屬層的載體的表面上形成側(cè)電極柱；再在第一線路層以及側(cè)電極柱背離帶有金屬層的載體的表面上形成介質(zhì)層，側(cè)電極柱與介質(zhì)層無縫連接；最后對該介質(zhì)層以及第一線路層進(jìn)行切割，切割線經(jīng)過該側(cè)電極柱，以使該側(cè)電極柱的剖面裸露于該介質(zhì)層之外，形成側(cè)電極的方法，解決了現(xiàn)有的封裝基板在制作時，一般不會在通孔內(nèi)全部填充金屬，使得用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性差的問題，實(shí)現(xiàn)了提高用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性，進(jìn)而提高封裝基板的良率的目的。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的一種封裝基板的制作方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中的提供的一種封裝基板的制作方法的流程圖；

圖3a-圖3g是利于圖2中封裝基板制作方法制作封裝基板的過程中，封裝基板各個狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是在制作封裝基板的過程中，封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施二提供的封裝基板應(yīng)用于實(shí)際場景時的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種封裝基板的制作方法的流程圖。圖3a-3g為利用圖2中封裝基板制作方法制作封裝基板的過程中，封裝基板各個狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合圖2以及圖3a-3g，對該封裝基板的制作方法進(jìn)行說明。

該封裝基板的制作方法具體包括如下步驟：

S210、在帶有金屬層的載體上形成至少一層第一線路層。

帶有金屬層的載體，是指通過膠層將基板與金屬層粘結(jié)后得到的一種產(chǎn)品，如覆銅板等。圖3a中示例性地給出了一種帶有金屬層的載體的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖3a，該帶有金屬層的載體10包括基板11、金屬層12以及設(shè)置于基板11與金屬層12之間用于粘結(jié)該基板11與該金屬層12的膠層13。

具體地，該帶有金屬層的載體可以為單面帶有金屬層的載體或雙面帶有金屬層的載體。其中，單面帶有金屬層的載體是指僅在基板的某一側(cè)面上粘結(jié)金屬層的載體。雙面帶有金屬層的載體是指在基板的兩個側(cè)面上均粘結(jié)金屬層的載體。圖3a中，該帶有金屬層的載體10為雙面帶有金屬層的載體。

在帶有金屬層的載體上形成至少一層第一線路層具體是指，在帶有金屬層的載體中，金屬層背離基板的表面上形成至少一層第一線路層。若該帶有金屬層的載體為雙面帶有金屬層的載體，如圖3b，可以在該雙面帶有金屬層的載體的兩側(cè)均形成至少一層第一線路層20。除此之外，還可以在該雙面帶有金屬層的載體的任意一側(cè)形成至少一層第一線路層。需要說明的是，若在該雙面帶有金屬層的載體的兩側(cè)均形成第一線路層，以進(jìn)行后續(xù)制作工藝，可以同時完成兩塊封裝基板的制作，達(dá)到提高封裝基板制作效率的目的。另外，在圖3a中，在帶有金屬層的載體上的兩側(cè)均示例性地形成了一層第一線路層，這僅是本發(fā)明的一個具體示例，而非對本發(fā)明的限制。在具體設(shè)計時，可以在該帶有金屬層的載體上的兩側(cè)均形成多層第一線路層。可選地，該帶有金屬層的載體上的兩側(cè)所形成的第一線路層的層數(shù)不相同

S220、在所述第一線路層上背離所述帶有金屬層的載體的表面上形成至少一個側(cè)電極柱。

參見圖3c，在第一線路層20上背離該帶有金屬層的載體10的表面上形成至少一個側(cè)電極柱30。該側(cè)電極柱30包括與帶有金屬層的載體10所在平面平行的橫截面31。在具體設(shè)計時，該橫截面31的形狀可以為圓形、橢圓形、四邊形或其他異性圖案等。

S230、在所述第一線路層以及所述側(cè)電極柱背離所述帶有金屬層的載體的表面上形成介質(zhì)層，所述側(cè)電極柱與所述介質(zhì)層無縫連接。

參見圖3d，在第一線路層20以及側(cè)電極柱30背離帶有金屬層的載體10的表面上形成介質(zhì)層40，該側(cè)電極柱30與介質(zhì)層40無縫連接。在第一線路層20以及側(cè)電極柱30背離帶有金屬層的載體10的表面上形成介質(zhì)層40時，可以采用在第一線路層20以及側(cè)電極柱30背離帶有金屬層的載體10的表面上通過層壓或涂覆的方式形成介質(zhì)層40。

需要說明的是，在具體設(shè)計時，還可以在介質(zhì)層背離第一線路層的表面上形成第二線路層。具體地，在第一線路層以及側(cè)電極柱背離帶有金屬層的載板的表面上形成介質(zhì)層之后，首先，在介質(zhì)層上形成貫穿介質(zhì)層的通孔，然后在介質(zhì)層背離第一線路層的表面上形成至少一層第二線路層，該第二線路層與該第一線路層通過通孔電連接。這樣設(shè)置可以使得該封裝基板能夠更方便地多角度與其他器件電連接。

S240、去除所述帶有金屬層的載體。

本步驟的具體實(shí)現(xiàn)方法包括：首先，對比圖3d和圖3e，去除該帶有金屬層12的載體10的基板11；最后，對比圖3e和圖3f，利用蝕刻的方法去除該載體10中的金屬層12。

需要說明的是，由于在本實(shí)施例中僅以雙面帶有金屬層的載體為例，對封裝基板的制作方法進(jìn)行說明。在圖3d中提供的封裝基板的基礎(chǔ)上，在去除帶有金屬層的載體10后，如圖3f，會得到兩個封裝基板的大板51(在圖3f中僅示例性得給出了一個封裝基板的大板51的結(jié)構(gòu)示意圖)。在該封裝基板的大板51上依次排列有多個封裝基板52。

S250、對所述介質(zhì)層、所述第一線路層進(jìn)行切割，切割線經(jīng)過所述側(cè)電極柱，以使所述側(cè)電極柱的剖面裸露于所述介質(zhì)層之外，形成側(cè)電極。

對比圖3f和圖3g，對該封裝基板52的大板51上的介質(zhì)層40、第一線路層30進(jìn)行切割，切割線經(jīng)過側(cè)電極柱30，以使側(cè)電極柱30的剖面32裸露于介質(zhì)層40之外，得到封裝基板52。如圖3g所示，其中經(jīng)切割后的側(cè)電極柱30即為側(cè)電極。即根據(jù)各封裝基板52的位置，對該封裝基板52的大板51進(jìn)行切割，得到單獨(dú)的封裝基板52。

本實(shí)施例技術(shù)方案采用先在第一線路層上背離帶有金屬層的載體的表面上形成側(cè)電極柱；再在第一線路層以及側(cè)電極柱背離帶有金屬層的載體的表面上形成介質(zhì)層，側(cè)電極柱與介質(zhì)層無縫連接；最后對該介質(zhì)層以及第一線路層進(jìn)行切割，切割線經(jīng)過該側(cè)電極柱，以使該側(cè)電極柱的剖面裸露于該介質(zhì)層之外，形成側(cè)電極的方法，解決了現(xiàn)有的封裝基板在制作時，一般不會在通孔內(nèi)全部填充金屬，使得用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性差的問題，實(shí)現(xiàn)了提高用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性，進(jìn)而提高封裝基板的良率的目的。

進(jìn)一步地，考慮到在使用的過程中，若該側(cè)電極柱的剖面直接裸露于該介質(zhì)層之外，容易被氧化，進(jìn)而影響在后續(xù)打線或焊接工藝的可靠性。為此，可選地，如圖4，在去除帶有金屬層的載體之后，從第一線路層20一側(cè)對第一線路層20和側(cè)電極柱30進(jìn)行劃槽53處理，以使側(cè)電極柱30分割成至少兩個部分，同時介質(zhì)層40仍連接在一起；對第一線路層20和側(cè)電極柱30各部分的剖面進(jìn)行表面金屬化處理。這里表面金屬化處理可以包括：在第一線路層20和側(cè)電極柱30各部分的剖面上形成鈍化層。例如，例如在第一線路層20和側(cè)電極柱30各部分的剖面上形成NiPbAu或NiAu等鈍化層。

進(jìn)一步地，若該陣列基板還包括設(shè)置在介質(zhì)層背離第一線路層的表面上的第二線路層，可選地，在第一線路層、側(cè)電極柱各部分的剖面以及第二線路層上形成鈍化層。這樣可以有效防止第二線路層直接裸露于該介質(zhì)層之外，致使其被氧化的不良現(xiàn)象出現(xiàn)。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種封裝基板。參見圖5，該封裝基板52包括：至少一個第一線路層20；

形成于所述第一線路層20上的至少一個側(cè)電極柱30；

形成于所述第一線路層20以及所述側(cè)電極柱30上的介質(zhì)層40，且所述側(cè)電極柱30與所述介質(zhì)層40無縫連接；

其中，所述側(cè)電極柱30的剖面32裸露于所述介質(zhì)層40之外。

本實(shí)施例技術(shù)方案采用先在第一線路層上背離帶有金屬層的載體的表面上形成側(cè)電極柱；再在第一線路層以及側(cè)電極柱背離帶有金屬層的載體的表面上形成介質(zhì)層，側(cè)電極柱與介質(zhì)層無縫連接；最后對該介質(zhì)層以及第一線路層進(jìn)行切割，切割線經(jīng)過該側(cè)電極柱，以使該側(cè)電極柱的剖面裸露于該介質(zhì)層之外，形成側(cè)電極的方法，解決了現(xiàn)有的封裝基板在制作時，一般不會在通孔內(nèi)全部填充金屬，使得用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性差的問題，實(shí)現(xiàn)提高用作側(cè)電極的金屬與介質(zhì)層的結(jié)合性，以提高封裝基板的良率的目的。

進(jìn)一步地，該封裝基板還可以包括第二線路層；所述第二線路層形成于所述介質(zhì)層背離所述第一線路層的表面上；所述介質(zhì)層上還包括貫穿所述介質(zhì)層的通孔，所述第二線路層通過所述通孔與所述第一線路層電連接。這樣設(shè)置可以使得該封裝基板能夠更方便地多角度與其他器件電連接。

進(jìn)一步地，該封裝基板還可以包括鈍化層，所述鈍化層形成于所述側(cè)電極柱部分剖面以及所述第一線路層背離所述介質(zhì)層的表面上。這樣設(shè)置的好處是，可以解決現(xiàn)有的封裝基板上側(cè)電極柱的剖面由于直接裸露于該介質(zhì)層之外，容易被氧化，致使影響在后續(xù)打線或焊接工藝中的可靠性的問題，達(dá)到提高封裝基板后續(xù)打線或焊接工藝的可靠性的目的。

如圖5所示，該封裝基板52中，側(cè)電極表面平整，可適用于將帶有側(cè)面電極的封裝基板的豎立后在側(cè)電極上進(jìn)行綁線等工藝。除此之外，還可以在封裝基板上進(jìn)行如鉆孔等工藝。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝基板制作方法可用于制作本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝基板。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。