技術總結
本發(fā)明提供了一種NMOS晶體管，其包括：依次在基板上的遮光層、緩沖層、第一絕緣層和石墨烯層；分別位于第一絕緣層兩側的多晶硅層，多晶硅層包括未摻雜部、N型輕摻雜部及N型重摻雜部；在緩沖層上且覆蓋多晶硅層和石墨烯層的第二絕緣層；在第二絕緣層上的第一柵極和第二柵極；在第二絕緣層上且覆蓋第一柵極和第二柵極的第三絕緣層；在第三絕緣層上的源極和漏極；源極和漏極分別與兩N型重摻雜部接觸。由于石墨烯的遷移率高，能夠大幅度提高TFT的響應速度，且減少柵極用量，從而降低金屬層的表面積，提高TFT的開口率。此外，采用兩側雙柵極模式，能夠降低TFT的漏電流，且石墨烯的導電性具有各向異性，垂直方向上導電率低，可以進一步地降低柵極漏電流。

技術研發(fā)人員：鄭俊豐
受保護的技術使用者：武漢華星光電技術有限公司
文檔號碼：201610781303
技術研發(fā)日：2016.08.30
技術公布日：2016.12.07