技術(shù)編號(hào):11956149
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及MOS晶體管的制作工藝,特別涉及一種NMOS晶體管、PMOS晶體管、CMOS晶體管及其制作方法。背景技術(shù)隨著光電與半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn),也帶動(dòng)了平板顯示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃發(fā)展,而在諸多平板顯示器中,液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay,簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無(wú)輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性,已成為市場(chǎng)的主流。目前,作為L(zhǎng)CD的開(kāi)關(guān)元件而廣泛采用的是非晶硅薄膜三極管(a-SiTFT),但a-SiTFTLCD在滿(mǎn)足薄型、輕量、...
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