本發(fā)明涉及膜電阻制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種金屬氧化膜電阻的多源蒸發(fā)式制備方法。

背景技術(shù)：

金屬氧化膜電阻器就是以特種金屬或合金作電阻材料，用真空蒸發(fā)或?yàn)R射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成氧化的電阻膜層的電阻器。

一般金屬氧化膜的真空蒸發(fā)式制備大多采用合金作蒸發(fā)源，這樣制備出來(lái)的金屬氧化膜易出現(xiàn)分布不均，影響到電阻器的電學(xué)性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，公開了一種金屬氧化膜電阻的多源蒸發(fā)式制備方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了一種金屬氧化膜電阻的多源蒸發(fā)式制備方法，其具體制備步驟為：

（1）將錫、銻、鎳分別放置在真空鍍膜機(jī)的三個(gè)不同的蒸發(fā)源內(nèi)，設(shè)置蒸鍍時(shí)真空度達(dá)到8×10^-4以上，鍍膜速度控制在30-50nm/s，蒸鍍時(shí)陶瓷基底呈旋轉(zhuǎn)狀態(tài)；

（2）蒸鍍完畢取出冷卻后，置入紫外照射艙紫外照射處理40-50分鐘，再置入加熱爐中在120-140℃下烘烤30-40分鐘；

（3）烘烤結(jié)束后自然冷卻，再經(jīng)過(guò)涂漆、壓帽、焊引線、刻槽和涂外漆工序，得到金屬氧化膜電阻。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：

本發(fā)明方法采用多源同時(shí)蒸鍍工藝，保證膜內(nèi)組分分布均勻，還采用了后期紫外照射和低溫退火工序，加強(qiáng)了金屬氧化膜成膜質(zhì)量，提高了電阻的電學(xué)性能。

具體實(shí)施方式

具體實(shí)施例一：

一種金屬氧化膜電阻的多源蒸發(fā)式制備方法，其具體制備步驟為：

（1）將錫、銻、鎳分別放置在真空鍍膜機(jī)的三個(gè)不同的蒸發(fā)源內(nèi)，設(shè)置蒸鍍時(shí)真空度達(dá)到8×10^-4以上，鍍膜速度控制在30nm/s，蒸鍍時(shí)陶瓷基底呈旋轉(zhuǎn)狀態(tài)；

（2）蒸鍍完畢取出冷卻后，置入紫外照射艙紫外照射處理40分鐘，再置入加熱爐中在120℃下烘烤30分鐘；

（3）烘烤結(jié)束后自然冷卻，再經(jīng)過(guò)涂漆、壓帽、焊引線、刻槽和涂外漆工序，得到金屬氧化膜電阻。

具體實(shí)施例二：

一種金屬氧化膜電阻的多源蒸發(fā)式制備方法，其具體制備步驟為：

（1）將錫、銻、鎳分別放置在真空鍍膜機(jī)的三個(gè)不同的蒸發(fā)源內(nèi)，設(shè)置蒸鍍時(shí)真空度達(dá)到8×10^-4以上，鍍膜速度控制在50nm/s，蒸鍍時(shí)陶瓷基底呈旋轉(zhuǎn)狀態(tài)；

（2）蒸鍍完畢取出冷卻后，置入紫外照射艙紫外照射處理50分鐘，再置入加熱爐中在140℃下烘烤40分鐘；

（3）烘烤結(jié)束后自然冷卻，再經(jīng)過(guò)涂漆、壓帽、焊引線、刻槽和涂外漆工序，得到金屬氧化膜電阻。

具體實(shí)施例三：

一種金屬氧化膜電阻的多源蒸發(fā)式制備方法，其具體制備步驟為：

（1）將錫、銻、鎳分別放置在真空鍍膜機(jī)的三個(gè)不同的蒸發(fā)源內(nèi)，設(shè)置蒸鍍時(shí)真空度達(dá)到8×10^-4以上，鍍膜速度控制在40nm/s，蒸鍍時(shí)陶瓷基底呈旋轉(zhuǎn)狀態(tài)；

（2）蒸鍍完畢取出冷卻后，置入紫外照射艙紫外照射處理45分鐘，再置入加熱爐中在130℃下烘烤35分鐘；

（3）烘烤結(jié)束后自然冷卻，再經(jīng)過(guò)涂漆、壓帽、焊引線、刻槽和涂外漆工序，得到金屬氧化膜電阻。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。