專利名稱：一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法，特別涉及一種鎳-鉻合金鍍層上再電鍍銅-鎳合金的復合合金金屬膜電阻的制造方法。
背景技術：
金屬膜電阻廣泛用于電器電路和電子電路，其精確的阻值和穩(wěn)定的溫度系數(shù)使許多電器或電子線路在不同的溫度下處于穩(wěn)定的工作狀態(tài)，因此，電阻的溫度系數(shù)要求在±1％以下。為此，當前有用濺射方法，在絕緣材料上鍍上一鎳-鉻(Ni-Cr)合金鍍層，并用控制其厚度控制電阻數(shù)值，以及為達到精確阻值用激光切割法對其加工，但由于這種鍍層較硬而脆，在激光切割時造成鍍層脆裂而使成品率下降。另一種是在在絕緣材料上直接鍍銅-鎳(Cu-Ni)合金鍍層，雖然，阻值穩(wěn)定，但鍍層和絕緣體結合力不如前者。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了既能保持阻值穩(wěn)定又能使鍍層和絕緣體結合力大，而提供一種一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法。
本發(fā)明的技術方案是在絕緣基體或絕緣層上先濺射上一層Ni-Cr合金，其組成比為Ni∶Cr(w/w)＝75∶25～85～15，后在該鍍層上鍍上一層Cu-Ni合金鍍層，其組成比為Cu∶Ni(w/w)＝60∶40～40∶60；方法的具體步驟是在用現(xiàn)有常規(guī)的濺射等方法，在絕緣基體或絕緣層上先濺射上一層Ni-Cr合金后，再經(jīng)過下述步驟1、酸溶液常溫活化；2、用水清洗；3、吊鍍或滾鍍Cu-Ni合金層，根據(jù)阻值的要求可滾鍍0.5-6小時或更長；4、清洗；5、烘干。
本發(fā)明既解決了金屬膜和絕緣基體的結合力問題，又克服了激光加工時因鍍層脆性而引起鍍層脆裂的缺點，而且這種雙層合金復合鍍層組成的電阻膜的溫度系數(shù)能維持在±2％-±0.5％。


圖1為雙層合金鍍層金屬膜電阻組成結構示意圖。
具體實施例方式
如圖1所示，在至少為一層絕緣基體1上先濺射上一層Ni-Cr合金2，其組成比為Ni∶Cr(w/w)＝75∶25～85～15，后在該鍍層上鍍上一層Cu-Ni合金鍍層3，其組成比為Cu∶Ni(w/w)＝60∶40～40∶60；方法的具體步驟是在用現(xiàn)有常規(guī)的濺射等方法，在至少為一層絕緣膜材料上先濺射上一層Ni-Cr合金后，再經(jīng)過下述步驟1、酸溶液常溫活化；2、用水清洗；3、吊鍍或滾鍍Cu-Ni合金層，根據(jù)阻值的要求可滾鍍0.5-6小時或更長；4、用水清洗；5、烘干。
步驟1中所述的用于活化的酸的組成，可為鹽酸或硫酸，鹽酸溶液濃度、硫酸濃度均為5％-20％，活化的時間為0.5-2分鐘。步驟2中所述的Cu-Ni合金鍍液可以是銅的鹽酸鹽，硫酸鹽或焦磷酸鹽，鎳的鹽酸鹽，硫酸鹽或焦磷酸鹽；另加有絡合劑焦磷酸鉀或焦磷酸鈉；鍍液溫度為25-45℃；PH值為6.5-8.5，鍍層中銅的比例為35-70％wt％。例如銅的硫酸鹽CuSO4·5H2O為0.004-0.04mol/L，鎳的硫酸鹽NiSO4·6H2O為0.065-0.35mol/L；焦磷酸鉀K4P2O7為0.1-0.55mol/L。在陽極鈍化時，需加少量硝酸鈉。上述的鍍液可用于滾鍍亦可用于吊鍍。為使鍍層結構穩(wěn)定，從而使阻值穩(wěn)定，可在氮氣氛中加熱烘烤，溫度為200℃-400℃，時間為100-400分鐘。
權利要求
1.一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法，在絕緣基體或絕緣層上先濺射上一層Ni-Cr合金，其組成比為Ni∶Cr(w/w)＝75∶25～85～15，后在該鍍層上鍍上一層Cu-Ni合金鍍層，其組成比為Cu∶Ni(w/w)＝60∶40～40∶60；方法的具體步驟是在用現(xiàn)有常規(guī)的濺射等方法，在絕緣基體或絕緣層上上先濺射上一層Ni-Cr合金后，再經(jīng)過下述步驟1)溶液常溫活化；2)用水清洗；3)吊鍍或滾鍍Cu-Ni合金層，根據(jù)阻值的要求可滾鍍0.5-6小時或更長；4)清洗；5)烘干。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法，其特征在于，所述的用于活化的酸的組成，可為鹽酸或硫酸，鹽酸溶液濃度、硫酸濃度均為5％-20％，活化的時間為0.5-2分鐘。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法，其特征在于，所述的步驟2中所述的Cu-Ni合金鍍液可以是銅的鹽酸鹽，硫酸鹽或焦磷酸鹽，鎳的鹽酸鹽，硫酸鹽或焦磷酸鹽；另加有絡合劑焦磷酸鉀或焦磷酸鈉；鍍液溫度為25-45℃；PH值為6.5-8.5，鍍層中銅的比例為35-70％wt％。
4.根據(jù)權利要求1、3所述的一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法，其特征在于，所述的銅的硫酸鹽中其中CuSO4·5H2O為0.004-0.04mol/L，鎳的硫酸鹽中其中NiSO4·6H2O為0.065-0.35mol/L；所述的焦磷酸鉀K4P2O7為0.18-0.55mol/L。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法，其特征在于，步驟中所述的烘干可在氮氣氛中加熱烘烤，溫度為200-400℃，時間為100-400分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙層合金鍍層金屬膜電阻的制造方法。其特點是，在至少為一層絕緣基體上先濺射上一層Ni－Cr合金，其組成比為Ni∶Cr(w/w)＝75∶25～85～15，后在該鍍層上鍍上一層Cu－Ni合金鍍層，其組成比為Cu∶Ni(w/w)＝60∶40～40∶60；方法的具體步驟是通過現(xiàn)有常規(guī)的濺射方法，在至少為一層絕緣基體上先濺射上一層Ni－Cr合金后，再經(jīng)過下述步驟酸溶液常溫活化；用水清洗；吊鍍或滾鍍Cu－Ni合金層；用水清洗；烘干。本發(fā)明既解決了金屬膜和絕緣基體的結合力問題，又克服了激光加工時因鍍層脆性而引起鍍層脆裂的缺點，而且這種雙層合金復合鍍層組成的電阻膜的溫度系數(shù)能維持在±2％－±0.5％。
文檔編號H01C17/00GK1547218SQ20031010900
公開日2004年11月17日 申請日期2003年12月1日 優(yōu)先權日2003年12月1日
發(fā)明者鄭振, 顧衛(wèi)忠, 郭國才, 鄭 振 申請人:上海應用技術學院