本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED器件及制作方法、蒸鍍基板制作方法。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù)具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機(jī)層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。其具有屏幕可視角度大、節(jié)省電能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、DVD機(jī)、個(gè)人數(shù)字等領(lǐng)域中。

在全彩OLED器件中，通常采用FMM(Fine Metal Mask，高精度金屬掩模板)蒸鍍技術(shù)蒸鍍有機(jī)層。然而該技術(shù)對(duì)蒸鍍裝置的對(duì)位精度要求很高，通常情況下對(duì)位精度需小于3μm，從而容易因高精度金屬掩模板偏移而使全彩OLED器件發(fā)生混色。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對(duì)傳統(tǒng)FMM蒸鍍技術(shù)容易因高精度金屬掩模板偏移而造成全彩OLED器件發(fā)生混色的問題，提供一種OLED器件及制作方法、蒸鍍基板制作方法。

一種OLED器件，包括形成有陽極層的基板、形成于所述陽極層上且間隔排列的絕緣層，所述絕緣層內(nèi)設(shè)有磁性粒子；所述絕緣層及外露的所述陽極層表面用于蒸鍍有機(jī)層及陰極。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣層包括形成于所述陽極層上的絕緣緩沖層及形成于所述絕緣緩沖層上的隔離柱；若干所述隔離柱內(nèi)設(shè)有所述磁性粒子。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述若干隔離柱中各所述隔離柱內(nèi)磁性粒子的數(shù)量及位置排列方式相同。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所有的所述隔離柱內(nèi)均設(shè)有所述磁性粒子。

一種OLED器件制作方法，包括：

在形成有陽極層的基板上間隔涂布絕緣層，并在所述絕緣層內(nèi)加入磁性粒子；

在所述絕緣層及外露的所述陽極層表面蒸鍍有機(jī)層；

在所述有機(jī)層上形成陰極層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在形成有陽極層的基板上間隔涂布絕緣層，并在所述絕緣層內(nèi)加入磁性粒子的步驟包括：

在形成有陽極層的基板上間隔涂布絕緣緩沖層；

在所述絕緣緩沖層上涂布隔離柱，并在若干所述隔離柱內(nèi)加入所述磁性粒子。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在若干所述隔離柱內(nèi)加入所述磁性粒子的步驟為：在若干所述隔離柱中各所述隔離柱內(nèi)以相同的數(shù)量及位置排列方式加入所述磁性粒子。

一種OLED器件蒸鍍基板制作方法，包括：

在形成有陽極層的基板上間隔涂布絕緣層，并在所述絕緣層內(nèi)加入磁性粒子。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在形成有陽極層的基板上間隔涂布絕緣層，并在所述絕緣層內(nèi)加入磁性粒子的步驟包括：

在形成有陽極層的基板上間隔涂布絕緣緩沖層；

在所述絕緣緩沖層上涂布隔離柱，并在若干所述隔離柱內(nèi)加入所述磁性粒子。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在若干所述隔離柱內(nèi)加入所述磁性粒子的步驟為：在若干所述隔離柱中各所述隔離柱內(nèi)以相同的數(shù)量及位置排列方式加入所述磁性粒子。

上述OLED器件及制作方法、蒸鍍基板制作方法具有的有益效果為：由于絕緣層內(nèi)設(shè)有磁性粒子，因此在絕緣層上蒸鍍有機(jī)層的過程中，磁性粒子會(huì)對(duì)高精度金屬掩模板產(chǎn)生吸引力，將會(huì)使基板具有與高精度金屬掩模板進(jìn)行自對(duì)位的效果，從而減小了由于高精度金屬掩模板偏移而導(dǎo)致發(fā)生混色的概率，提高了產(chǎn)品的良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實(shí)施例的附圖。

圖1為一實(shí)施例提供的OLED器件的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示實(shí)施例的OLED器件形成像素后的正面示意圖；

圖3為圖1所示實(shí)施例的OLED器件進(jìn)行蒸鍍時(shí)的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為基于圖1所示實(shí)施例的OLED器件的OLED器件制作方法的流程圖；

圖5為圖4所示實(shí)施例的OLED器件制作方法中步驟S110的其中一種具體執(zhí)行流程圖；

圖6為基于圖1所示實(shí)施例的OLED器件的OLED器件蒸鍍基板制作方法的流程圖；

圖7為圖6所示實(shí)施例的OLED器件蒸鍍基板制作方法的其中一種具體執(zhí)行流程圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

一實(shí)施例提供了一種OLED器件，如圖1所示。該OLED器件包括形成有陽極層的基板110、形成于陽極層上且間隔排列的絕緣層120。其中，基板110包括玻璃基板及陽極層，且陽極層覆蓋于玻璃基板上。絕緣層120用于防止同一像素各層之間出現(xiàn)短路及相鄰像素之間出現(xiàn)短路的情況。絕緣層120之間的間隔，即外露陽極層的區(qū)域，為待形成像素區(qū)域。

請(qǐng)同時(shí)參考圖1、圖2、圖3，絕緣層120內(nèi)設(shè)有磁性粒子130。磁性粒子130由具有磁性并能夠吸引鐵、鈷、鎳等物質(zhì)的材料構(gòu)成。同時(shí)絕緣層120及外露的陽極層表面111用于蒸鍍有機(jī)層及陰極，從而形成相應(yīng)的像素140。

如圖3所示，上述OLED器件在蒸鍍有機(jī)層的過程中，高精度金屬掩模板200與絕緣層120正對(duì)放置。這時(shí)，絕緣層120之間的間隔正對(duì)高精度金屬掩模板200的開口220，從而便于將有機(jī)層蒸鍍于相對(duì)的間隔內(nèi)，以構(gòu)成相應(yīng)的像素。絕緣層120則正對(duì)高精度金屬掩模板200的橋210，那么在磁性粒子130的磁力作用下則會(huì)吸引高精度金屬掩模板200，使基板110具有與高精度金屬掩模板200進(jìn)行自對(duì)位的效果，從而減小了由于高精度金屬掩模板200偏移而導(dǎo)致發(fā)生混色的概率，提高了產(chǎn)品的良率。另外，蒸鍍時(shí)由于在磁性粒子130的吸附作用下，減小了基板110與高精度金屬掩模板200之間的距離，因此還能降低因蒸鍍路徑上存在障礙物而導(dǎo)致陰影效應(yīng)發(fā)生的概率。

具體的，絕緣層120包括形成于陽極層上的絕緣緩沖層121及形成于絕緣緩沖層121上的隔離柱122。其中，絕緣緩沖層121用于防止同一像素各層之間出現(xiàn)短路的情況。隔離柱122用于防止相鄰像素之間出現(xiàn)短路的情況。

同時(shí)，若干隔離柱122內(nèi)設(shè)有磁性粒子130。由于隔離柱122設(shè)置于絕緣緩沖層121表面上，故在蒸鍍時(shí)隔離柱122更接近高精度金屬掩模板200。因此，將磁性粒子設(shè)于隔離柱122內(nèi)，即相當(dāng)于將磁性粒子130設(shè)于絕緣層120靠近表面的位置，增強(qiáng)了對(duì)高精度金屬掩模板200的吸附作用。

可以理解的是，絕緣層120的結(jié)構(gòu)不限于上述一種情況，只要能夠防止同一像素各層之間出現(xiàn)短路及相鄰像素之間出現(xiàn)短路的情況，且將磁性粒子130設(shè)于絕緣層120靠近表面的位置即可。

具體的，在上述若干隔離柱122中，即設(shè)有磁性粒子130的所有隔離柱122中，各隔離柱122內(nèi)磁性粒子130的數(shù)量及位置排列方式相同，從而使各隔離柱122由內(nèi)部的磁性粒子130綜合產(chǎn)生的磁力作用相同。

因此在蒸鍍時(shí)，由于各隔離柱122由內(nèi)部的磁性粒子130而產(chǎn)生的吸附力相同，使高精度金屬掩模板200相應(yīng)的各位置受到的磁力相同，從而進(jìn)一步提高自對(duì)位的穩(wěn)定性及精度。

可以理解的是，隔離柱122內(nèi)磁性粒子130的設(shè)置方式不限于上述一種情況，只要使各隔離柱122基于內(nèi)部的磁性粒子130而對(duì)高精度金屬掩模板200產(chǎn)生的吸附力相同即可。

具體的，所有的隔離柱122內(nèi)均設(shè)有磁性粒子130。那么在蒸鍍時(shí)任一待形成像素區(qū)域兩端的隔離柱122均能基于內(nèi)部的磁性粒子130而對(duì)高精度金屬掩模板200產(chǎn)生吸附力，從而能夠進(jìn)一步嚴(yán)格限制高精度金屬掩模板200中的各開口220位于正對(duì)相應(yīng)待形成像素區(qū)域的位置，進(jìn)而提高對(duì)位的精度。

可以理解的是，設(shè)有磁性粒子130的隔離柱122的數(shù)量不限于上述一種情況，只要能夠限制高精度金屬掩模板200中的各開口220位于正對(duì)相應(yīng)待形成像素區(qū)域的位置即可。

如圖4所示，基于上述的OLED器件，在該實(shí)施例中還提供了一種OLED器件制作方法。具體原理如下。

步驟S110、在形成有陽極層的基板110上間隔涂布絕緣層120，并在絕緣層120內(nèi)加入磁性粒子130，如圖1、圖2所示。

其中，基板110包括玻璃基板及陽極層，且陽極層覆蓋于玻璃基板上。絕緣層120用于防止同一像素各層之間出現(xiàn)短路及相鄰像素之間出現(xiàn)短路的情況。絕緣層120之間的間隔，即外露陽極層的區(qū)域，為待形成像素區(qū)域。磁性粒子130由具有磁性并能夠吸引鐵、鈷、鎳等物質(zhì)的材料構(gòu)成。

步驟S120、在絕緣層120及外露的陽極層表面蒸鍍有機(jī)層。

步驟S130、在有機(jī)層上形成陰極層。

上述OLED器件制作方法在蒸鍍有機(jī)層的過程中，高精度金屬掩模板200與絕緣層120正對(duì)放置。這時(shí)，絕緣層120之間的間隔正對(duì)高精度金屬掩模板200的開口220，從而便于將有機(jī)層蒸鍍于相對(duì)的間隔內(nèi)，以構(gòu)成相應(yīng)的像素。絕緣層120則正對(duì)高精度金屬掩模板200的橋210，那么在磁性粒子130的磁力作用下則會(huì)吸引高精度金屬掩模板200，使基板110具有與高精度金屬掩模板200進(jìn)行自對(duì)位的效果，從而減小了由于高精度金屬掩模板200偏移而導(dǎo)致發(fā)生混色的概率，提高了產(chǎn)品的良率。另外，蒸鍍時(shí)由于在磁性粒子130的吸附作用下，減小了基板110與高精度金屬掩模板200之間的距離，因此還能降低因蒸鍍路徑上存在障礙物而導(dǎo)致陰影效應(yīng)發(fā)生的概率。

在其中一種具體實(shí)施方式中，步驟S110還包括以下步驟，如圖5所示。

步驟S111、在形成有陽極層的基板110上間隔涂布絕緣緩沖層121。

其中，絕緣緩沖層121用于防止同一像素各層之間出現(xiàn)短路的情況。

步驟S112、在絕緣緩沖層121上涂布隔離柱122，并在若干隔離柱122內(nèi)加入磁性粒子130。

其中，隔離柱122用于防止相鄰像素之間出現(xiàn)短路的情況。同時(shí)，若干隔離柱122內(nèi)設(shè)有磁性粒子130。由于隔離柱122設(shè)置于絕緣緩沖層121表面上，故在蒸鍍時(shí)隔離柱122更接近高精度金屬掩模板200。因此，將磁性粒子設(shè)于隔離柱122內(nèi)，即相當(dāng)于將磁性粒子130設(shè)于絕緣層120靠近表面的位置，增強(qiáng)了對(duì)高精度金屬掩模板200的吸附作用。

可以理解的是，絕緣層120的具體制作方法不限于上述一種情況，只要能夠防止同一像素各層之間出現(xiàn)短路及相鄰像素之間出現(xiàn)短路的情況，且將磁性粒子130設(shè)于絕緣層120靠近表面的位置即可。

具體的，在步驟S112中，在若干隔離柱122內(nèi)加入磁性粒子130的步驟為：在上述若干隔離柱122中，即設(shè)有磁性粒子130的所有隔離柱122中，各隔離柱122內(nèi)以相同的數(shù)量和位置排列方式加入磁性粒子130，從而使各隔離柱122由內(nèi)部的磁性粒子130綜合產(chǎn)生的磁力作用相同。

因此在蒸鍍時(shí)，由于各隔離柱122由內(nèi)部的磁性粒子130而產(chǎn)生的吸附力相同，使高精度金屬掩模板200相應(yīng)的各位置受到的磁力相同，從而進(jìn)一步提高自對(duì)位的穩(wěn)定性及精度。

可以理解的是，隔離柱122內(nèi)磁性粒子130的設(shè)置方式不限于上述一種情況，只要使各隔離柱122基于內(nèi)部的磁性粒子130而對(duì)高精度金屬掩模板200產(chǎn)生的吸附力相同即可。

另外，步驟S112的另外一種具體實(shí)現(xiàn)方式為：將所有的隔離柱122內(nèi)設(shè)有磁性粒子130。那么在蒸鍍時(shí)任一待形成像素區(qū)域兩端的隔離柱122均能基于內(nèi)部的磁性粒子130而對(duì)高精度金屬掩模板200產(chǎn)生吸附力，從而能夠進(jìn)一步嚴(yán)格限制高精度金屬掩模板200中的各開口220位于正對(duì)相應(yīng)待形成像素區(qū)域的位置，進(jìn)而提高對(duì)位的精度。

可以理解的是，設(shè)有磁性粒子130的隔離柱122數(shù)量不限于上述一種情況，只要能夠限制高精度金屬掩模板200中的各開口220位于正對(duì)相應(yīng)待形成像素區(qū)域的位置即可。

另外，基于上述的OLED器件，還提供了一種OLED器件蒸鍍基板制作方法，如圖6所示。

步驟S210、在形成有陽極層的基板110上間隔涂布絕緣層120，并在絕緣層120內(nèi)加入磁性粒子130。

另外，步驟S210的其中一種具體實(shí)施方式包括以下內(nèi)容，如圖7所示。

步驟S211、在形成有陽極層的基板110上間隔涂布絕緣緩沖層121。

步驟S212、在絕緣緩沖層121上涂布隔離柱122，并在若干隔離柱122內(nèi)加入磁性粒子130。具體的，在所有加入磁性粒子130的隔離柱122中，各隔離柱122內(nèi)以相同的數(shù)量及位置排列方式加入磁性粒子130。

需要說明的是，OLED器件蒸鍍基板制作方法與上述OLED器件制作方法中步驟S110的原理相同，這里就不再贅述。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。