技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種NMOS晶體管的制作方法，其包括：在基板上形成遮光層以及覆蓋遮光層的緩沖層；在緩沖層上形成多晶硅層；多晶硅層包括中間部、第一端部以及第二端部；對第一端部和第二端部進(jìn)行第一次離子注入；對第一端部進(jìn)行第二次離子注入；在緩沖層上形成覆蓋多晶硅層的第一絕緣層；在第一絕緣層上形成柵極；在第一絕緣層上形成覆蓋柵極的第二絕緣層；在第二絕緣層上形成源極和漏極；源極與兩第一端部之一接觸，漏極與兩第一端部之另一接觸。本發(fā)明利用光阻的再流動特性制作N型重?fù)诫s區(qū)和N型輕摻雜區(qū)，使得離子注入不需要穿過第一絕緣層，減少對第一絕緣層的傷害，而且還使得N型重?fù)诫s區(qū)的對稱性和N型輕摻雜的對稱性更佳。

技術(shù)研發(fā)人員：李安石;張從領(lǐng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610740789
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.26
技術(shù)公布日：2016.12.21