1.一種NMOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成遮光層以及覆蓋所述遮光層的緩沖層；
在所述緩沖層上形成多晶硅層；所述多晶硅層包括中間部、分別位于所述中間部?jī)蓚?cè)的第一端部以及位于所述中間部和所述第一端部之間的第二端部；
對(duì)所述第一端部和所述第二端部進(jìn)行第一次離子注入；
對(duì)所述第一端部進(jìn)行第二次離子注入；
在所述緩沖層上形成覆蓋所述多晶硅層的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上形成柵極；
在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述柵極的第二絕緣層；
在所述第二絕緣層上形成源極和漏極；所述源極貫穿所述第二絕緣層和所述第一絕緣層與兩所述第一端部之一接觸，所述漏極貫穿所述第二絕緣層和所述第一絕緣層與兩所述第一端部之另一接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，對(duì)所述第一端部和所述第二端部進(jìn)行第一次離子注入的具體方法包括：
形成覆蓋所述中間部的光阻層；
采用N型離子對(duì)未被所述光阻層覆蓋的所述第一端部和所述第二端部進(jìn)行離子注入。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，對(duì)所述第一端部進(jìn)行第二次離子注入的具體方法包括：
對(duì)所述光阻層進(jìn)行烘烤，使所述光阻層變軟并向其兩側(cè)流動(dòng)，從而覆蓋兩所述第二端部；
采用N型離子對(duì)未被變軟流動(dòng)后的所述光阻層覆蓋的所述第一端部再次進(jìn)行離子注入；
將所述光阻層去除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法進(jìn)一步包括：
在所述第二絕緣層上形成覆蓋所述源極和所述漏極的平坦層；
在所述平坦層中形成通孔，以暴露所述漏極。
5.一種利用權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的制作方法制作的NMOS晶體管。
6.一種CMOS晶體管，由NMOS晶體管和PMOS晶體管構(gòu)成，其特征在于，所述NMOS晶體管由權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的制作方法制成。