技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括：基板、設(shè)置在基板上的顯示部以及由顯示部的邊沿延伸的非顯示部，顯示部包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，非顯示部包括：在基板上的復(fù)合金屬層；在復(fù)合金屬層上的第一金屬層；第一金屬層由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成；在第一金屬層上的平坦層；在平坦層中的通孔；通孔將部分第一金屬層暴露；在平坦層上的公共電極層；公共電極層經(jīng)由通孔與暴露的第一金屬層接觸；覆蓋公共電極層的鈍化層。由于采用氧化物可溶于水且易被去除的金屬材料制成第一金屬層，因此可有效改善平坦層下方的信號(hào)線(其由復(fù)合金屬層和第一金屬層構(gòu)成)與公共電極層的接觸狀況，以提升產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：張占東
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼：201610717764
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.24
技術(shù)公布日：2016.12.21