1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括：基板、設(shè)置在所述基板上的顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部，所述顯示部包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述非顯示部包括：
在基板上的復(fù)合金屬層；
在所述復(fù)合金屬層上的第一金屬層；其中，所述第一金屬層由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成；
在所述第一金屬層上的平坦層；
在所述平坦層中的通孔；其中，所述通孔將部分所述第一金屬層暴露；
在所述平坦層上的公共電極層；其中，所述公共電極層經(jīng)由所述通孔與暴露的所述第一金屬層接觸；
覆蓋所述公共電極層的鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層采用鉬制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述復(fù)合金屬層包括：依次設(shè)置在所述基板上的第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，所述第一金屬層設(shè)置在所述第四金屬層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層和所述第四金屬層采用鈦制成，所述第三金屬層采用鋁制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在所述平坦層上的公共電極層延伸至所述通孔的底部，從而覆蓋在暴露的所述第一金屬層上。
6.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述制作方法包括：在基板上形成顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部；
所述顯示部的具體制作方法包括：在基板上形成陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述非顯示部的具體制作方法包括：
在基板上形成復(fù)合金屬層；
在所述復(fù)合金屬層上形成第一金屬層；其中，所述第一金屬層由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成；
在所述第一金屬層上形成平坦層；
在所述平坦層中形成通孔；其中，所述通孔將部分所述第一金屬層暴露；
在所述平坦層上形成公共電極層；其中，所述公共電極層經(jīng)由所述通孔與暴露的所述第一金屬層接觸；
形成覆蓋所述公共電極層的鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述復(fù)合金屬層上利用鉬材料形成所述第一金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成所述復(fù)合金屬層的具體方法包括：
在所述基板上利用鈦材料形成第二金屬層；
在所述第二金屬層上利用鋁材料形成第三金屬層；
在所述第三金屬層上利用鈦材料形成第四金屬層；其中，所述第一金屬層形成在所述第四金屬層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述公共電極層經(jīng)由所述通孔與暴露的所述第一金屬層接觸的具體方法為：使在所述平坦層上的公共電極層延伸至所述通孔的底部，從而覆蓋在暴露的所述第一金屬層上。
10.一種液晶面板，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板為權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，或者利用權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的制作方法制成所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。