本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、液晶面板。

背景技術(shù)：

隨著光電與半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，也帶動(dòng)了平板顯示器(Flat Panel Display)的蓬勃發(fā)展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無(wú)輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性，已成為市場(chǎng)的主流。

目前，作為L(zhǎng)CD的開(kāi)關(guān)元件而廣泛采用的是非晶硅薄膜三極管(a-Si TFT)，但a-Si TFT LCD在滿足薄型、輕量、高精細(xì)度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低溫多晶硅(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD與a-Si TFT LCD相比，在滿足上述要求方面，具有明顯優(yōu)勢(shì)。

然而，在現(xiàn)有的LTPS陣列基板的制作過(guò)程中，公共電壓信號(hào)是通過(guò)LTPS陣列基板的顯示區(qū)(即AA區(qū))周邊的平坦層(PLN)中的過(guò)孔傳送至公共電極的，而周邊的平坦層下方的信號(hào)線是由復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)(例如Ti/Al/Ti結(jié)構(gòu))形成的，但是Ti(鈦)金屬在制程環(huán)境以及后制程(如烘烤)環(huán)境中易發(fā)生氧化，從而形成TiO_x，而TiO_x電阻值較高且不易去除，易造成公共電壓信號(hào)輸入異常，從而造成產(chǎn)品顯示特性不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，包括：基板、設(shè)置在所述基板上的顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部，所述顯示部包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，所述非顯示部包括：在基板上的復(fù)合金屬層；在所述復(fù)合金屬層上的第一金屬層；其中，所述第一金屬層由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成；在所述第一金屬層上的平坦層；在所述平坦層中的通孔；其中，所述通孔將部分所述第一金屬層暴露；在所述平坦層上的公共電極層；其中，所述公共電極層經(jīng)由所述通孔與暴露的所述第一金屬層接觸；覆蓋所述公共電極層的鈍化層。

進(jìn)一步地，所述第一金屬層采用鉬制成。

進(jìn)一步地，所述復(fù)合金屬層包括：依次設(shè)置在所述基板上的第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，所述第一金屬層設(shè)置在所述第四金屬層上。

進(jìn)一步地，所述第二金屬層和所述第四金屬層采用鈦制成，所述第三金屬層采用鋁制成。

進(jìn)一步地，在所述平坦層上的公共電極層延伸至所述通孔的底部，從而覆蓋在暴露的所述第一金屬層上。

本發(fā)明的另一目的還在于提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述制作方法包括：在基板上形成顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部；所述顯示部的具體制作方法包括：在基板上形成陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管，所述非顯示部的具體制作方法包括：在基板上形成復(fù)合金屬層；在所述復(fù)合金屬層上形成第一金屬層；其中，所述第一金屬層由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成；在所述第一金屬層上形成平坦層；在所述平坦層中形成通孔；其中，所述通孔將部分所述第一金屬層暴露；在所述平坦層上形成公共電極層；其中，所述公共電極層經(jīng)由所述通孔與暴露的所述第一金屬層接觸；形成覆蓋所述公共電極層的鈍化層。

進(jìn)一步地，在所述復(fù)合金屬層上利用鉬材料形成所述第一金屬層。

進(jìn)一步地，在基板上形成所述復(fù)合金屬層的具體方法包括：在所述基板上利用鈦材料形成第二金屬層；在所述第二金屬層上利用鋁材料形成第三金屬層；在所述第三金屬層上利用鈦材料形成第四金屬層；其中，所述第一金屬層形成在所述第四金屬層上。

進(jìn)一步地，所述公共電極層經(jīng)由所述通孔與暴露的所述第一金屬層接觸的具體方法為：使在所述平坦層上的公共電極層延伸至所述通孔的底部，從而覆蓋在暴露的所述第一金屬層上。

本發(fā)明的又一目的又在于提供一種液晶面板，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板為上述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，或者利用上述的制作方法制成所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。

本發(fā)明的有益效果：由于采用氧化物可溶于水且易被去除的第一金屬層與公共電極層接觸，因此可有效改善平坦層下方的信號(hào)線(其由復(fù)合金屬層和第一金屬層構(gòu)成)與公共電極層的接觸狀況，從而提升產(chǎn)品品質(zhì)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；

圖2是圖1中的A-A向剖面圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非顯示部的制作方法的流程圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。在附圖中，相同的標(biāo)號(hào)將始終被用于表示相同的元件。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的俯視圖。圖2是圖1中的A-A向剖面圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板包括：基板100、設(shè)置在基板100上的顯示部(或稱顯示區(qū))200以及由顯示部200的邊沿延伸的非顯示部(或稱非顯示區(qū))300。

具體而言，基板100可以為透明的玻璃基板或者樹(shù)脂基板。顯示部200和非顯示部300設(shè)置在基板100的同一表面上。在低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制程過(guò)程中，顯示部200和非顯示部300同時(shí)形成在基板100的同一表面上。通常，顯示部200包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210。當(dāng)然，需要說(shuō)明的是，顯示部200中也可以包括交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵極線以及其他必要的元件。

以下將對(duì)非顯示部300進(jìn)行詳細(xì)地描述。繼續(xù)參照?qǐng)D1和圖2，非顯示部300包括：復(fù)合金屬層310、第一金屬層320、平坦層330、公共電極層340以及鈍化層350。

復(fù)合金屬層310設(shè)置在基板100上；其中，復(fù)合金屬層310與顯示部200中的低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵電極同時(shí)形成。進(jìn)一步地，復(fù)合金屬層310包括：依次設(shè)置在基板100上的第二金屬層311、第三金屬層312和第四金屬層313。在本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二金屬層311和第四金屬層313由鈦(Ti)制成，而第三金屬層312由鋁(Al)制成。這樣，復(fù)合金屬層310具有Ti/Al/Ti金屬結(jié)構(gòu)。

第一金屬層320設(shè)置在復(fù)合金屬層310上；其中，第一金屬層320同時(shí)形成在顯示部200中的低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵電極上。換句話講，在顯示部200中，可以由第一金屬層320與復(fù)合金屬層310組合構(gòu)成柵電極。在本實(shí)施例中，第一金屬層320由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成。優(yōu)選地，第一金屬層320由鉬材料制成。

平坦層330設(shè)置在第一金屬層320上。在平坦層330中形成通孔331，其中，該通孔331將部分第一金屬層320暴露。

公共電極層340設(shè)置在平坦層330上；其中，公共電極層340經(jīng)由通孔331與暴露的第一金屬層320接觸。進(jìn)一步地，在平坦層330上的公共電極層340延伸至通孔330的底部，從而覆蓋在暴露的第一金屬層320上，以與暴露的第一金屬層320接觸。

鈍化層350設(shè)置在公共電極層340上，以完全覆蓋公共電極層340。

由于鉬的氧化物MoOx可溶于水且易被去除，因此可有效改善平坦層下方的信號(hào)線(其由復(fù)合金屬層和第一金屬層構(gòu)成)與公共電極層的接觸狀況，從而提升產(chǎn)品品質(zhì)。

以下將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D1，首先，提供一基板100。接著，在基板100上形成顯示部200以及由顯示部200的邊沿延伸的非顯示部(或稱非顯示區(qū))300。

顯示部200的具體制作方法為：在基板100上形成陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210。每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210的制作方法采用現(xiàn)有技術(shù)的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法即可，在此不再贅述。

以下將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非顯示部300的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非顯示部的制作方法的流程圖。

參照?qǐng)D2和圖3，在步驟S310中，在基板100上形成復(fù)合金屬層310。其這里，復(fù)合金屬層310與顯示部200中的低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵電極同時(shí)形成。

進(jìn)一步地，復(fù)合金屬層310的制作方法具體包括：在基板100上利用鈦形成第二金屬層311；在第二金屬層311上利用鋁形成第三金屬層312；以及在第三金屬層312上利用鈦形成第四金屬層313。這樣，復(fù)合金屬層310具有Ti/Al/Ti金屬結(jié)構(gòu)。

在步驟S320中，在復(fù)合金屬層310上形成第一金屬層320。其中，第一金屬層320同時(shí)形成在顯示部200中的低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵電極上。換句話講，在顯示部200中，可以由第一金屬層320與復(fù)合金屬層310組合構(gòu)成柵電極。在本實(shí)施例中，第一金屬層320由氧化物可溶于水且具有低電阻值的金屬材料制成。優(yōu)選地，第一金屬層320由鉬材料制成。

在步驟S330中，在第一金屬層320上形成平坦層330。這里，在第一金屬層320上形成平坦層330的同時(shí)，在顯示部200中也形成平坦層330。

在步驟S340中，在平坦層330中形成通孔331；其中，該通孔331將部分第一金屬層320暴露。

在步驟S350中，在平坦層330上形成公共電極層340；其中，公共電極層340經(jīng)由通孔331與暴露的第一金屬層320接觸。這里，在平坦層330上形成公共電極層340的同時(shí)，在顯示部200中也形成公共電極層340。

進(jìn)一步地，公共電極層340經(jīng)由通孔331與暴露的第一金屬層320接觸的具體方法為：使在平坦層330上的公共電極層340延伸至通孔330的底部，從而覆蓋在暴露的第一金屬層320上，以與暴露的第一金屬層320接觸。

在步驟S360中，在公共電極層340上形成鈍化層350，所述鈍化層350完全覆蓋公共電極層340。這里，在公共電極層340上形成鈍化層350的同時(shí)，在顯示部200中也形成鈍化層350。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶面板包括：對(duì)盒設(shè)置的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000和彩膜基板2000，以及夾設(shè)于低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000和彩膜基板2000之間的液晶層3000，液晶層3000中具有若干液晶分子，其中，低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000為圖1和圖2所示的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，或者，低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000為采用上述的制作方法制作的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。此外，彩膜基板2000通常包括由紅(R)濾光片、綠(G)濾光片、藍(lán)(B)濾光片構(gòu)成的彩色濾光片、黑色矩陣、配向膜等。更加詳細(xì)地彩膜基板的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，這里不再贅述。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。