本發(fā)明涉及點(diǎn)火線(xiàn)圈，特別涉及一種點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片。

背景技術(shù)：

點(diǎn)火線(xiàn)圈內(nèi)部矽鋼片主要起導(dǎo)磁作用，常見(jiàn)的矽鋼片有C型、O型及D型等。矽鋼片由0.35-0.5mm厚度之間的硅鋼材料沖壓鉚接制成，在點(diǎn)火線(xiàn)圈中與整個(gè)線(xiàn)包裝配后灌封環(huán)氧樹(shù)脂。

由于點(diǎn)火線(xiàn)圈在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大約35kV的高壓，在點(diǎn)火線(xiàn)圈工作過(guò)程中的絕緣設(shè)計(jì)至關(guān)重要。

中國(guó)專(zhuān)利201020502663.0公開(kāi)了一種發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火線(xiàn)圈，如圖1所示，包括殼體1、核心磁路模塊2、插頭3；所述殼體1一側(cè)開(kāi)有插頭孔，所述插頭孔周側(cè)設(shè)有卡槽；所述插頭3周邊設(shè)有同所述插頭孔周側(cè)的卡槽相匹配的卡槽；所述核心磁路模塊2包括對(duì)稱(chēng)配對(duì)的兩C型包塑矽鋼片，所述核心磁路模塊2一端固定有一插口，所述插口內(nèi)設(shè)置有初級(jí)繞組、次級(jí)繞組的接線(xiàn)端子，所述核心磁路模塊上2的插口朝向所述插頭孔置于所述殼體1內(nèi)，所述插頭3安插在所述插口內(nèi)并通過(guò)卡槽同所述殼體1卡合在一起，為所述核心磁路模塊2引出接線(xiàn)端并將所述核心磁路模塊2固定在所述殼體1上。

如圖2、圖3、圖4所示。核心磁路模塊2包括對(duì)稱(chēng)配對(duì)的兩C型包塑矽鋼片23、一初級(jí)繞組22、一次級(jí)繞組21、一I型矽鋼片24、一永磁體26，一插口25；所述初級(jí)繞組22的骨架的一端設(shè)置有一凹槽，所述凹槽左右兩側(cè)設(shè)置有卡鉤29，所述凹槽27上下兩側(cè)設(shè)置有導(dǎo)軌28，所述初級(jí)繞組22的骨架的另一端也設(shè)置有導(dǎo)軌，所述永磁體26置于所述凹槽內(nèi)，所述I型矽鋼片24固定于所述初級(jí)繞組22的骨架內(nèi)，一端抵靠在所述置于凹槽內(nèi)的永磁體26，另一端凸出于所述初級(jí)繞組22的骨架的另一端，所述次級(jí)繞組21的骨架一端設(shè)置有卡槽，另一端設(shè)置有導(dǎo)軌，所述初級(jí)繞組22套設(shè)在所述次級(jí)繞組21的骨架內(nèi)，所述初級(jí)繞組22上的卡鉤29同所述次級(jí)繞組21上的卡槽卡合在一起，使初級(jí)繞組22和次級(jí)繞組21固定在一起，所述兩C型包塑矽鋼片23，一端置于所述凹槽27上下兩側(cè)的導(dǎo)軌28間，并使兩C型包塑矽鋼片23的該端面貼合，另一端置于所述初級(jí)繞組22的骨架的另一端設(shè)置的導(dǎo)軌間，并使兩C型包塑矽鋼片23的該另一端面分別貼合于所述I型矽鋼片凸出于所述初級(jí)繞組22的骨架的部分，由于永磁體的磁力作用，可以把對(duì)稱(chēng)配對(duì)的兩C型包塑矽鋼片23、I型矽鋼片24緊密的配合在一起。

如圖5所示的電壓分布可知，在次級(jí)繞組21高壓端到C型包塑矽鋼片23之間的電勢(shì)差最大，在設(shè)計(jì)核心磁路模塊2內(nèi)部結(jié)構(gòu)中需要預(yù)留足夠的絕緣距離。同時(shí)由于點(diǎn)火線(xiàn)圈需安裝在發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋罩上，對(duì)點(diǎn)火線(xiàn)圈的體積有嚴(yán)格的要求，定義了點(diǎn)火線(xiàn)圈外圍的最大邊界輪廓(如圖中虛線(xiàn)所示)。所以解決核心磁路模塊2高壓端的絕緣距離一直是一個(gè)比較困難的問(wèn)題。

矽鋼片在實(shí)際工作中的作用是導(dǎo)磁，因此為了保證足夠大的磁通量能夠通過(guò)必須保證矽鋼片的截面積。常見(jiàn)C型矽鋼片23結(jié)構(gòu)如圖6所示，包括上段231、中段232、下段233，上段231、中段232及下段233的厚度相同、寬度相同，上段231的長(zhǎng)度大于下段233的長(zhǎng)度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，能在保證矽鋼片體積不變以及線(xiàn)圈外部邊界不變的前提下，在保證磁路飽和點(diǎn)并未受到影響的情況下，增加可靠的絕緣距離，有效提高點(diǎn)火線(xiàn)圈的絕緣耐久性能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，其包括上段、中段、下段；

中段上端同上段一端連接，中段下端同下段一端連接；

上段、下段在中段的同一側(cè)，并垂直于中段；

中段的厚度t2小于上段的厚度t1以及下段的厚度t3；

中段的高度h2大于上段的高度h1以及下段的高度h3。

較佳的，中段同上段及同下段的連接處呈弧形過(guò)度。

較佳的，中段的頂部高過(guò)上段以及下段的頂部，中段的底部同上段以及下段的底部齊平。

較佳的，中段的頂部高過(guò)上段以及下段的頂部，中段的底部低于上段以及下段的底部。

較佳的，t1＝t3，h1＝h3，t2為t1的50％到70％，h1為h2的50％到70％。

較佳的，t1＝t3，h1＝h3，t2為t1的60％％，h1為h2的60％。

較佳的，上段的長(zhǎng)度大于下段的長(zhǎng)度。

本發(fā)明的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，為C型矽鋼片，中段的厚度較上段及下段薄，中段的高度較上段及下段高，即在矽鋼片中間段增加了凸臺(tái)，該結(jié)構(gòu)的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，由于中段變薄變高，增加了C型矽鋼片中段到次級(jí)繞組的距離，能在保證矽鋼片體積不變以及線(xiàn)圈外部邊界不變的前提下，并保證在磁路飽和點(diǎn)并未受到影響的情況下，增加可靠的絕緣距離，有效提高點(diǎn)火線(xiàn)圈的絕緣耐久性能。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對(duì)本發(fā)明所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火線(xiàn)圈的示意圖；

圖2是發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火線(xiàn)圈中的核心磁路模塊橫截面圖；

圖3是發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火線(xiàn)圈中的核心磁路模塊初級(jí)繞組與次級(jí)繞組固定示意圖；

圖4是發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火線(xiàn)圈中的核心磁路模塊C型包塑矽鋼片與初、次級(jí)繞組固定示意圖；

圖5是核心磁路模塊的電壓分布示意圖；

圖6是現(xiàn)有C型矽鋼片結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，如圖7所示，包括上段231、中段232、下段233，中段232上端同上段231一端連接，中段232下端同下段233一端連接，上段231、下段233在中段232的同一側(cè)，并垂直于中段232；

中段232的厚度(內(nèi)外側(cè)之間的距離)t2小于上段231的厚度(內(nèi)外側(cè)之間的距離)t1以及下段233的厚度(內(nèi)外側(cè)之間的距離)t3；

中段232的高度(底部同頂部之間的距離)h2大于上段231的高度(底部同頂部之間的距離)h1以及下段233的高度(底部同頂部之間的距離)h3。

實(shí)施例一的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，為C型矽鋼片，中段232的厚度較上段231及下段233薄，中段232的高度較上段231及下段233高，即在矽鋼片中間段增加了凸臺(tái)，該結(jié)構(gòu)的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，由于中段232變薄變高，增加了C型矽鋼片中段232到次級(jí)繞組21的距離，能在保證矽鋼片體積不變以及線(xiàn)圈外部邊界不變的前提下，并保證在磁路飽和點(diǎn)并未受到影響的情況下，增加可靠的絕緣距離，有效提高點(diǎn)火線(xiàn)圈的絕緣耐久性能。實(shí)施例一的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，通過(guò)臺(tái)階設(shè)計(jì)降低線(xiàn)圈磁場(chǎng)強(qiáng)度從而增加絕緣性能，在矽鋼片沖壓過(guò)程中只需增加一種規(guī)格的沖頭即可滿(mǎn)足條件，便于加工制作。

實(shí)施例二

基于實(shí)施例一的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，中段232同上段231及同下段233的連接處呈弧形過(guò)度。

實(shí)施例三

基于實(shí)施例一的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，中段232的頂部高過(guò)上段231以及下段233的頂部，中段232的底部同上段231以及下段233的底部齊平，即中段232同上段231以及下段233在頂部形成凸臺(tái)。

實(shí)施例四

基于實(shí)施例一的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，中段232的頂部高過(guò)上段231以及下段233的頂部，中段232的底部低于上段231以及下段233的底部，即中段232同上段231以及下段233在頂部及底部均形成凸臺(tái)。

實(shí)施例五

基于實(shí)施例一的點(diǎn)火線(xiàn)圈矽鋼片，t1＝t3，h1＝h3，t2為t1的50％到70％，h1為h2的50％到70％。

較佳的，t1＝t3，h1＝h3，t2為t1的60％％，h1為h2的60％。

較佳的，上段231的長(zhǎng)度大于下段233的長(zhǎng)度。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。