技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導體器件，包括半導體襯底以及位于半導體襯底上的半導體鰭。其中，半導體鰭在兩個單元共用的共同邊界處具有鰭隔離結(jié)構(gòu)。鰭隔離結(jié)構(gòu)具有從半導體鰭頂部延伸至半導體襯底上的停止層的氣隙。氣隙將半導體鰭分成半導體鰭的兩部分。鰭隔離結(jié)構(gòu)包括覆蓋在氣隙頂部的介電覆蓋層。本發(fā)明實施例涉及鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：張哲誠;林志翰
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610689119
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.19
技術(shù)公布日：2017.05.24