1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
位于所述半導(dǎo)體襯底上的停止層；
位于所述停止層上的半導(dǎo)體鰭；以及
位于所述半導(dǎo)體鰭上的彼此鄰近的兩個(gè)單元，所述半導(dǎo)體鰭在所述兩個(gè)單元共用的共同邊界處具有鰭隔離結(jié)構(gòu)，所述鰭隔離結(jié)構(gòu)具有從所述半導(dǎo)體鰭的頂部延伸至所述停止層的氣隙，其中，所述氣隙將所述半導(dǎo)體鰭分為所述半導(dǎo)體鰭的兩部分，所述鰭隔離結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述氣隙的頂部的介電覆蓋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體鰭的所述兩部分以基本上在從5nm至50nm的范圍內(nèi)的距離隔開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述介電覆蓋層包括氧化硅或氮化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述停止層包括SiGeOx、SiGe、SiOx、SiP或SiPOx，其中，x大于0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述停止層具有基本上在從1nm至50nm的的范圍內(nèi)的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙具有位于所述停止層上的第一氣隙以及位于所述第一氣隙之上的第二氣隙，以及所述第一氣隙的底部的寬度大于所述第二氣隙的底部的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙從所述半導(dǎo)體鰭的頂部穿過(guò)所述停止層延伸至所述半導(dǎo)體襯底的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙具有被圓弧面環(huán)繞的平坦的底面，以及所述氣隙的所述平坦的底面的寬度小于所述介電覆蓋層的頂部的寬度。
9.一個(gè)半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底：
位于所述半導(dǎo)體襯底上的停止層；以及
位于所述停止層上的半導(dǎo)體鰭，所述半導(dǎo)體鰭的兩個(gè)相對(duì)端的每個(gè)端均具有鰭隔離結(jié)構(gòu)，所述鰭隔離結(jié)構(gòu)具有從所述半導(dǎo)體鰭的頂部延伸至所述停止層的氣隙，其中，所述氣隙將所述半導(dǎo)體鰭分為所述半導(dǎo)體鰭的兩部分，所述鰭隔離結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述氣隙的頂部的介電覆蓋層。
10.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
在半導(dǎo)體襯底上形成停止層；
在所述停止層上形成半導(dǎo)體鰭；
在所述半導(dǎo)體鰭上形成彼此鄰近的兩個(gè)單元；
在所述半導(dǎo)體鰭的位于所述兩個(gè)單元共用的共同邊界處的頂部上形成柵極導(dǎo)體；
形成外圍地環(huán)繞所述柵極導(dǎo)體的柵極間隔件；
蝕刻所述柵極導(dǎo)體和所述半導(dǎo)體鰭以形成從所述半導(dǎo)體鰭的頂部延伸至所述停止層的氣隙，從而將所述半導(dǎo)體鰭分為所述半導(dǎo)體鰭的兩部分；以及
在所述氣隙內(nèi)沉積介電覆蓋層以覆蓋所述氣隙的頂部。